國(guó)泰君安：AI 算力拉動(dòng)HBM需求井噴 國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈有望受益

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，國(guó)泰君安發(fā)布研究報(bào)告稱，受AI 算力需求拉動(dòng)，中長(zhǎng)期HBM 年需求增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)40%。海力士將投資10億美元發(fā)展HBM，至2024 年底，海力士HBM產(chǎn)能將翻倍，2030 年出貨量有望達(dá)到1 億顆。三星HBM 將投資7000-10000 億韓元投資新封裝線，預(yù)計(jì)2024 年出貨量將提升2.5 倍。該行認(rèn)為AI 算力拉動(dòng)HBM 量產(chǎn)，海力士HBM3E 預(yù)計(jì)2024 年3 月量產(chǎn)，看好國(guó)內(nèi)先進(jìn)封裝及配套設(shè)備及材料產(chǎn)業(yè)鏈。

投資建議：持續(xù)推薦先進(jìn)封裝相關(guān)標(biāo)的：通富微電(002156.SZ)、長(zhǎng)電科技(600584.SH)、甬矽電子(688362.SH)、偉測(cè)科技(688372.SH); 先進(jìn)封裝設(shè)備標(biāo)的： 拓荊科技(688072.SH)( 鍵合設(shè)備+PECVD)，芯源微(688037.SH)(鍵合與解鍵合)、新益昌(688383.SH)(固晶設(shè)備)、光力科技(300480.SZ)(劃片機(jī))。相關(guān)受益標(biāo)的：華海清科(688120.SH)、華海誠科(688535.SH)、聯(lián)瑞新材(688300.SH)。

國(guó)泰君安觀點(diǎn)如下：

HBM 加快量產(chǎn)步伐，海力士HBM3E 預(yù)計(jì)2024 年3 月量產(chǎn)。

高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)通過TSV硅通孔、微凸塊等先進(jìn)封裝技術(shù)將多個(gè)DRAM垂直堆疊，與GPU通過中介層互聯(lián)封裝，在較小空間里實(shí)現(xiàn)高帶寬、高容量、低延時(shí)、低功耗，成為高性能AI 算力需求下必經(jīng)之路。HBM 技術(shù)至今已發(fā)展至第4 代(HBM1、HBM2、HBM2 E、HBM3)。英偉達(dá)新一代AI 算力芯片H200 將搭載首款海力士HBM3E。據(jù)海力士，HBM3E 最高帶寬1.18 TB/s，比HBM3 快30%，數(shù)據(jù)容量高40%，傳熱速率高10%，預(yù)計(jì)2024 年3 月量產(chǎn)。此外，三星HBM3E 順利通過客戶驗(yàn)證，預(yù)計(jì)2024H2 量產(chǎn)，美光則跳過HBM3，HBM3E 預(yù)計(jì)也將于2024H2 開始向英偉達(dá)供貨。

海力士HBM3E 采用MR-MUF 先進(jìn)工藝，預(yù)計(jì)HBM4 將使用混合鍵合工藝。

HBM 封裝廣泛采用TCB 熱壓鍵合的方式進(jìn)行堆疊，從芯片頂部發(fā)加熱，僅芯片和Bump 焊接連接處會(huì)發(fā)熱，避免了下方基板翹曲問題，適用于極薄的芯片(~30μm)堆疊。海力士HBM2采用TC-NCF(Thermal Compression – Non Conductive Film，熱壓-非導(dǎo)電膜)的方式，預(yù)先沉積一層非導(dǎo)電膜控制翹曲，再進(jìn)行熱壓鍵合，堆疊層數(shù)為4/8 層，相對(duì)熱指數(shù)為1。而從HBM3 開始，海力士采用MR-MUF 工藝(Mass Reflow-Molded Underfill，回流毛細(xì)管填充)，回到傳統(tǒng)倒裝芯片大規(guī)?；亓骱腹に?，提高量產(chǎn)吞吐量，將液態(tài)環(huán)氧塑封料一次性注入堆疊好的芯片孔隙，實(shí)現(xiàn)低壓填充并粘結(jié)。HBM3E 焊接高度預(yù)計(jì)降低至13μm，堆疊層數(shù)實(shí)現(xiàn)8/12 層，相對(duì)熱指數(shù)降低至0.5。海力士宣布HBM4 將采用混合鍵合工藝，在高度潔凈平坦表面形成直接Cu-Cu 鍵合，間距能低至數(shù)微米，實(shí)現(xiàn)最高16 層的堆疊。HBM4 預(yù)計(jì)將于2026 年量產(chǎn)。

AI 算力拉動(dòng)HBM需求井噴，國(guó)內(nèi)供應(yīng)鏈有望受益。

受AI 算力需求拉動(dòng)，中長(zhǎng)期HBM 年需求增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)40%。海力士將投資10億美元發(fā)展HBM，至2024 年底，海力士HBM產(chǎn)能將翻倍，2030 年出貨量有望達(dá)到1 億顆。三星HBM 將投資7000-10000 億韓元投資新封裝線，預(yù)計(jì)2024 年出貨量將提升2.5 倍。

風(fēng)險(xiǎn)提示：AI 產(chǎn)業(yè)發(fā)展不及預(yù)期;國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程不及預(yù)期;國(guó)際局勢(shì)不穩(wěn)定。