天風(fēng)證券：華虹半導(dǎo)體(01347)Q2業(yè)績(jī)向好 分立器件&MCU為業(yè)績(jī)持續(xù)增長(zhǎng)提供強(qiáng)勁動(dòng)力

本文來(lái)自“天風(fēng)證券”，本文觀點(diǎn)不代表智通財(cái)經(jīng)觀點(diǎn)。

事件

華虹半導(dǎo)體(01347)發(fā)布2019上半年及二季度財(cái)報(bào)，H1營(yíng)收4.5億美元，同比增長(zhǎng)2.5%，Q2營(yíng)收2.3億美元，同比持平，環(huán)比增長(zhǎng)4.2%，符合前期指引；H1毛利率同比下降1.3個(gè)pct至31.6%，Q2毛利率31%，超出此前30%的指引；H1產(chǎn)能由去年同期的17.2萬(wàn)片/月上升至17.5萬(wàn)片/月，資本開(kāi)支由1.156億美元增加至3.333億美元。Q3指引：營(yíng)收2.38億美元(同比-1.33%，環(huán)比3.48%)，毛利率31%(同比-3pct，環(huán)比持平)。

點(diǎn)評(píng)：上半年?duì)I收實(shí)現(xiàn)同比增長(zhǎng)，Q2業(yè)績(jī)向好；產(chǎn)能利用率回暖，預(yù)計(jì)下半年業(yè)績(jī)好于上半年。

受較高庫(kù)存的影響，2019H1晶圓代工普遍表現(xiàn)不佳，而公司在H1能實(shí)現(xiàn)2.5%的同比增速(主要由于銷售均價(jià)上升)，其供應(yīng)鏈管理能力、銷售策略靈活度及特色工藝優(yōu)勢(shì)可見(jiàn)一斑。Q2毛利率由于折舊成本上升，環(huán)比同比均下滑，但也超出前期指引1個(gè)pct，主要是由于產(chǎn)能利用率的回升超預(yù)期，回到了90%以上。對(duì)于產(chǎn)能利用率的回暖、上半年產(chǎn)能的提升及資本開(kāi)支的翻倍增長(zhǎng)，我們認(rèn)為主要是模擬與電源管理部分需求的大幅增長(zhǎng)(Q2收入環(huán)比增長(zhǎng)近41%)及分立器件(超級(jí)結(jié)、IGBT、通用MOSFET)和未來(lái)智能控制應(yīng)用趨勢(shì)帶來(lái)的MCU需求增加所帶來(lái)對(duì)特色工藝需求的提升，相關(guān)成果有望在下半年的業(yè)績(jī)上體現(xiàn)。公司基本面持續(xù)向好，預(yù)計(jì)下半年的表現(xiàn)好于上半年；同時(shí)考慮到產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇的趨勢(shì)和目前相對(duì)較低的PB，我們堅(jiān)定推薦。

分立器件及MCU為公司業(yè)績(jī)持續(xù)增長(zhǎng)提供強(qiáng)勁動(dòng)力。

新能源汽車產(chǎn)量進(jìn)一步提升和汽車的智能化程度提高，分立器件&MCU特色工藝需求穩(wěn)定增加。分立器件方面，公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化，單價(jià)上升：高壓功率分立器件(DT(深槽)-SJNFET、IGBT等)產(chǎn)能配比增加，其中DT(深槽)-SJNFET產(chǎn)能創(chuàng)新高。MCU方面，因應(yīng)未來(lái)智能控制應(yīng)用趨勢(shì)造成MCU需求的增加，公司持續(xù)推動(dòng)對(duì)嵌入式NVM技術(shù)的優(yōu)化與業(yè)務(wù)拓展，2019H1嵌入式閃存MCU出貨及平均單價(jià)同比均增長(zhǎng)；同時(shí)，0.11微米嵌入式閃存MCUNTO(新產(chǎn)品)數(shù)量也持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。我們預(yù)計(jì)隨著新能源汽車的滲透和汽車智能化技術(shù)未來(lái)的提升，分立器件及MCU未來(lái)需求持續(xù)增長(zhǎng)，為公司特色工藝需求注入強(qiáng)勁動(dòng)能。

5G、物聯(lián)網(wǎng)帶來(lái)特色工藝長(zhǎng)期持續(xù)性需求，公司具有技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

從長(zhǎng)期看，5G的落地和物聯(lián)網(wǎng)的普及，下游終端如手機(jī)、白色家電等對(duì)于采用特色工藝為主的射頻器件、功率IC、OSD產(chǎn)品會(huì)有長(zhǎng)期持續(xù)性的需求，而新技術(shù)和新場(chǎng)景的出現(xiàn)也會(huì)對(duì)相關(guān)產(chǎn)品的性能有更高的要求，特色工藝的可作為空間很大。公司目前55納米邏輯與射頻CMOS技術(shù)、90納米嵌入式閃存技術(shù)與90納米BCD技術(shù)前期研發(fā)順利，不斷造就技術(shù)護(hù)城河，在把握新技術(shù)帶來(lái)的機(jī)會(huì)上有一定的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

華虹無(wú)錫項(xiàng)目如期進(jìn)行，產(chǎn)能與潔凈室已完成建設(shè)，有望在Q4試生產(chǎn)。

公司根據(jù)市場(chǎng)研究與技術(shù)評(píng)估情況，通過(guò)了開(kāi)發(fā)12寸功率器件工藝方案，確定了華虹無(wú)錫12寸項(xiàng)目IC+Power的規(guī)劃。如前期規(guī)劃，公司潔凈室在Q2已通過(guò)認(rèn)證，且大部分設(shè)備已移入裝機(jī)，第一批1萬(wàn)片產(chǎn)能所需的大部分機(jī)器設(shè)備已經(jīng)搬入，目前正處于安裝和測(cè)試階段。將于本年Q4試生產(chǎn)12英寸晶圓，開(kāi)始產(chǎn)能爬坡。12寸功率器件工藝、產(chǎn)能與技術(shù)的提升可使公司更好的服務(wù)國(guó)內(nèi)與海外客戶，擴(kuò)大公司在功率器件，特別是中高壓功率器件的行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。受較高庫(kù)存的影響，上半年產(chǎn)能利用率整體不高，將對(duì)19-20年EPS的預(yù)期從1.3、1.7港元/股略微下調(diào)至1.17、1.53港元/股；基于分立器件及MCU良好的預(yù)期，公司領(lǐng)先的特色工藝技術(shù)和新項(xiàng)目進(jìn)度，維持“增持”評(píng)級(jí)。

風(fēng)險(xiǎn)提示：分立器件/MCU需求不及預(yù)期；12英寸項(xiàng)目未能如期量產(chǎn)；中美經(jīng)貿(mào)關(guān)系不確定性