天風(fēng)證券：產(chǎn)能吃緊，需求強(qiáng)勁 存儲(chǔ)器新一輪漲價(jià)周期開(kāi)啟

本文來(lái)自天風(fēng)證券。

受此前半導(dǎo)體下行周期的影響，存儲(chǔ)芯片營(yíng)收自2018Q3持續(xù)下滑，但進(jìn)入2019Q3情況開(kāi)始好轉(zhuǎn)，DRAM與NAND 2019Q3總產(chǎn)值均提升，存儲(chǔ)價(jià)格也有觸底回升的趨勢(shì)。我們?cè)跉v史維度上對(duì)存儲(chǔ)價(jià)格進(jìn)行縱向分析，剖析存儲(chǔ)每次漲價(jià)的邏輯，借以分析本次存儲(chǔ)的價(jià)格變化趨勢(shì)。

漲價(jià)的原因可以歸結(jié)為四個(gè)字：供需失配。論到存儲(chǔ)的本質(zhì)，需求端理論上是無(wú)限增長(zhǎng)的，下游產(chǎn)品的迭代會(huì)形成需求動(dòng)能，供給端則會(huì)因?yàn)閺S商的產(chǎn)能調(diào)整而出現(xiàn)偏差，在需求和供給增長(zhǎng)速度不完全匹配的情況下，就會(huì)觸發(fā)存儲(chǔ)價(jià)格的變化。

DRAM：第一輪2012Q4-2013Q3漲價(jià)的原因是Elpida公司被美國(guó)Micron(MU.US)收購(gòu)，臺(tái)系DRAM廠也將于2013年上半年全部退出傳統(tǒng)DRAM市場(chǎng)，DRAM供貨商縮減資本設(shè)備支出，推動(dòng)了產(chǎn)品價(jià)格的上揚(yáng)。第二輪2016Q3-2017Q3漲價(jià)的原因是原廠皆以提高新制程比例增加產(chǎn)出為主，投資收縮帶來(lái)的產(chǎn)能驅(qū)動(dòng)供給平緩造成供需缺口。而需求端手機(jī)及服務(wù)器的搭載量增加，需求大于供給造成價(jià)格上漲。如果根據(jù)歷史需求平衡率來(lái)判斷，可以看到2019年下半年開(kāi)始需求曲線與供給曲線出現(xiàn)剪刀差趨勢(shì)，需求平衡率開(kāi)始下降，這意味著DRAM價(jià)格將出現(xiàn)回升趨勢(shì)。

NAND：第一輪(2016Q3-2017Q3)本階段是NAND Flash 的制程轉(zhuǎn)化年，F(xiàn)lash原廠從平面NAND轉(zhuǎn)向3D NAND。在制程轉(zhuǎn)化過(guò)程中，產(chǎn)能爬坡和良率提升帶來(lái)的輸出供給不足觸發(fā)供給緊張引發(fā)價(jià)格上漲。本輪價(jià)格已經(jīng)在11月底開(kāi)始呈現(xiàn)，漲價(jià)的主要原因是5G網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展，加速數(shù)據(jù)中心的快速成長(zhǎng)，并極大推動(dòng)存儲(chǔ)配置需求的增加;手機(jī)市場(chǎng)瓜分貨源，手機(jī)廠商為了搶占5G先機(jī)，已紛紛下單穩(wěn)固N(yùn)AND Flash貨源;原廠正在擴(kuò)大PC OEM市場(chǎng)布局，包括高、中、低三個(gè)不同檔次的SSD市場(chǎng)都有涉及，原廠確保數(shù)據(jù)中心、PC和手機(jī)市場(chǎng)需求，使得渠道市場(chǎng)資源供應(yīng)緊張。

