東方證券：多頻共振驅(qū)動刻蝕市場 國產(chǎn)替代未來可期

智通財經(jīng)APP獲悉，東方證券發(fā)布研究報告稱，目前干法刻蝕在半導(dǎo)體刻蝕中占據(jù)絕對主流地位，市場占比超過90%。同時，等離子刻蝕是晶圓制造中使用的主要刻蝕方法，電容性等離子刻蝕(CCP)和電感性等離子刻蝕(ICP)是兩種常用的等離子刻蝕方法。隨著當(dāng)前集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，構(gòu)成芯片的核心器件尺寸持續(xù)縮小，芯片的加工制造變得越來越精細。原子層刻蝕(ALE)能夠精確控制刻蝕深度，成為未來技術(shù)升級趨勢。該行看好刻蝕設(shè)備作為半導(dǎo)體設(shè)備的中堅力量，將深度受益于下游半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及終端應(yīng)用的高景氣度，同時國產(chǎn)替代占比有望進一步提升，建議關(guān)注集成電路裝備領(lǐng)先企業(yè)中微公司(688012.SH)、國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭北方華創(chuàng)(002371.SZ)。

東方證券主要觀點如下：

刻蝕設(shè)備作為半導(dǎo)體設(shè)備的中堅力量，有望率先完成國產(chǎn)替代。

半導(dǎo)體設(shè)備主要應(yīng)用于半導(dǎo)體制造和封測流程，是半導(dǎo)體行業(yè)的基礎(chǔ)和核心。隨著半導(dǎo)體制程的微縮和結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化，半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的種類和技術(shù)難度遞增。從國內(nèi)市場來看，刻蝕機尤其是介質(zhì)刻蝕機，是我國最具優(yōu)勢的半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，也是國產(chǎn)替代占比最高的重要半導(dǎo)體設(shè)備之一。我國目前在刻蝕設(shè)備商代表公司為中微公司、北方華創(chuàng)等。

終端需求催化刻蝕設(shè)備用量，市場規(guī)模2022年有望突破1100億美元。

隨著5G、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，半導(dǎo)體設(shè)備有望迎來新一輪發(fā)展機遇，從而推動全球刻蝕設(shè)備的需求。SEMI預(yù)計全球半導(dǎo)體設(shè)備市場將持續(xù)保持增長，在2021年增長45%至1030億美元，2022年預(yù)計將創(chuàng)下1140億美元的新高。

先進技術(shù)增加刻蝕步驟和刻蝕難度，刻蝕設(shè)備演繹量價齊升。

對于邏輯電路來說，制程微縮和技術(shù)迭代增加了刻蝕的步驟，也提高了刻蝕的難度;對于3DNAND來說，更高的堆疊層數(shù)需要用到多步刻蝕，并且要保證刻蝕的各向異性和盡量小的偏差;對于DRAM而言，電路圖形密度增大，多重圖案化重復(fù)次數(shù)增加，極大地增加了刻蝕工藝的設(shè)備需求。先進制程和復(fù)雜結(jié)構(gòu)增加了刻蝕步驟和難度，助推半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備價量齊升。

刻蝕設(shè)備領(lǐng)域長期由海外龍頭壟斷，國內(nèi)刻蝕企業(yè)部分技術(shù)已達國際一流水平。

根據(jù)Gartner統(tǒng)計，全球刻蝕企業(yè)前三大分別是泛林半導(dǎo)體、東京電子、應(yīng)用材料，全球市占率合計91%。國內(nèi)刻蝕設(shè)備生產(chǎn)廠商在全球刻蝕設(shè)備市場的市占率總計不足2%。然而，近些年來國內(nèi)刻蝕廠商依托資本和政策扶持一路奮起直追，成效顯著。例如中微公司的介質(zhì)刻蝕已經(jīng)進入臺積電7nm/5nm產(chǎn)線，是唯一一家進入臺積電產(chǎn)線的國產(chǎn)刻蝕設(shè)備生產(chǎn)商。從晶圓廠招投標(biāo)情況來看，國內(nèi)晶圓廠新增產(chǎn)能建設(shè)不斷加碼，中微公司和北方華創(chuàng)等國內(nèi)半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備廠家份額進一步提升。隨著國內(nèi)刻蝕龍頭緊跟先進制程發(fā)展，加大研發(fā)投入，積極并購與整合，整體國產(chǎn)刻蝕設(shè)備有望加速完成國產(chǎn)替代。

風(fēng)險提示：下游需求不及預(yù)期，技術(shù)突破不及預(yù)期，上游核心元件進口限制。

本文來源于東方證券電子行業(yè)報告，分析師：蒯劍等，智通財經(jīng)編輯：楊萬林