新時代證券：新潔能(605111.SH)繼續(xù)受益于行業(yè)高景氣和品類升級,維持“強(qiáng)烈推薦”評級

智通財經(jīng)APP獲悉，新時代證券發(fā)布研究報告稱，新潔能(605111.SH)2021H1業(yè)績預(yù)增超預(yù)期，繼續(xù)受益于行業(yè)高景氣和品類升級。該行預(yù)計公司2021-2023年歸母凈利潤分別為3.13/4.16/5.23億元，對應(yīng)PE為75/57/45倍，維持“強(qiáng)烈推薦”評級。

新時代證券主要觀點(diǎn)如下：

公司發(fā)布2021年上半年度業(yè)績預(yù)告

2021年上半年度實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤為1.7億元到1.75億元，與上年同期相比，將增加1.15億元到1.20億元，同比增加207.20%到216.23%，按照區(qū)間中值計算，2021年Q2公司實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤0.98億元，同比增加215.53%，環(huán)比增加29.83%，均為歷史新高，業(yè)績超市場預(yù)期。2020年下半年以來，受到新冠疫情、半導(dǎo)體國產(chǎn)替代加快、新興應(yīng)用興起等因素的影響，同時疊加上游代工產(chǎn)能緊張，公司所處行業(yè)細(xì)分領(lǐng)域景氣度持續(xù)升高，產(chǎn)品供不應(yīng)求。同時，公司利用自身綜合優(yōu)勢，積極開拓新興市場與開發(fā)重點(diǎn)客戶，持續(xù)優(yōu)化市場、客戶與產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，促進(jìn)了銷售規(guī)模的擴(kuò)大與毛利率的提升。

行業(yè)持續(xù)高景氣，功率半導(dǎo)體市場規(guī)模擴(kuò)張，和華虹常年深度戰(zhàn)略合作，在晶圓緊缺背景下產(chǎn)能有保障，公司產(chǎn)品具有較強(qiáng)進(jìn)口替代優(yōu)勢。

IHSMarkit數(shù)據(jù)顯示，2020全球功率器件市場規(guī)模約為422億美元，預(yù)計至2021年市場規(guī)模將增長至441億美元，目前中國占全球功率半導(dǎo)體市場需求比例約三分之一，未來將繼續(xù)保持較高速度增長。公司已成長為國內(nèi)8英寸及12英寸先進(jìn)工藝平臺芯片投片量最大的半導(dǎo)體功率器件設(shè)計公司之一、是國內(nèi)唯一一家完全基于8英、12英寸芯片工藝平臺開發(fā)設(shè)計MOSFET和IGBT產(chǎn)品的功率半導(dǎo)體設(shè)計類企業(yè)。同時，公司與華虹半導(dǎo)體等上游代工廠以及長電科技、安靠技術(shù)等封測供應(yīng)商維持穩(wěn)固的合作關(guān)系，公司合作項目華虹無錫12寸晶圓廠已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，預(yù)計未來2年將有較大的產(chǎn)能擴(kuò)充，產(chǎn)能供應(yīng)可以得到保證，具備突出的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢。通過多年的研發(fā)積累和技術(shù)引進(jìn)，公司在技術(shù)水平、生產(chǎn)工藝和產(chǎn)品質(zhì)量等方面已接近國際先進(jìn)水平，部分產(chǎn)品的參數(shù)性能及送樣表現(xiàn)與國外一線品牌同類產(chǎn)品基本相當(dāng)，具有較強(qiáng)的進(jìn)口替代優(yōu)勢，成長動力十足。

產(chǎn)品矩陣和結(jié)構(gòu)持續(xù)改善，第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域突破不斷。

公司繼續(xù)積極投入研發(fā)，公司已經(jīng)建立完善的MOSFET產(chǎn)品矩陣，技術(shù)實(shí)力領(lǐng)先，是國內(nèi)少數(shù)幾家能夠研發(fā)設(shè)計并量產(chǎn)先進(jìn)的屏蔽柵MOSFET和超級結(jié)MOSFET的廠家之一。目前，以SiC與GaN等材料為代表的第三代半導(dǎo)體由于其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而受到行業(yè)關(guān)注。根據(jù)TrendForce集邦咨詢的預(yù)測，2021年SiC器件于功率領(lǐng)域營收可達(dá)6.8億美元，年增32%，GaN通訊及功率器件營收為6.8億，年增30.8%。由于第三代半導(dǎo)體屬于新興領(lǐng)域，通過資本和技術(shù)積累，依托國家政策扶持，公司有望抓住機(jī)遇，搶占未來市場。目前，公司在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域已獲得6項專利授權(quán)，一項國際發(fā)明專利受理中，預(yù)計公司將陸續(xù)推出SiC二極管系列產(chǎn)品與GaN系列產(chǎn)品，從而進(jìn)一步完善功率半導(dǎo)體品類。

持續(xù)研發(fā)并加強(qiáng)自主封測，進(jìn)一步完善產(chǎn)業(yè)鏈，夯實(shí)競爭壁壘。

2020年度，公司研發(fā)投入進(jìn)一步加大，當(dāng)年研發(fā)投入總額為5,173.04萬元，較去年同期增長49.96%，占營業(yè)收入的比例為5.42%。公司專注研發(fā)，利用募投項目進(jìn)行“超低能耗高可靠性半導(dǎo)體功率器件研發(fā)升級及產(chǎn)業(yè)化”及第三代半導(dǎo)體功率器件項目建設(shè)，為公司產(chǎn)品高端化和長期發(fā)展奠定基礎(chǔ)。同時，公司已自建封測產(chǎn)線，加強(qiáng)對功率半導(dǎo)體核心封測環(huán)節(jié)的控制，形成與設(shè)計環(huán)節(jié)的協(xié)同優(yōu)化，為公司長期發(fā)展提供保障。

盈利預(yù)測及投資建議

在行業(yè)高景氣下，我們認(rèn)為國內(nèi)MOSFET、IGBT市場空間廣闊，未來汽車電子、5G通信、工業(yè)電子和新能源行業(yè)的興起將助推功率半導(dǎo)體器件加速爆發(fā)，在半導(dǎo)體國產(chǎn)化加速替代的背景下，公司作為國內(nèi)MOSFET行業(yè)龍頭之一，2021年業(yè)績將保持高速增長。

風(fēng)險提示：競爭加劇風(fēng)險;疫情蔓延不斷加劇;宏觀經(jīng)濟(jì)大幅下滑風(fēng)險。