Nor Flash：第一輪(2017Q1-2017Q4)因?yàn)槁憔A供貨緊張，Nor Flash廠商拿不到足夠晶圓(主要是IDM)，且晶圓漲價(jià)導(dǎo)致成本上漲，各大儲(chǔ)存廠商把重心轉(zhuǎn)移至NAND和DRAM，導(dǎo)致供給減少，但需求又受到智能手機(jī)AMOLED、物聯(lián)網(wǎng)等的驅(qū)動(dòng)，需求錯(cuò)配造成Nor Flash價(jià)格上漲。最近NorFlash漲價(jià)即將開(kāi)啟，NOR Flash在經(jīng)過(guò)18的低谷后，19年市場(chǎng)快速回溫。目前NOR Flash原廠及代理商去庫(kù)存已至低位，產(chǎn)能較為吃緊，下游應(yīng)用TWS二級(jí)需求強(qiáng)勁，整個(gè)NOR Flash市場(chǎng)行情正在反彈，漲價(jià)趨勢(shì)較為明顯。

投資建議：根據(jù)預(yù)測(cè)的存儲(chǔ)芯片漲價(jià)趨勢(shì)。

風(fēng)險(xiǎn)提示：宏觀經(jīng)濟(jì)下行從而下游需求疲軟、5G發(fā)展不及預(yù)期、行業(yè)發(fā)展不及預(yù)期

1. DRAM漲價(jià)剖析

2017年11月以來(lái)，DRAM價(jià)格持續(xù)下跌，我們分析DRAM歷史價(jià)格每輪上漲原因來(lái)判斷此輪價(jià)格下跌是否存在觸底回升趨勢(shì)。

第一輪價(jià)格上漲(2012Q4-2013Q3)：

本輪DRAM漲價(jià)是從2012Q4開(kāi)始，2013年1月上旬主流商品4GB品項(xiàng)最高價(jià)達(dá)到17.5美元，漲幅超過(guò)7%;2GB模組最高價(jià)漲幅也突破10%，來(lái)到10.25美元價(jià)位，短期內(nèi)續(xù)漲動(dòng)能仍強(qiáng)，下旬價(jià)格將可望挑戰(zhàn)18美元，持續(xù)向20美元關(guān)卡邁進(jìn)?，F(xiàn)貨市場(chǎng)亦同，自2013年年初開(kāi)始，2Gb顆粒均價(jià)已經(jīng)上漲13%到達(dá)約1.19美元，無(wú)論現(xiàn)貨與合約市場(chǎng)走勢(shì)皆維持強(qiáng)勢(shì)上漲格局。DRAM經(jīng)過(guò)2010～2011年間受到產(chǎn)品供過(guò)于求、價(jià)格跌跌不休的雙重壓力下陷入低迷，到后面的漲價(jià)，主要的原因在于供需失配。

需求端：雖然PC端需求低迷，但智能手機(jī)、平板電腦需求驅(qū)動(dòng)給DRAM帶來(lái)了新機(jī)遇。根據(jù)DRAMeXchange顯示，到2013年3月12日為止的傳統(tǒng)DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)受到中國(guó)白牌平板電腦(MID-Mobile Internet Devices)為降低成本不采用移動(dòng)DRAM的需求，傳統(tǒng)2GbDRAM價(jià)格由年初的1.05美元漲至1.75美元，漲幅超過(guò)66%，傳統(tǒng)DRAM廠商終于有了扭虧為盈的轉(zhuǎn)機(jī)。

供給端：隨著Elpida公司已被美國(guó)Micron收購(gòu)，世界主要DRAM供應(yīng)商整并為三，對(duì)產(chǎn)品的生產(chǎn)供應(yīng)可更靈活地調(diào)配，且在價(jià)格談判時(shí)也處于有利的地位，可使價(jià)格回歸健康。DRAM供貨商縮減資本設(shè)備支出，推動(dòng)了產(chǎn)品價(jià)格的上揚(yáng)。三星和海力士2013年都在大量縮減PC DRAM的生產(chǎn)，而把生產(chǎn)重點(diǎn)轉(zhuǎn)向了移動(dòng)DRAM，臺(tái)系DRAM廠也于2013年上半年全部退出傳統(tǒng)DRAM市場(chǎng)，轉(zhuǎn)向利基產(chǎn)品或代工，導(dǎo)致DRM產(chǎn)品供應(yīng)短少。

