Raymond James :上調(diào)美光科技(MU.US)目標(biāo)價(jià)至80美元,評(píng)級(jí)“強(qiáng)烈買入”

投行Raymond James 分析師 Chris Caso 將美光科技(MU.US)目標(biāo)價(jià)從65美元上調(diào)至80美元,評(píng)級(jí)“強(qiáng)烈買入”。

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉,投行Raymond James 分析師 Chris Caso 將美光科技(MU.US)目標(biāo)價(jià)從65美元上調(diào)至80美元,評(píng)級(jí)“強(qiáng)烈買入”。

該分析師表示,在1αnm DRAM節(jié)點(diǎn)和第二代替換閘(Replacement Gate, RG) NAND的推動(dòng)下,DRAM和NAND的成本將比過(guò)去幾年有所降低,進(jìn)一步起到推動(dòng)利潤(rùn)增長(zhǎng)的作用。

據(jù)悉,美光于近期更新了DRAM路線圖,重申了其計(jì)劃,即保持供應(yīng)大致與需求水平相關(guān)聯(lián)的同時(shí),繼續(xù)專注于提高其高端產(chǎn)品的滲透率。另外,該公司表示,與目前的1Znm相比,1αnm 工藝節(jié)點(diǎn)的功率提升了15%,密度提升了40%。

該行分析師稱,這些細(xì)節(jié)的轉(zhuǎn)變將會(huì)使美光在明年建立一個(gè)更有利的成本環(huán)境。

NAND方面,美光宣布將向客戶交付176層TLC NAND閃存,使其成為全球第一家量產(chǎn)176層TLC NAND閃存的芯片商。與96層NAND相比,176層NAND的接口速度和讀(寫)延遲均得到提升。

此外,美光還上調(diào)了其2021財(cái)年Q1業(yè)績(jī)指引,預(yù)計(jì)營(yíng)收為57億-57.5億美元,此前為52億美元。調(diào)整后攤薄每股收益為0.61-0.65美元。

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