民生證券：AI催化HBM需求大幅提升 相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)有望受益

智通財經(jīng)APP獲悉，民生證券發(fā)布研究報告稱，最新的HBM3E產(chǎn)品可提供超過1TB/s的數(shù)據(jù)帶寬，具有8Gb/s的I/O速率，緩解了因內(nèi)存部件延遲而阻礙算力增長的問題。受益AI需求催化，HBM用量需求大幅提升，TrendForce以bit為計算基礎(chǔ)，推算HBM目前約占整個DRAM市場的1.5%，預(yù)計2023年全球HBM需求量將年增58%。該行認(rèn)為AI催化HBM高景氣，需求快速增長，目前海力士占據(jù)絕對份額，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)有望受益，同時國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈也在快速跟進(jìn)。

建議關(guān)注：1)材料：雅克科技(002409.SZ)、聯(lián)瑞新材(688300.SH)、華海誠科(688535.SH)、神工股份(688233.SH)等;2)設(shè)備：北方華創(chuàng)(002371.SZ)、中微公司(688012.SH)等;3)封測：深科技(000021.SZ)等;4)代理商：香農(nóng)芯創(chuàng)(300475.SZ)、雅創(chuàng)電子(301099.SZ)、商絡(luò)電子(300975.SZ)等。

民生證券主要觀點(diǎn)如下：

AI服務(wù)器高帶寬，催生HBM需求。

處理器性能不斷提升，“內(nèi)存墻”成為計算機(jī)系統(tǒng)的瓶頸，而HBM通過3D堆?？商峁└叩膬?nèi)存帶寬和更低的能耗，適用于高存儲帶寬需求的應(yīng)用場合，如HPC、網(wǎng)絡(luò)交換設(shè)備等。最新的HBM3E產(chǎn)品可提供超過1TB/s的數(shù)據(jù)帶寬，具有8Gb/s的I/O速率，緩解了因內(nèi)存部件延遲而阻礙算力增長的問題。受益AI需求催化，HBM用量需求大幅提升，TrendForce以bit為計算基礎(chǔ)，推算HBM目前約占整個DRAM市場的1.5%，預(yù)計2023年全球HBM需求量將年增58%，達(dá)到2.9億GB，2024年將再增長30%。不過由于HBM高門檻，目前僅海力士、三星和美光穩(wěn)定供應(yīng)，據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，2022年三者份額分別為50%、40%、10%。其中海力士占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢，更于2023年5月率先推出了HBM3E，宣布將于2023年下半年發(fā)布樣品，2024 年上半年投入生產(chǎn)。

HBM拉動上游設(shè)備及材料用量需求提升。

設(shè)備端：TSV和晶圓級封裝需求增長。由于獨(dú)特的3D堆疊結(jié)構(gòu)，HBM芯片為上游設(shè)備帶來了新的增量：前道環(huán)節(jié)，HBM需要通過TSV來進(jìn)行垂直方向連接，增加了TSV刻蝕設(shè)備需求;中段環(huán)節(jié)，HBM帶來了更多的晶圓級封裝設(shè)備需求;后道環(huán)節(jié)，HBM的多芯片堆疊帶來die bond設(shè)備和測試設(shè)備需求增長。

材料端：具體拆解HBM來看，每個HBM封裝內(nèi)部都堆疊了多層DRAM Die，各層DRAM Die之間以硅通孔(TSV)和微凸塊(microbump)連接，最后連接到下層的HBM控制器的邏輯die。因此HBM的獨(dú)特性主要體現(xiàn)在堆疊與互聯(lián)上。對于制造材料：HBM核心之一在于堆疊，HBM3更是實現(xiàn)了12層核心Die的堆疊，多層堆疊對于制造材料尤其是前驅(qū)體的用量成倍提升，制造材料核心廠商包括：雅克科技、神工股份等;對于封裝材料：HBM將帶動TSV和晶圓級封裝需求增長，而且對封裝高度、散熱性能提出更高要求，封裝材料核心廠商包括：聯(lián)瑞新材、華海誠科、飛凱材料等。

風(fēng)險提示：下游AI發(fā)展不及預(yù)期;產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)發(fā)展進(jìn)度不及預(yù)期