第二輪價(jià)格上漲(2016Q3-2017Q3)：

本輪DRAM漲價(jià)是從2016 Q3開(kāi)始。DRAM的漲價(jià)也是由于供給不足造成，此階段市場(chǎng)需求大于供給，供需平衡率下降。從2014年以來(lái)的18個(gè)月內(nèi)，DRAM的價(jià)格一路走低，所有DRAM的生產(chǎn)商都不敢冒然擴(kuò)產(chǎn)，導(dǎo)致DRAM的供給始終維持在較低水位。2017年在供給方面，三星、海力士和美光皆以提高新制程比例增加產(chǎn)出為主，并未大幅擴(kuò)張新產(chǎn)能。在需求方面，2017年DRAM需求成長(zhǎng)穩(wěn)定，成長(zhǎng)主力來(lái)自手機(jī)及服務(wù)器的搭載量增加，需求大于供給造成價(jià)格上漲。

需求端： DRAM 所面向的下游需求主要包括：標(biāo)準(zhǔn)型(PC)、服務(wù)器(Server)、移動(dòng)式(mobile)、繪圖用(Graphic)、消費(fèi)電子類(lèi)(Consumer)。一方面，PC市場(chǎng)的需求也從裝機(jī)標(biāo)配4GB過(guò)渡到了8GB、16GB甚至是32GB，市場(chǎng)需求量進(jìn)一步擴(kuò)大。另一方面，以智能手機(jī)為主要代表的移動(dòng)端在搶內(nèi)存，當(dāng)手機(jī)內(nèi)存的標(biāo)配從1GB、2GB轉(zhuǎn)變到6GB、8GB時(shí)，其對(duì)DRAM的需求量也有了極大的增長(zhǎng)，再加上智能手機(jī)的快速普及與其巨大的市場(chǎng)保有量，搶占了一大部分DRAM資源。智能型的手機(jī)出貨量很大，2016年移動(dòng)式內(nèi)存的份額可以達(dá)到35%。另一個(gè)增長(zhǎng)亮點(diǎn)是服務(wù)器，因?yàn)榉?wù)器與移動(dòng)內(nèi)存原則上是相輔相成的,智能手機(jī)APP的增加，無(wú)形之中需要很多服務(wù)器去支持，服務(wù)器份額從2016年20%增加到2017年22%。

供給端：DRAM是個(gè)波動(dòng)十分激烈的產(chǎn)業(yè)，同時(shí)DRAM產(chǎn)業(yè)以產(chǎn)量規(guī)劃問(wèn)題而著名。一般來(lái)說(shuō)，當(dāng)DRAM的價(jià)格在一段時(shí)間里保持穩(wěn)定或持續(xù)走高且需求旺盛時(shí)，會(huì)有很多工廠如雨后春筍般地冒出來(lái)。第一批新工廠加入供應(yīng)商的行列后，造成供應(yīng)源的增加和價(jià)格的下降;而后期開(kāi)設(shè)的工廠則面臨著更加嚴(yán)酷的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)。在沒(méi)有看清未來(lái)的強(qiáng)烈需求前，主流廠商都不會(huì)貿(mào)然擴(kuò)產(chǎn)。在2016-2017這段漲價(jià)期間，主流廠商都將絕大部分的精力放到3D NAND工藝技術(shù)上之后，最直接的后果就是造成DRAM顆粒的產(chǎn)能有了較明顯地下降，供應(yīng)方的議價(jià)能力得到了極大提升，需求端增長(zhǎng)高于供給端，最終導(dǎo)致DRAM價(jià)格上漲。

