華金證券：國(guó)內(nèi)外廠商加速布局氮化鎵市場(chǎng) 關(guān)注供應(yīng)鏈完整的相關(guān)產(chǎn)業(yè)龍頭廠商

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，華金證券發(fā)布研究報(bào)告稱，據(jù)韓國(guó)媒體BusinessKorea報(bào)導(dǎo)，三星電子即將進(jìn)軍氮化鎵(GaN)市場(chǎng)，目的是為滿足汽車領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體需求。GaN作為一種寬禁帶材料，和硅等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料相比，能夠在更高壓、更高頻、更高溫度環(huán)境下運(yùn)行。與SiC相比，GaN在成本方面表現(xiàn)出更強(qiáng)潛力。據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，GaN功率器件規(guī)模有望超13億美元，國(guó)內(nèi)外廠商加速布局。建議關(guān)注國(guó)內(nèi)研發(fā)能力強(qiáng)，供應(yīng)鏈完整且布局氮化鎵相關(guān)產(chǎn)業(yè)龍頭廠商。

事件：根據(jù)韓國(guó)媒體BusinessKorea報(bào)導(dǎo)，三星電子即將進(jìn)軍氮化鎵(GaN)市場(chǎng)，目的是為滿足汽車領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體需求。三星電子近期在韓國(guó)、美國(guó)舉辦的“2023三星晶圓代工論壇”活動(dòng)宣布，將在2025年起，為消費(fèi)級(jí)、資料中心和汽車應(yīng)用提供8寸氮化鎵晶圓代工服務(wù)。

華金證券主要觀點(diǎn)如下：

成本潛力更強(qiáng)且易集成其他半導(dǎo)體器件，可同時(shí)涵蓋射頻和功率領(lǐng)域。

GaN作為一種寬禁帶材料，和硅等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料相比，能夠在更高壓、更高頻、更高溫度環(huán)境下運(yùn)行。與SiC相比，GaN在成本方面表現(xiàn)出更強(qiáng)潛力，且GaN器件為平面器件，與現(xiàn)有Si半導(dǎo)體工藝兼容性強(qiáng)，使其更易與其他半導(dǎo)體器件集成，GaN可同時(shí)涵蓋射頻及功率領(lǐng)域，在高功率及高頻率領(lǐng)域應(yīng)用效果出色。根據(jù)TrendForce預(yù)測(cè)，GaN功率應(yīng)用市場(chǎng)中，2025年消費(fèi)電子領(lǐng)域占比最高(61%)，新能源汽車占比由1%上升至2025年的17%，電信及數(shù)據(jù)中心、工業(yè)、其他等領(lǐng)域2025年占比分別為16%、4%、2%。

前端PFC電路中采用GaN電力電子器件及基于GaN高頻無線感應(yīng)充電，有望成為GaN功率產(chǎn)品在消費(fèi)電子領(lǐng)域新增長(zhǎng)點(diǎn)。

2021年GaN快充作為手機(jī)標(biāo)配已成為市場(chǎng)主流，百瓦級(jí)GaN快充產(chǎn)品增加。通過PFC+LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，百瓦級(jí)GaN快充以SiC二極管搭配GaN開關(guān)管，同時(shí)實(shí)現(xiàn)提高使用效率與縮減體積，受到廣大廠商推崇。此外，在大功率快充產(chǎn)品前端PFC電路中采用GaN器件，及研發(fā)基于GaN高頻無線感應(yīng)充電產(chǎn)品提升無線充電性能，有望成為未來GaN功率產(chǎn)品在消費(fèi)電子領(lǐng)域新增長(zhǎng)點(diǎn)。根據(jù)CASAResearch數(shù)據(jù)，2021年國(guó)內(nèi)PD快充用GaN電力電子器件市場(chǎng)規(guī)模約6.5億元，預(yù)計(jì)2026年可達(dá)50億元，年均增速約50%，折算到上游晶圓(6英寸GaN-on-Si)需求量約為67.7萬片。

較硅基功率器件更節(jié)能，可應(yīng)用于多汽車部件。

在同等體積下，使用GaN材料車載充電器重量可大幅度下降，并提高逆變效率(在逆變過程中，消耗電路能耗下降)，在上述基礎(chǔ)上，汽車可維持相對(duì)較輕重量，同時(shí)提升逆變效率，可有效增加汽車?yán)m(xù)航里程。根據(jù)半導(dǎo)體投資聯(lián)盟數(shù)據(jù)，在逆變器領(lǐng)域，相較硅基功率器件，GaN可節(jié)能70%，可增加5%續(xù)航。根據(jù)集微咨詢分析，GaN芯片可應(yīng)用于新能源汽車激光雷達(dá)(100VGaN)、DC-DC48V/12V(100VGaN)、牽引逆變器(650V/900VGaN)、車載充電機(jī)(650V/900VGaN)、DC-DCHV(650V/900VGaN)等汽車部件。

GaN功率器件規(guī)模有望超13億美元，國(guó)內(nèi)外廠商加速布局。

根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，2022年全球GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模為1.8億美元，到2026年全球GaN功率器件有望達(dá)13.3億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)65%。面對(duì)龐大市場(chǎng)需求，眾多半導(dǎo)體廠商開始擴(kuò)充產(chǎn)線，加速布局GaN市場(chǎng)。國(guó)際廠商方面，英飛凌宣布以8.3億美元收購GaNSystems，并斥資20億歐元對(duì)碳化硅及氮化鎵進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn);DBHi-Tech目標(biāo)在2024年完成氮化鎵產(chǎn)品開發(fā)，2025年開始商業(yè)化生產(chǎn);BelGaN收購Onsemi位于比利時(shí)6英寸晶圓廠，計(jì)劃將其改造成氮化鎵代工廠。國(guó)內(nèi)企業(yè)方面，三安光電(600703.SH)、華潤(rùn)微(688396.SH)、英諾賽科、賽微電子(300456.SZ)、珠海鎵未來等廠商等加速布局氮化鎵并推進(jìn)產(chǎn)品落地和商用。

風(fēng)險(xiǎn)提示：宏觀經(jīng)濟(jì)形勢(shì)變化風(fēng)險(xiǎn)致使產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)艿經(jīng)_擊;氮化鎵研發(fā)進(jìn)度不及預(yù)期;氮化鎵在各下游領(lǐng)域滲透率不及預(yù)期。