中泰證券：三大原廠已開啟軍備競(jìng)賽 國(guó)內(nèi)HBM產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)標(biāo)的有望受益

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，中泰證券發(fā)布研究報(bào)告指出，AI芯片需要處理大量并行數(shù)據(jù)，要求高算力和大帶寬，算力越強(qiáng)、每秒處理數(shù)據(jù)的速度越快，而帶寬越大、每秒可訪問(wèn)的數(shù)據(jù)越多，算力強(qiáng)弱主要由AI芯片決定，帶寬由存儲(chǔ)器決定，存力是限制AI芯片性能的瓶頸之一。目前HBM供不應(yīng)求，三大原廠已開啟軍備競(jìng)賽，三大原廠一方面擴(kuò)產(chǎn)滿足市場(chǎng)需求、搶占份額，海力士和三星24年HBM產(chǎn)能均提升2倍+。

投資建議：

HBM海外引領(lǐng)，核心標(biāo)的如下：1)存儲(chǔ)原廠：海力士/三星/美光；2)設(shè)備：BESI/ASMPT/Camtek等。

中國(guó)內(nèi)地HBM產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)標(biāo)的：1)存儲(chǔ)：香農(nóng)芯創(chuàng)(300475.SZ)/佰維存儲(chǔ)(688525.SH)/雅創(chuàng)電子(301099.SZ)等；2)設(shè)備：賽騰股份(603283.SH)/精智達(dá)(688627.SH)/新益昌(688383.SH)等；3)材料：華海誠(chéng)科(688535.SH)/雅克科技(002409.SZ)/聯(lián)瑞新材(688300.SH)/興森科技(002436.SZ)/深南電路(002916.SZ)等；4)封測(cè)：通富微電(002156.SZ)/深科技(000021.SZ)/長(zhǎng)電科技(600584.SH)等。

中泰證券主要觀點(diǎn)如下：

AI硬件核心是算力和存力，HBM高帶寬、低功耗優(yōu)勢(shì)顯著，是算力性能發(fā)揮的關(guān)鍵

AI芯片需要處理大量并行數(shù)據(jù)，要求高算力和大帶寬，算力越強(qiáng)、每秒處理數(shù)據(jù)的速度越快，而帶寬越大、每秒可訪問(wèn)的數(shù)據(jù)越多，算力強(qiáng)弱主要由AI芯片決定，帶寬由存儲(chǔ)器決定，存力是限制AI芯片性能的瓶頸之一。AI芯片需要高帶寬、低能耗，同時(shí)在不占用面積的情況下可以擴(kuò)展容量的存儲(chǔ)器。

HBM是GDDR的一種，定位在處理器片上緩存和傳統(tǒng)DRAM之間，兼顧帶寬和容量，較其他存儲(chǔ)器有高帶寬、低功耗、面積小的三大特點(diǎn)，契合AI芯片需求。HBM不斷迭代，從HBM1目前最新到HBM3E，迭代方向是提高容量和帶寬，容量可以通過(guò)堆疊層數(shù)或增加單層容量獲得提升，帶寬提升主要是通過(guò)提升I/O速度。

HBM市場(chǎng)爆發(fā)式增長(zhǎng)，海力士和三星壟斷市場(chǎng)

目前主流AI訓(xùn)練芯片均使用HBM，一顆GPU配多顆HBM，如英偉達(dá)1顆H100使用5顆HBM3、容量80GB，23年底發(fā)布的H200使用6顆HBM3E(全球首顆使用HBM3E的GPU)、容量達(dá)144GB，3月18日，英偉達(dá)在美國(guó)加州圣何塞召開了GTC2024大會(huì)發(fā)布的B100和B200使用192GB(8個(gè)24GB8層HBM3E)，英偉達(dá)GPU HBM用量提升，另外AMD的MI300系列、谷歌的TPU系列均使用HBM。

根據(jù)中泰證券測(cè)算，預(yù)計(jì)24年HBM市場(chǎng)需求達(dá)150億美金，較23年翻倍。HBM的供應(yīng)由三星、海力士和美光三大原廠壟斷，22年海力士/三星/美光份額50%/40%/10%，海力士是HBM先驅(qū)，HBM3全球領(lǐng)先，與英偉達(dá)強(qiáng)綁定、是英偉達(dá)主要HBM供應(yīng)商，三星緊隨其后，美光因技術(shù)路線判斷失誤份額較低，目前追趕中，HBM3E進(jìn)度直逼海力士。

目前HBM供不應(yīng)求，三大原廠已開啟軍備競(jìng)賽，三大原廠一方面擴(kuò)產(chǎn)滿足市場(chǎng)需求、搶占份額，海力士和三星24年HBM產(chǎn)能均提升2倍+，另外三大原廠加速推進(jìn)下一代產(chǎn)品HBM3E量產(chǎn)以獲先發(fā)優(yōu)勢(shì)，海力士3月宣布已開始量產(chǎn)8層HBM3E，3月底開始發(fā)貨，美光跳過(guò)HBM3直接做HBM3E，2月底宣布量產(chǎn)8層HBM3E，三星2月底發(fā)布12層HBM3E。

先進(jìn)封裝大放異彩，設(shè)備和材料新增量

HBM采用3D堆疊結(jié)構(gòu)，多片HBM DRAM Die堆疊在Logic Die上，Die之間通過(guò)TSV和凸點(diǎn)互連，先進(jìn)封裝技術(shù)TSV、凸點(diǎn)制造、堆疊鍵合是HBM制備的關(guān)鍵，存儲(chǔ)原廠采用不同的堆疊鍵合方式，海力士采用MR-MUF工藝，三星和美光采用TCB工藝，MR-MUF工藝較TCB工藝效率更高、散熱效果更好。HBM對(duì)先進(jìn)封裝材料的需求帶動(dòng)主要體現(xiàn)在TSV、凸點(diǎn)制造和堆疊鍵合/底填工藝上，帶來(lái)對(duì)環(huán)氧塑封料、硅微粉、電鍍液和前驅(qū)體用量等的提升，在設(shè)備端HBM帶來(lái)熱壓鍵合機(jī)、大規(guī)?；亓骱笝C(jī)和混合鍵合機(jī)等需求。

風(fēng)險(xiǎn)提示：行業(yè)需求不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)、大陸廠商技術(shù)進(jìn)步不及預(yù)期、技術(shù)路線發(fā)生分歧、研報(bào)使用的信息更新不及時(shí)的風(fēng)險(xiǎn)，計(jì)算結(jié)果存在與實(shí)際情況偏差的風(fēng)險(xiǎn)。