從兩輪價(jià)格上漲的分析可以看出，DRAM的價(jià)格變化原因關(guān)鍵是供需失配。需求端驅(qū)動(dòng)略有驅(qū)動(dòng)，但供給端由于投資收縮帶來(lái)的產(chǎn)能驅(qū)動(dòng)供給平緩造成了供需缺口。這個(gè)結(jié)果也可以通過(guò)供需平衡率來(lái)表現(xiàn)。根據(jù)2012-2013年供給及需求圖像顯示，需求增長(zhǎng)速度大于供給增長(zhǎng)速度，供需平衡率呈現(xiàn)下降趨勢(shì)，導(dǎo)致了價(jià)格的上漲。在2016-2017年，同樣需求增長(zhǎng)曲線也在供給增長(zhǎng)曲線上方，供需平衡率在下降。

那么如果根據(jù)需求平衡率來(lái)判斷，可以看到2019年下半年開(kāi)始需求曲線與供給曲線出現(xiàn)剪刀差趨勢(shì)，需求平衡率開(kāi)始下降，這意味著DRAM價(jià)格將出現(xiàn)回升趨勢(shì)。

觀察下游需求端的增長(zhǎng)率，可以看到PC需求一直呈現(xiàn)衰退的情形，預(yù)計(jì)20年也會(huì)有所下降。而服務(wù)器及智能手機(jī)需求會(huì)有所增長(zhǎng)。

下游應(yīng)用中，對(duì)DRAM產(chǎn)能拉動(dòng)力最強(qiáng)的主要是智能手機(jī)、其次是服務(wù)器。由于中國(guó)智能手機(jī)廠商積極將季度出貨量提前，以及服務(wù)器市場(chǎng)的需求逐漸恢復(fù)，三星Q3的 DRAM 營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng) 5%至 71 億美元。

從供給端看，Dramexchange預(yù)測(cè)2020年下游應(yīng)用對(duì)應(yīng)的DRAM產(chǎn)能如下，產(chǎn)能未有明顯增加。

除應(yīng)用端各產(chǎn)能有所區(qū)別外，不同制程的產(chǎn)能也在變化，先進(jìn)制程的DRAM產(chǎn)能占比越來(lái)越高，傳統(tǒng)制程的產(chǎn)能占比在壓縮，DRAM產(chǎn)能被擁有先進(jìn)制程的龍頭公司大份額占有，龍頭公司的庫(kù)存消化對(duì)DRAM供需情況起改善作用。

從供給端資本支出上看，由于新的和非常復(fù)雜的DRAM技術(shù)需要更多的晶圓廠設(shè)備和更多的晶圓廠空間來(lái)容納這些設(shè)備，三星、SK Hynix和Micron三大DRAM供應(yīng)商普遍認(rèn)為，未來(lái)幾年DRAM比特容量將以每年約20%的速度增長(zhǎng)。美光估計(jì)，將DRAM位容量從2015年的80億美元增加到2018年的180億美元所需的行業(yè)資本支出增加了20%以上。2016年的實(shí)際DRAM支出略低于比特容量增長(zhǎng)20%所需的支出，約等于2017年所需的支出。然而，在2018年，針對(duì)DRAM市場(chǎng)的資本支出達(dá)到了237億美元，比按DRAM比特量增長(zhǎng)20%計(jì)算的180億美元高出32%。2018年DRAM比特量?jī)H增長(zhǎng)13%，預(yù)計(jì)2019年將增長(zhǎng)17%。資本支出過(guò)多通常會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)能過(guò)剩和隨后的定價(jià)疲軟，這一狀況因經(jīng)濟(jì)疲軟和終端用戶需求疲軟而加劇。由于三星、SK Hynix和Micron去年在升級(jí)/增加DRAM容量方面投入了大量資金，而且經(jīng)濟(jì)和貿(mào)易的不確定性繼續(xù)滲透全球市場(chǎng)，IC Insights認(rèn)為DRAM產(chǎn)能和隨后的定價(jià)疲軟將持續(xù)到2019年年底。預(yù)計(jì)2019年DRAM資本支出的實(shí)際規(guī)模將低于保持20%比特容量增長(zhǎng)所需的規(guī)模。這可以抵消2018年的超支，并有助于2020年DRAM市場(chǎng)恢復(fù)供需平衡。

