光大證券：維持華潤微(688396.SH)“買入”評(píng)級(jí) 業(yè)績(jī)快速增長 產(chǎn)能利用率保持高位

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，光大證券發(fā)布研究報(bào)告，維持華潤微(688396.SH)“買入”評(píng)級(jí)，預(yù)計(jì)2021-23年歸母凈利為23.33/26.52/29.79億元，當(dāng)前股價(jià)對(duì)應(yīng)PE為39/34/31x。

事件：10月26日，公司發(fā)布21年三季報(bào)。公司2021前三季度營業(yè)收入為69.28億元，同比增長41.7%;實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤16.84億元，同比增長145.20%;實(shí)現(xiàn)扣非歸母凈利潤15.54億元，同比增長158.6%。

光大證券主要觀點(diǎn)如下：

業(yè)績(jī)快速增長，產(chǎn)能利用率保持高位

公司2021Q3營業(yè)收入為24.73億元，單季環(huán)比增長2.60%，單季同比增長35.44%;實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤6.16億元，單季環(huán)比減少7.74%，單季同比增長117.26%;實(shí)現(xiàn)扣非歸母凈利潤5.39億元，單季環(huán)比減少16.44%，單季同比增長110.36%。公司前三季度和單三季度業(yè)績(jī)均實(shí)現(xiàn)了快速增長，主要系市場(chǎng)景氣度高，公司接受的訂單比較飽滿，整體產(chǎn)能利用率較高，公司各事業(yè)群營業(yè)收入均有所增加所致。

毛利率持續(xù)增長，加大研發(fā)投入

公司2021前三季度毛利率為35.42%，同比增長7.29pcts;凈利率為24.18%，同比增長8.69pcts。公司2021Q3毛利率為37.86%，單季環(huán)比增長1.59pcts，單季同比增長8.35pcts;凈利率為24.6%，單季環(huán)比減少2.78pcts，單季同比增長7.57pcts。公司毛利率繼續(xù)增長，主要系公司訂單飽滿，產(chǎn)能利用率較高，凈利率環(huán)比有所下降主要系公司管理費(fèi)用和研發(fā)費(fèi)用環(huán)比2季度有較大提升。公司21Q3管理費(fèi)用率和研發(fā)費(fèi)用率分別為6.35%和8.89%。

公司長期布局12英寸晶圓產(chǎn)線，進(jìn)一步穩(wěn)固國內(nèi)功率半導(dǎo)體龍頭地位

公司于21年年中與大基金二期和重慶西永分別出資9.5、16.5、24億元，設(shè)立潤西微電子，該項(xiàng)目投資約75.5億元，建成后形成12寸3萬片/月中高端功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)能力，并配套12寸外延和薄片工藝能力。該產(chǎn)線將采用90nm工藝，主要生產(chǎn)MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，為進(jìn)入工業(yè)控制和汽車電子領(lǐng)域做準(zhǔn)備。

本次投資一方面順應(yīng)功率半導(dǎo)體高景氣周期，積極擴(kuò)產(chǎn)將有效緩解芯片緊缺，另一方面進(jìn)一步增強(qiáng)了公司在功率半導(dǎo)體的產(chǎn)線和工藝能力，奠定了公司在國內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的龍頭地位。

公司產(chǎn)能布局全面，產(chǎn)品品類不斷拓展

公司在無錫擁有1條8英寸和3條6英寸晶圓產(chǎn)線，在重慶擁有1條8英寸晶圓產(chǎn)線(53%持股比例)和12英寸生產(chǎn)線(19%持股比例)，根據(jù)公司2020年年報(bào)，6英寸產(chǎn)能約248萬片/年，8英寸產(chǎn)能約144萬片。重慶12寸產(chǎn)線達(dá)產(chǎn)后，將形成36萬片/年產(chǎn)能，公司產(chǎn)能布局全面。

目前行業(yè)供不應(yīng)求，公司產(chǎn)線滿載，毛利率提升，公司作為國內(nèi)功率半導(dǎo)體龍頭將充分受益。另外公司積極研發(fā)并推進(jìn)中高端MOSFET等功率半導(dǎo)體的國產(chǎn)替代，持續(xù)推進(jìn)IGBT、SiC/GaN第三代半導(dǎo)體的市場(chǎng)拓展，同時(shí)從消費(fèi)電子領(lǐng)域逐漸開拓至工業(yè)控制和汽車電子領(lǐng)域，成長空間廣闊。

化合物半導(dǎo)體進(jìn)展順利，新品研發(fā)不斷

公司自主研發(fā)的第一代650V、1200VSiCJBS產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并實(shí)現(xiàn)銷售突破;平面型1200VSiCMOSFET產(chǎn)出工程樣品，靜態(tài)技術(shù)參數(shù)達(dá)到國外對(duì)標(biāo)樣品水平，正在進(jìn)行可靠性優(yōu)化。自主研發(fā)的第一代650V硅基氮化鎵Cascode器件樣品靜態(tài)參數(shù)達(dá)到國外對(duì)標(biāo)水平，正在進(jìn)行外延材料質(zhì)量、芯片面積及工藝的優(yōu)化，以進(jìn)一步提升器件可靠性和性價(jià)比;自主研發(fā)的第一代650V硅基氮化鎵E-mode器件實(shí)現(xiàn)器件功能，工藝開發(fā)中。

投資建議：公司的發(fā)展戰(zhàn)略為“內(nèi)生+外延”，“內(nèi)生”戰(zhàn)略為公司不斷拓展新產(chǎn)品線，開拓新的市場(chǎng)與客戶，擴(kuò)大公司體量，公司的“內(nèi)生”戰(zhàn)略在2021年成效顯著，公司業(yè)績(jī)?nèi)〉昧舜蠓鲩L。公司自成立以來一以貫之“外延”戰(zhàn)略，不斷并購整合擴(kuò)大業(yè)務(wù)范圍，覆蓋功率器件全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)。長期來看，公司在“內(nèi)生+外延”的雙重發(fā)展軌道下有望復(fù)制英飛凌的崛起;短期來看，MOSFET漲價(jià)及下游需求景氣度高企。

風(fēng)險(xiǎn)提示：半導(dǎo)體行業(yè)下游需求不及預(yù)期。