開源證券：產(chǎn)業(yè)資本開支加速 助力國(guó)產(chǎn)碳化硅設(shè)備廠商突圍

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，開源證券發(fā)布研究報(bào)告稱，碳化硅晶圓和器件的制備基本工藝流程同硅基半導(dǎo)體基本一致，但部分工藝段使用專用設(shè)備，部分需要在硅設(shè)備基礎(chǔ)上加以改進(jìn)。根據(jù)梳理，目前長(zhǎng)晶設(shè)備已基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，其他各工藝環(huán)節(jié)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率在0%-20%之間，國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊。

受益標(biāo)的：(1)宇環(huán)數(shù)控(002903.SZ)：國(guó)內(nèi)稀缺的高端數(shù)控機(jī)床研發(fā)制造企業(yè)，以超硬材料機(jī)加工核心技術(shù)為基，切入碳化硅研磨設(shè)備。(2)快克股份(603203.SH)：深耕微電子封裝三十年，在二級(jí)封裝錫焊設(shè)備領(lǐng)域國(guó)內(nèi)第一、全球領(lǐng)先，向上切入一級(jí)封裝，納米銀燒結(jié)設(shè)備將打破海外壟斷。

▍開源證券主要觀點(diǎn)如下：

碳化硅是制作大功率、高頻、低損耗功率器件的最佳材料

與硅基半導(dǎo)體材料相比，碳化硅具備能量損耗低、封裝尺寸更小、可實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)以及耐高溫、散熱能力強(qiáng)的突出優(yōu)勢(shì)，適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，是新能源領(lǐng)域的理想材料。

新能源汽車、光伏、風(fēng)電等市場(chǎng)需求驅(qū)動(dòng)，Yole預(yù)計(jì)2027年全球碳化硅功率器件市場(chǎng)將增長(zhǎng)62.97億美元，CAGR達(dá)34%。

供給側(cè)進(jìn)展：供給緊張加速擴(kuò)產(chǎn)，設(shè)備決定產(chǎn)能上限

根據(jù)三安集成官網(wǎng)，保守估計(jì)到2025年，新能源汽車碳化硅功率器件用量約219萬片6寸碳化硅晶圓。而2025年的全球碳化硅產(chǎn)能僅有242萬片，其中約有60%可投入新能源汽車生產(chǎn)。2025年，新能源汽車市場(chǎng)大約會(huì)有123萬片碳化硅6寸晶圓的產(chǎn)能缺口。

碳化硅襯底和晶圓的產(chǎn)能增速遠(yuǎn)落后于新能源汽車需求擴(kuò)張的速度。國(guó)內(nèi)碳化硅IDM廠商三安光電，襯底廠商天岳先進(jìn)、露笑科技、東尼電子、北京天科，器件廠商士蘭微、華潤(rùn)微電子、燕東微電子等加速擴(kuò)產(chǎn)，而設(shè)備是決定各廠商產(chǎn)能上限的決定性因素。

碳化硅產(chǎn)業(yè)資本開支加速，供應(yīng)鏈安全可控助力國(guó)產(chǎn)碳化硅設(shè)備廠商突圍

碳化硅晶圓和器件的制備基本工藝流程同硅基半導(dǎo)體基本一致，但部分工藝段使用專用設(shè)備，部分需要在硅設(shè)備基礎(chǔ)上加以改進(jìn)。根據(jù)該行梳理，目前長(zhǎng)晶設(shè)備已基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，其他各工藝環(huán)節(jié)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率在0%-20%之間，國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊。

集成電路產(chǎn)業(yè)鏈自主可控是國(guó)家多次強(qiáng)調(diào)的大趨勢(shì)，伴隨《關(guān)于做好2023年中央企業(yè)投資管理進(jìn)一步擴(kuò)大有效投資有關(guān)事項(xiàng)的通知》等一批積極的政策出臺(tái)，碳化硅設(shè)備將加快國(guó)產(chǎn)化步伐。

產(chǎn)業(yè)鏈拆解：重點(diǎn)推薦國(guó)產(chǎn)襯底磨拋設(shè)備和芯片封裝固化設(shè)備

襯底環(huán)節(jié)是碳化硅器件制造中最核心、最困難的環(huán)節(jié)。碳化硅襯底價(jià)格高是制約碳化硅應(yīng)用落地的主要原因。

由于切片環(huán)節(jié)良率較低，切拋磨環(huán)節(jié)約占襯底總成本的2/3，切磨拋設(shè)備是襯底加工最核心的設(shè)備，國(guó)產(chǎn)化率約20%。根據(jù)該行測(cè)算，預(yù)計(jì)2025年中國(guó)車用6英寸SiC晶圓拋磨設(shè)備市場(chǎng)空間約為50.9億元。

在器件封裝環(huán)節(jié)，由于納米銀燒結(jié)工藝具備可實(shí)現(xiàn)高溫服役、高熱導(dǎo)率、高導(dǎo)電率、高可靠性幾大優(yōu)勢(shì)，契合三代半導(dǎo)體封裝需求，納米銀燒結(jié)設(shè)備成為碳化硅封裝固化工藝的最核心設(shè)備，截至2022年未實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。根據(jù)測(cè)算，預(yù)計(jì)2025年國(guó)內(nèi)納米銀燒結(jié)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為30億元。

風(fēng)險(xiǎn)提示：車用碳化硅器件滲透進(jìn)度不及預(yù)期、碳化硅光伏逆變器滲透不及預(yù)期、國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化進(jìn)度不及預(yù)期。