從整體供需狀況來(lái)看，在歷經(jīng)近五個(gè)季度的庫(kù)存調(diào)整，2019年第四季DRAM市場(chǎng)仍處于微幅供過(guò)于求。由于之前1X納米制程因?yàn)橛型素洜顩r，大量不良品以低價(jià)轉(zhuǎn)銷(xiāo)現(xiàn)貨市場(chǎng)，導(dǎo)致現(xiàn)貨價(jià)格走勢(shì)格外疲弱。雖然退貨狀況仍在，但因?yàn)槟＝M廠以及在渠道的經(jīng)銷(xiāo)商開(kāi)始愿意增加庫(kù)存準(zhǔn)備，使得這些不良品數(shù)量有效的消耗，帶動(dòng)現(xiàn)貨價(jià)格開(kāi)始上調(diào)。加上三星跳電事件的影響，PC OEM廠已做好DRAM即將漲價(jià)的可能，當(dāng)前都以建立更佳的庫(kù)存水位為目標(biāo)，因此在采購(gòu)上愿意接受持平或更高的模組合約價(jià)格;若原廠能夠在第一季增加供貨量，買(mǎi)方甚至愿意接受更高的價(jià)格，以確保安全的庫(kù)存水位。之前在中美貿(mào)易關(guān)稅的不確定性下，大部分銷(xiāo)往美國(guó)的筆電都趕在2019年第四季出貨，導(dǎo)致2020年第一季的出貨較為疲弱。因此預(yù)計(jì)到2020年第一季時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存、利基型內(nèi)存與行動(dòng)式內(nèi)存價(jià)格預(yù)估仍較前一季小幅下跌，但服務(wù)器內(nèi)存有機(jī)會(huì)率先領(lǐng)漲，帶動(dòng)整體DRAM平均銷(xiāo)售單價(jià)較前一季持平。

根據(jù)供需狀況的的分析，隨著三大龍頭庫(kù)存消化與需求端拉動(dòng)力增強(qiáng)，DRAM 價(jià)格下跌趨勢(shì)收緊，供需情況有望持續(xù)改善，明年將上漲，這與Dramexchange的預(yù)測(cè)顯示一致，2020年DRAM的價(jià)格均有所上漲。

2. NAND的漲價(jià)剖析

2017年11月以來(lái)，NAND價(jià)格持續(xù)下跌，我們分析NAND歷史價(jià)格每輪上漲原因來(lái)判斷此輪價(jià)格下跌是否存在觸底回升趨勢(shì)。

上一輪NAND漲價(jià)是從2016 Q3開(kāi)始。2016-2017年是NAND Flash 的制程轉(zhuǎn)化年，F(xiàn)lash原廠從2D NAND轉(zhuǎn)向3D NAND。在制程轉(zhuǎn)化過(guò)程中，產(chǎn)能爬坡和良率提升帶來(lái)的輸出供給不足觸發(fā)供給緊張引發(fā)價(jià)格上漲。

供給端，2017年廠商都在發(fā)展3D NAND技術(shù)，64層以上的3D堆疊上還未取得實(shí)際量產(chǎn)的進(jìn)展，供貨吃緊，因此市場(chǎng)價(jià)格一直保持在高價(jià)位。

