華泰證券:半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模如何達(dá)到1萬(wàn)億美金?

華泰證券發(fā)布研究報(bào)告稱,上周英偉達(dá)破2萬(wàn)億以后,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)如何達(dá)到1萬(wàn)億美元成為熱門(mén)話題。

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉,華泰證券發(fā)布研究報(bào)告稱,上周英偉達(dá)破2萬(wàn)億以后,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)如何達(dá)到1萬(wàn)億美元成為熱門(mén)話題。該行認(rèn)為,HPC是主要增量,到2030,AI芯片可能會(huì)是一顆擁有1萬(wàn)億晶體管(10x)采用1nm工藝的芯片。在實(shí)現(xiàn)1nm芯片的路上,會(huì)帶動(dòng)EUV光刻機(jī),先進(jìn)封裝設(shè)備在內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。

華泰證券觀點(diǎn)如下:

背景:2030年半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模1萬(wàn)億美元逐漸成為業(yè)內(nèi)共識(shí),關(guān)注實(shí)現(xiàn)路徑

最近包括AMD CEO Lisa Su、Intel CEO Pat Gelsinger在內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)領(lǐng)先領(lǐng)袖都提出,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)有望從2023年的5200億美金成長(zhǎng)到2030年的1萬(wàn)億美金(近1倍的增長(zhǎng),9.8% CAGR)。2月22日, 英偉達(dá)業(yè)績(jī)超市場(chǎng)預(yù)期,帶動(dòng)市值超2萬(wàn)億美元,成為全球市值第三大公司,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模如何實(shí)現(xiàn)1萬(wàn)億美元成為市場(chǎng)關(guān)注的熱點(diǎn)之一。ISSCC(International Solid-State Circuits Conference IEEE)是全球最主要的半導(dǎo)體技術(shù)論壇之一,本次論壇上,臺(tái)積電等的分享為投資人提供了思考這個(gè)問(wèn)題的一些啟示。

啟示1:數(shù)據(jù)中心取代手機(jī)成最大增量,HPC 2030年占據(jù)40%全球市場(chǎng)

本次大會(huì)上,臺(tái)積電認(rèn)為AI/HPC取代手機(jī)成為半導(dǎo)體最大需求,到2030年有望貢獻(xiàn)全球40%市場(chǎng)規(guī)模。根據(jù)彭博一致預(yù)期,2023年英偉達(dá)、Intel、AMD、Marvell及博通五家HPC芯片領(lǐng)域主要廠商相關(guān)業(yè)務(wù)收入合計(jì)為1381億美金,對(duì)應(yīng)未來(lái)7年AI/HPC全球市場(chǎng)有接近2倍成長(zhǎng)空間(16.4% CAGR)。當(dāng)前英偉達(dá)在訓(xùn)練芯片占據(jù)壟斷地位,4Q23在全球份額達(dá)60%。推理芯片上呈現(xiàn)百花齊放態(tài)勢(shì)。此外,AI芯片用HBM(海力士、三星等)有結(jié)構(gòu)性增長(zhǎng)機(jī)遇。

啟示2:摩爾定律繼續(xù)演進(jìn),2027年有望達(dá)到1.4nm

臺(tái)積電指出,將在2025年量產(chǎn)的2nm節(jié)點(diǎn)采用Nanosheet(GAAFET)結(jié)構(gòu),未來(lái)可能采用三維垂直堆疊的CFET晶體管結(jié)構(gòu)。Intel也表示將在2024年量產(chǎn)的Intel 20A工藝上,引入GAA設(shè)計(jì)的RibbonFET晶體管架構(gòu),2027將量產(chǎn)Intel 14A。IEEE預(yù)測(cè),通過(guò)微縮數(shù)字塊區(qū)域等方式,到2031年有望實(shí)現(xiàn)1.0nm。當(dāng)前全球7nm及以下的先進(jìn)制程廠商僅剩臺(tái)積電、三星和Intel,Intel制定了較為激進(jìn)的4年5節(jié)點(diǎn)技術(shù)路線。對(duì)于設(shè)備企業(yè)來(lái)講,該行認(rèn)為先進(jìn)制程演進(jìn)將拉動(dòng)High NA光刻機(jī)(ASML)、刻蝕設(shè)備及薄膜沉積(AMAT、Lam、TEL等)、量檢測(cè)(Lasertec, KLA)等設(shè)備用量。

啟示3:?jiǎn)涡酒w管數(shù)量增長(zhǎng)至10倍,先進(jìn)封裝、硅光等是核心技術(shù)

臺(tái)積電指出:1)基于TSV、混合鍵合等技術(shù)的3D堆疊/SoIC封裝,未來(lái)可能實(shí)現(xiàn)和SoC內(nèi)部die幾乎相同的互聯(lián)密度,且可將單芯片晶體管數(shù)量擴(kuò)展至10倍達(dá)1萬(wàn)億個(gè);2)整合硅光的CPO封裝,將顯著提升AI芯片計(jì)算能力和解決功耗問(wèn)題。

Intel指出:下一代先進(jìn)封裝技術(shù)的玻璃基板,與現(xiàn)有有機(jī)基板相比,具有更好的熱性能、物理性能和光學(xué)性能,可將互聯(lián)密度提升10倍。先進(jìn)封裝日益重要的背景下,該行認(rèn)為背面減薄(DISCO)、鍵合(Besi、ASMPT)、模塑(Towa、Yamada)等設(shè)備將迎來(lái)發(fā)展新機(jī)遇。

風(fēng)險(xiǎn)提示:半導(dǎo)體周期下行,技術(shù)研發(fā)不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)。

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