信達(dá)證券：首予中微公司(688012.SH)“買入”評(píng)級(jí) 業(yè)績(jī)穩(wěn)健增長(zhǎng) 半導(dǎo)體業(yè)務(wù)占比持續(xù)提高

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，信達(dá)證券發(fā)布研究報(bào)告稱，預(yù)計(jì)中微公司(688012.SH)2021-23年?duì)I收分別為31.17/42.39/55.67億元，歸母凈利潤(rùn)分別為5.21/6.69/8.81億元，對(duì)應(yīng)當(dāng)前股價(jià)PE分別為195/152/115倍。公司作為半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的龍頭公司，隨著設(shè)備技術(shù)的不斷突破，具備較強(qiáng)的國(guó)產(chǎn)替代確定性，市占率有望持續(xù)提升。首次覆蓋，給予“買入”評(píng)級(jí)。

信達(dá)證券主要觀點(diǎn)如下：

中微公司：半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代先鋒。公司成立于2004年，創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)均為出身應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體等國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)的核心技術(shù)人員，董事長(zhǎng)尹志堯博士曾任應(yīng)用材料副總裁、刻蝕事業(yè)部總經(jīng)理、亞洲首席技術(shù)官，是國(guó)際等離子體刻蝕技術(shù)發(fā)展的重要推動(dòng)者。公司于2007年成功研制首臺(tái)CCP刻蝕機(jī)，2012年成功研制首臺(tái)MOCVD設(shè)備，2016年成功研制ICP設(shè)備，產(chǎn)品線不斷拓寬，如今已成為國(guó)際領(lǐng)先的CPP和MOCVD供應(yīng)商。

近年來(lái)公司業(yè)績(jī)穩(wěn)健增長(zhǎng)，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)占比亦持續(xù)提高。2017-2020年，公司營(yíng)收從9.72億元增長(zhǎng)至22.73億元，三年CAGR達(dá)32.73%。其中，刻蝕設(shè)備收入從2.89億元增長(zhǎng)至12.89億元，三年CAGR達(dá)64.61%，2020年收入占公司設(shè)備業(yè)務(wù)比例達(dá)71.65%。

公司2020年定增落地，國(guó)家大基金二期參與認(rèn)購(gòu)。公司定增募集82億元，加碼研發(fā)128層以上CCP刻蝕、大馬士革刻蝕、7nm以下ICP、3nm以下ALE等項(xiàng)目，大基金參與認(rèn)購(gòu)25億元。

刻蝕：前道工藝核心，國(guó)產(chǎn)替代率先突破。刻蝕是前道工藝的核心環(huán)節(jié)，主流的干法刻蝕工藝包括電容性等離子刻蝕(CCP)和電感性等離子刻蝕(ICP)兩種技術(shù)路線，是前道工藝中價(jià)值量最高的環(huán)節(jié)。據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2025年刻蝕設(shè)備全球市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到150億美元。當(dāng)前市場(chǎng)呈現(xiàn)了巨頭壟斷的競(jìng)爭(zhēng)格局，泛林半導(dǎo)體、東京電子、應(yīng)用材料合計(jì)占據(jù)了91%的市場(chǎng)份額。2020年以來(lái)全球半導(dǎo)體景氣度上行，國(guó)內(nèi)晶圓廠在國(guó)產(chǎn)替代和缺貨漲價(jià)雙重動(dòng)力下加速建設(shè)，為國(guó)產(chǎn)設(shè)備廠商帶來(lái)突破機(jī)遇，而刻蝕設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率仍不足20%，替代空間可觀。

中微作為國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備龍頭，截止2020年，CCP設(shè)備裝機(jī)量達(dá)1159臺(tái)，保持了30%的年均增速，而ICP設(shè)備亦已有55個(gè)反應(yīng)腔運(yùn)行于10位客戶的產(chǎn)線。技術(shù)自主可控和先進(jìn)制程能力是公司得以實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代的核心優(yōu)勢(shì)，CCP設(shè)備已切入臺(tái)積電5nm產(chǎn)線，技術(shù)達(dá)到世界領(lǐng)先水平。邏輯芯片的大馬士革刻蝕、128層以上3DNAND刻蝕、用于GAA結(jié)構(gòu)的ALE刻蝕等產(chǎn)品也已處于研發(fā)中。

MOCVD：GaN外延設(shè)備龍頭，化合物半導(dǎo)體空間打開：MOCVD指金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積，常用于包括GaN、SiC、GaAs、InP在內(nèi)的化合物半導(dǎo)體外延片制造，面向LED、射頻、功率、VCSELS等下游應(yīng)用。得益于miniLED滲透帶來(lái)芯片用量增長(zhǎng)，上游MOCVD設(shè)備迎來(lái)需求爆發(fā)。中微藍(lán)光LED設(shè)備快速成熟，與三安、晶電、兆馳等LED巨頭保持良好合作，截止2018年Q4已在全球GaN基MOCVD市場(chǎng)占據(jù)70%以上市場(chǎng)份額。用于mini/microLED、功率半導(dǎo)體的設(shè)備亦在研發(fā)中。

風(fēng)險(xiǎn)因素：行業(yè)周期性波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn);下游客戶擴(kuò)產(chǎn)不及預(yù)期風(fēng)險(xiǎn)。