需求端，NAND Flash 2017年全年市場(chǎng)需求約為1620億GB當(dāng)量。NAND Flash市場(chǎng)主要是高端智能型手機(jī)容量翻倍和SSD需求強(qiáng)勁，SSD和智能手機(jī)市場(chǎng)NAND Flash需求的增長(zhǎng)已經(jīng)彌補(bǔ)了其他消費(fèi)類(lèi)電子市場(chǎng)需求的相對(duì)平淡。2017年全球智能型手機(jī)出貨14.9億臺(tái)，蘋(píng)果iPhone 8/8 Plus/X三款機(jī)型僅提供64GB和256GB兩種容量，若按照6:4比例，平均容量高達(dá)140GB，而且三星Galaxy S8、華為P10/Mate 10、OPPO、VIVO等旗艦機(jī)紛紛以64GB和128GB為主打容量，再加上平板、車(chē)載、智能盒子等市場(chǎng)需求，2017年eMMC/eMCP等嵌入式產(chǎn)品消耗了42%的NAND Flash產(chǎn)能。SSD市場(chǎng)，數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器等領(lǐng)域?qū)?shù)據(jù)分析、處理、響應(yīng)速度的要求不斷提高，谷歌(GOOGL.US)、Facebook(FB.US)、百度(BIDU,US)、阿里巴巴(BABA.US)騰訊(00700)、華為等對(duì)SSD需求強(qiáng)勁。在NAND Flash市場(chǎng)缺貨的時(shí)期，三星基于先進(jìn)的64層3D NAND優(yōu)先供貨給高利潤(rùn)且數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量較大的企業(yè)級(jí)SSD客戶，英特爾(INTC.US)基于32層3D NAND以及3D Xpoint技術(shù)滿足大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求，2017年全球企業(yè)級(jí)SSD市場(chǎng)出貨2200萬(wàn)臺(tái)，平均容量需求達(dá)到1.5TB，對(duì)NAND Flash產(chǎn)能消耗量較大。消費(fèi)類(lèi)市場(chǎng)，超極本、二合一等輕薄筆記本對(duì)SSD搭載率不斷增加，2017年消費(fèi)類(lèi)市場(chǎng)SSD出貨1.35億臺(tái)，再加上工業(yè)、金融、車(chē)載等領(lǐng)域SSD需求，全球SSD共消耗了42%的NAND Flash產(chǎn)能。

因此，上輪漲價(jià)的原因是制程升級(jí)中的良率爬升和制程瓶頸突破的時(shí)間差造成供需缺口。

近期閃存價(jià)格從11月底到12月底的漲幅明顯，單單一個(gè)月就漲價(jià)5%。從閃存價(jià)格來(lái)看，11月底到12月底價(jià)格漲勢(shì)最為明顯，從閃存市場(chǎng)的報(bào)價(jià)來(lái)看，512Gb TLC閃存在11月底 4.10美元，目前(2020/2/6)已經(jīng)達(dá)到了5.20美元，漲幅大約26.8%;256Gb TLC從2.02漲到2.80美元，漲幅高達(dá)38.6%。

根據(jù)Dramexchange 19Q3預(yù)測(cè)，NAND 現(xiàn)貨價(jià)格跌幅持續(xù)收緊，預(yù)計(jì)2020年價(jià)格將有所上升。

NAND Flash價(jià)格持續(xù)漲價(jià)，主要有三個(gè)原因。一是因?yàn)?G網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展，加速數(shù)據(jù)中心的快速成長(zhǎng)，并極大推動(dòng)存儲(chǔ)配置需求的增加，而這類(lèi)高價(jià)值市場(chǎng)帶來(lái)的高利潤(rùn)，將給原廠帶來(lái)更好的利潤(rùn)，也使得原廠擴(kuò)大布局，以及策略性的將NAND Flash產(chǎn)能供貨給數(shù)據(jù)中心客戶。

