開源證券：當(dāng)前HBM供不應(yīng)求 NAND閃存價(jià)格二季度有望上漲15%-20%

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，開源證券發(fā)布研究報(bào)告稱，近日，美光科技發(fā)布最新財(cái)報(bào)，其表現(xiàn)遠(yuǎn)超預(yù)期，實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁復(fù)蘇；在指引方面，美光HBM3E將供應(yīng)Nvidia H200 GPU，目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。目前來看，美光2024年HBM已經(jīng)售罄，2025年產(chǎn)能也已近乎分配完畢，產(chǎn)品供不應(yīng)求。NAND方面，三星電子計(jì)劃在2024年3-4月與主要手機(jī)、PC和服務(wù)器客戶重新談價(jià)，預(yù)計(jì)將推動(dòng)NAND閃存價(jià)格上漲15%-20%。隨著板塊持續(xù)復(fù)蘇，以及HBM和DDR5等產(chǎn)品的需求增長，相關(guān)公司有望充分受益。

開源證券主要觀點(diǎn)如下：

大廠業(yè)績：FY2024Q2美光業(yè)績遠(yuǎn)超預(yù)期，HBM3E成功導(dǎo)入英偉達(dá)

美光科技發(fā)布最新財(cái)報(bào)，F(xiàn)Y2024Q2實(shí)現(xiàn)營收58.24億美元(此前指引51~55億美元)，同比+58%，環(huán)比+23%；毛利率20%(Non-GAAP，此前指引11.5%~14.5%)，同比+51.4pcts，環(huán)比+19.2pcts；凈利潤(Non-GAAP)4.76億美元，同比+20.57億美元，環(huán)比+15.24億美元，表現(xiàn)遠(yuǎn)超預(yù)期，實(shí)現(xiàn)強(qiáng)勁復(fù)蘇。

指引方面，F(xiàn)Y2024Q3公司預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)營收64~68億美元，中值同比+73.68%，環(huán)比+13.32%；毛利率25%~28%，中值同比+42.5pcts，環(huán)比+6.5pcts，指引持續(xù)樂觀。HBM方面，美光HBM3E將供應(yīng)Nvidia H200 GPU，目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，后續(xù)有望拉動(dòng)公司毛利率水平，于2024年貢獻(xiàn)數(shù)億美元營收。目前來看，美光2024年HBM已經(jīng)售罄，2025年產(chǎn)能也已近乎分配完畢，產(chǎn)品供不應(yīng)求。

DRAM： 2024年訂單量持續(xù)攀升，HBM供不應(yīng)求

總產(chǎn)能方面，據(jù)集邦咨詢，截至2024年底，整體DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)劃生產(chǎn)HBM TSV的產(chǎn)能約為250K/m，占總DRAM產(chǎn)能(約1,800K/m)約14%，原廠持續(xù)加大投入，供給位元年增長率有望高達(dá)260%。占比方面，HBM需求持續(xù)旺盛，2024年訂單已基本被買家鎖定，占DRAM總產(chǎn)值比重有望從2023年的8.4%提升至2024年的20.1%，成長迅速。

分廠商來看，三星、SK海力士至2024年年底的產(chǎn)能規(guī)劃最積極，三星HBM總產(chǎn)能至年底將達(dá)約130K/m(含TSV)；SK海力士約120K/m。以現(xiàn)階段主流產(chǎn)品HBM3產(chǎn)品來看，目前SK海力士市占率超90%，而三星將隨著AMD MI300逐季放量來實(shí)現(xiàn)追趕。

NAND：稼動(dòng)率逐步提升， Q2有望漲價(jià)15-20%

稼動(dòng)率方面，據(jù)閃德資訊報(bào)道，隨著庫存調(diào)整和智能手機(jī)市場需求轉(zhuǎn)好，三星西安NAND閃存廠稼動(dòng)率正持續(xù)提升，目前已達(dá)70%；與此同時(shí)，鎧俠計(jì)劃在3月內(nèi)將NAND稼動(dòng)率提升至90%，大廠近期稼動(dòng)率調(diào)升動(dòng)作頻繁，反應(yīng)需求正逐步向好。價(jià)格方面，近期部分廠商透露漲價(jià)意愿，慧榮科技表示2024Q2 NAND價(jià)格預(yù)計(jì)上漲20%，三星電子計(jì)劃在2024年3-4月與主要手機(jī)、PC和服務(wù)器客戶重新談價(jià)，預(yù)計(jì)將推動(dòng)NAND閃存價(jià)格上漲15%-20%。

受益標(biāo)的：

開源證券指出，隨著板塊持續(xù)復(fù)蘇，以及HBM和DDR5等產(chǎn)品的需求增長，相關(guān)公司有望充分受益。

(1)存儲(chǔ)芯片：兆易創(chuàng)新(603986.SH)、普冉股份(688766.SH)、東芯股份(688110.SH)、北京君正(300223.SZ)等。

(2)存儲(chǔ)模組：江波龍(301308.SZ)、德明利(001309.SZ)、協(xié)創(chuàng)數(shù)據(jù)(300857.SZ)、佰維存儲(chǔ)(688525.SH)等。

(3)存儲(chǔ)接口：瀾起科技(688008.SH)、聚辰股份(688123.SH)等。

(4)存儲(chǔ)封測及HBM產(chǎn)業(yè)鏈：長電科技(600584.SH)、通富微電(002156.SZ)、華天科技(002185.SZ)、香農(nóng)芯創(chuàng)(300475.SZ)等。

風(fēng)險(xiǎn)提示：需求復(fù)蘇不及預(yù)期，行業(yè)競爭加劇，公司新品研發(fā)進(jìn)度不及預(yù)期。