光大證券：微導(dǎo)納米(688147.SH)為ALD 薄膜沉積領(lǐng)先設(shè)備廠商，TOPCon 擴(kuò)產(chǎn)元年訂單放量

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，光大證券發(fā)表最新研報(bào)表示，微導(dǎo)納米(688147.SH)依托 ALD 技術(shù)核心團(tuán)隊(duì)，專注先進(jìn)微納米薄膜沉積設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，構(gòu)建以 ALD 技術(shù)為核心，外拓 CVD 等多種鍍膜設(shè)備的產(chǎn)品體系，廣泛應(yīng)用于邏輯、存儲(chǔ)、高效光伏電池、新型顯示等領(lǐng)域，在半導(dǎo)體邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片的 HKMG 工藝、光伏正面氧化鋁鈍化層上具備較強(qiáng)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

光大證券研報(bào)寫(xiě)道，微導(dǎo)納米是國(guó)內(nèi)首家成功將量產(chǎn)型 TALD 設(shè)備應(yīng)用于 28nm 邏輯芯片 high-k 柵介質(zhì)層的設(shè)備廠，同時(shí)加快其他工藝段 TALD 與 PEALD 設(shè)備的研發(fā)驗(yàn)證，持續(xù)鞏固競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。作為國(guó)產(chǎn) Thermal ALD 設(shè)備佼佼者，差異化競(jìng)爭(zhēng)策略減少直接競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

此外，公司已有多臺(tái) ALD 設(shè)備在不同工藝段驗(yàn)證，后續(xù)批量重復(fù)訂單可期，CVD 系列設(shè)備以硬掩模工藝為切入點(diǎn)，部分產(chǎn)品目前處于客戶試樣驗(yàn)證階段。截至 2023年 4 月 25 日，公司今年新簽半導(dǎo)體設(shè)備訂單 2.42 億元，與 2022 年全年相當(dāng)。

該機(jī)構(gòu)表示，ALD 技術(shù)因獨(dú)特的自限性反應(yīng)而具有超薄均勻鍍膜、臺(tái)階覆蓋率高、保形性優(yōu)異的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，在 28nm 以下邏輯芯片三維鍍膜、高深寬比存儲(chǔ)芯片薄膜沉積中具有無(wú)可比擬地位。美國(guó)對(duì)華出口管制升溫，聯(lián)合日荷對(duì)華封鎖半導(dǎo)體先進(jìn)制程設(shè)備，釜底抽薪倒逼我國(guó)重視供應(yīng)鏈安全，下游晶圓廠國(guó)產(chǎn)設(shè)備驗(yàn)證意愿增強(qiáng)，打開(kāi)驗(yàn)證窗口，推動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化水平提高，芯片微縮化發(fā)展中 ALD 設(shè)備是先進(jìn)制程核心設(shè)備，利好在關(guān)鍵工藝領(lǐng)先的微導(dǎo)納米。

據(jù) SEMI 2021 年報(bào)告，CVD、PVD、ALD2020-2025 年市場(chǎng)規(guī)模年均復(fù)合增長(zhǎng)率分別為 8.5%、8.9%和 26.3%。鑒于ALD 為先進(jìn)制程關(guān)鍵設(shè)備，預(yù)計(jì)公司未來(lái)幾年復(fù)合增速超其他類型薄膜設(shè)備。

值得關(guān)注的是，TOPCon 擴(kuò)產(chǎn)元年，公司訂單大放量，儲(chǔ)備新電池設(shè)備技術(shù)以享受產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展紅利。目前公司 ALD 設(shè)備為正面 Al2O3 鈍化層主流制備技術(shù)，打破 PECVD 壟斷,在同類型產(chǎn)品中市占率全球第一，用于隧穿層與摻雜多晶硅層的 PEALD 二合一設(shè)備，SiNx 層的 PECVD 設(shè)備市場(chǎng)不斷打開(kāi)，與先導(dǎo)智能協(xié)同為客戶供應(yīng)整線。

23 年以來(lái) TOPCon 擴(kuò)產(chǎn)加速，截至 4 月 25 日公司今年新簽光伏訂單 20 億元，超 22 年末在手訂單。xBC 正面 Al2O3層實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，HJT 透明導(dǎo)電層處于開(kāi)發(fā)階段，鈣鈦礦封裝層已處于驗(yàn)證階段，有望在下一代光伏電池新技術(shù)量產(chǎn)前夕打入供應(yīng)鏈。

風(fēng)險(xiǎn)提示：新產(chǎn)品驗(yàn)證進(jìn)度不及預(yù)期，行業(yè)周期持續(xù)下行，國(guó)際貿(mào)易摩擦加劇。