二是手機(jī)市場(chǎng)瓜分貨源。手機(jī)是5G的主戰(zhàn)場(chǎng)，2020年5G手機(jī)銷(xiāo)量將快速增長(zhǎng)。IDC預(yù)計(jì)5G手機(jī)銷(xiāo)量有望破億臺(tái)，到2023年5G手機(jī)占比將增長(zhǎng)至28%。同時(shí)，5G手機(jī)的普及也會(huì)加速容量需求的增加。2、3年前，64GB還是旗艦機(jī)的高配容量，如今128GB已是基本配置，而5G手機(jī)的發(fā)展是手機(jī)向TB級(jí)容量邁進(jìn)的加速劑。同時(shí)，個(gè)人對(duì)4K、8K視頻的需求，移動(dòng)SSD正在快速搶食移動(dòng)HDD市場(chǎng)需求。2019年已有不少5G手機(jī)上市，2020年手機(jī)廠商為了搶占5G先機(jī)，已紛紛下單穩(wěn)固N(yùn)AND Flash貨源，嵌入式產(chǎn)品價(jià)格將保持穩(wěn)定走勢(shì)。

三是原廠正在擴(kuò)大PC OEM市場(chǎng)布局，包括高、中、低三個(gè)不同檔次的SSD市場(chǎng)都有涉及，原廠確保數(shù)據(jù)中心、PC和手機(jī)市場(chǎng)需求，將使得渠道市場(chǎng)資源供應(yīng)緊張。目前，原廠NAND Flash資源供應(yīng)緊張，再加上下游廠商手中庫(kù)存在消耗，市場(chǎng)惜售現(xiàn)象明顯，更不愿低價(jià)出貨，導(dǎo)致市場(chǎng)報(bào)價(jià)持續(xù)走高。

在資本支出方面，2019年內(nèi)存廠商已經(jīng)開(kāi)始縮減內(nèi)存支出，2019年較2018年DRAM和NAND Flash的資本支出均有所下降。

三星2019年前3季資本支出總額16.8兆韓元，相較于2018年同比下滑24%。美光2019年前3季資本支出66.24億美元，同比增長(zhǎng)5.6%，雖然將在2020年減少資本支出，但位于新加坡的Fab10A已開(kāi)始運(yùn)營(yíng)，西部數(shù)據(jù)/鎧俠巖手縣K1工廠計(jì)劃在2020年投產(chǎn)，同時(shí)Fab7工廠正在建設(shè)中，SK海力士M16將在2020年Q4投入運(yùn)營(yíng)，原廠這些新工廠投資計(jì)劃的進(jìn)度，以及經(jīng)濟(jì)的不確定性，將是后續(xù)穩(wěn)定市場(chǎng)價(jià)格的關(guān)鍵因素。

3. Nor Flash漲價(jià)剖析

上輪Nor Flash漲價(jià)從2017Q1開(kāi)始。供給減少，需求持續(xù)，需求錯(cuò)配造成Nor Flash價(jià)格上漲。以下從供給端和需求端具體分析。

供給端：DRAM和NAND的供給緊張往上游傳導(dǎo)，主流存儲(chǔ)器廠為了備產(chǎn)已經(jīng)在制程轉(zhuǎn)化期間良率調(diào)試多預(yù)訂了裸晶圓，造成300mm裸晶圓的需求同比增長(zhǎng)4.5%，而在供給沒(méi)有明顯擴(kuò)張的情況下，造成晶圓供貨出現(xiàn)緊張，再由裸晶圓的供給緊張傳導(dǎo)至下游Nor Flash廠商。因?yàn)槟貌坏阶銐虻木A，Nor Flash廠商的供給受限。

300mm裸晶圓需求-供給在2016年達(dá)到平衡狀態(tài)，2017年需求大于供給。2016年全球300mm裸晶圓的需求量為515萬(wàn)片/月，供給也是515萬(wàn)片/月，基本達(dá)到供需平衡狀態(tài)，而2017年則展現(xiàn)了明顯的需求大于供給的形勢(shì)。

