三星電子(SSNLF.US)：今年先進(jìn)芯片封裝業(yè)務(wù)營(yíng)收將達(dá)到或超過(guò)1億美元

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，三星電子(SSNLF.US)聯(lián)席首席執(zhí)行官Kye-Hyun Kyung在周三舉行的年度股東大會(huì)上表示，預(yù)計(jì)今年先進(jìn)芯片封裝業(yè)務(wù)的營(yíng)收將達(dá)到或超過(guò)1億美元。三星電子在去年將先進(jìn)芯片封裝業(yè)務(wù)設(shè)為事業(yè)部，并預(yù)計(jì)從今年下半年開始該公司的投資將得到真正的結(jié)果。

Kye-Hyun Kyung還表示，三星電子的存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)今年的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)比市場(chǎng)份額更大的利潤(rùn)份額。數(shù)據(jù)提供商TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，去年第四季度，三星電子在用于科技設(shè)備的DRAM芯片市場(chǎng)的份額達(dá)到45.5%。

據(jù)悉，三星電子在2月底表示，已開發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲(chǔ)芯片(HBM)。三星電子表示，最新的HBM3E 12H產(chǎn)品將HBM3E DRAM芯片堆疊至12層，是迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品。據(jù)悉，HBM3E 12H支持全天候最高帶寬達(dá)1280GB/s，產(chǎn)品容量也達(dá)到了36GB;相比三星電子8層堆疊的HBM3 8H，HBM3E 12H在帶寬和容量上大幅提升超過(guò)50%。

三星電子表示，已經(jīng)開始向客戶提供HBM3E 12H的樣品，并計(jì)劃在今年上半年批量生產(chǎn)該產(chǎn)品，確保該公司在人工智能需求急劇增加的背景下在高端存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

Kye-Hyun Kyung表示，下一代HBM產(chǎn)品——HBM4——可能在2025年發(fā)布，具有更多定制設(shè)計(jì)。三星電子將利用存儲(chǔ)芯片、芯片代工和芯片設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)集中在一起的優(yōu)勢(shì)來(lái)滿足客戶需求。

在回答股東關(guān)于三星電子最近在當(dāng)前HBM市場(chǎng)上與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士相比遭遇的挫折的問題時(shí)，Kye-Hyun Kyung表示：“我們已經(jīng)做好了更好的準(zhǔn)備，以防止未來(lái)再次發(fā)生這種情況。”

Kye-Hyun Kyung還補(bǔ)充稱：“三星電子期待計(jì)算快速鏈接(CXL)和內(nèi)存處理(PIM)等正在開發(fā)的其他用于人工智能的內(nèi)存產(chǎn)品很快就能取得實(shí)際成果。”