300mm裸晶圓供需關(guān)系的改變導(dǎo)致晶圓的漲價(jià)，晶圓漲價(jià)導(dǎo)致成本上升是此次NOR Flash漲價(jià)的一個(gè)主要因素。裸晶圓的漲價(jià)會(huì)牽動(dòng)下游制造商的成本結(jié)構(gòu)。通常而言，晶圓廠的成本結(jié)構(gòu)中，設(shè)備折舊占50%，硅晶圓成本占15%。如果硅晶圓漲價(jià)10-20%，成本會(huì)增加1.5%-3%。

在供應(yīng)端，美光等各大存儲(chǔ)廠商已將重心轉(zhuǎn)移到3D NAND、DRAM，美光考慮到DRAM與NAND等高容量產(chǎn)品未來(lái)帶來(lái)的高產(chǎn)值以及工廠產(chǎn)能營(yíng)運(yùn)的報(bào)酬最大化考量，在賣(mài)掉新加坡的8寸廠設(shè)備后，NOR Flash只剩下美國(guó)的一座12寸廠，主要將聚焦在大容量(64Mb以上)產(chǎn)品在車(chē)用電子以及工控產(chǎn)品等高單價(jià)高利潤(rùn)的利基型產(chǎn)品，而Cypress在賣(mài)掉位于明尼蘇達(dá)的半導(dǎo)體廠后，NOR Flash的生產(chǎn)基地除了來(lái)持續(xù)來(lái)自于武漢新芯的代工外，就只剩下位于美國(guó)德州的廠，除了僅留下小部分NOR產(chǎn)能做為車(chē)用電子產(chǎn)品外，Cypress打算將較多的產(chǎn)能移往MCU的產(chǎn)品線上，這部分在中低容量減少的供給缺口外溢至旺宏、華邦、兆易創(chuàng)新等原先耕耘已久的廠商。大廠的戰(zhàn)略調(diào)整產(chǎn)生了供給缺口，導(dǎo)致價(jià)格上漲。

需求端：在下游需求中，除了傳統(tǒng)電腦、智慧型手機(jī)、網(wǎng)路通訊與消費(fèi)性電子產(chǎn)品外，2017年最新且成長(zhǎng)最大的需求在于智慧型手機(jī)的AMOLED普及度攀升，以及LCD驅(qū)動(dòng)IC和觸控IC所集成成的TDDI( Touch Display Driver IC)方案最受矚目。智能手機(jī)用AMOLED 屏幕需要大量消耗NOR Flash 顆粒。晶圓代工廠尚無(wú)法提供OLED驅(qū)動(dòng)IC內(nèi)建eFlash，或嵌入式多次可程序快閃存儲(chǔ)器矽財(cái)測(cè)(eMTP)的高壓制程，使得當(dāng)前如果將eFlash/eMTP 加入制程中，則將造成新增加的光罩成本過(guò)高的情況。因此，在成本考量下只好退而求其次，以外掛 NOR Flash 方式，來(lái)避免 AMOLED 面板的藍(lán)色光會(huì)隨時(shí)間消退的問(wèn)題。隨著物聯(lián)網(wǎng)、智慧城市、智慧應(yīng)用、智能家居、智能汽車(chē)、無(wú)人機(jī)等廠商使用NOR Flash作為儲(chǔ)存裝置和微控制器搭配開(kāi)發(fā)，NOR Flash需求在爆發(fā)性增長(zhǎng)。

本輪漲價(jià)即將開(kāi)啟。NOR Flash在經(jīng)過(guò)18的低谷后，19年市場(chǎng)快速回溫。目前NOR Flash原廠及代理商去庫(kù)存已至低位，產(chǎn)能較為吃緊，整個(gè)NOR Flash市場(chǎng)行情正在反彈，漲價(jià)趨勢(shì)較為明顯。去年下半年 NOR Flash 市場(chǎng)出現(xiàn)供給過(guò)剩，導(dǎo)致今年上半年價(jià)格明顯下跌，主要是 OLED 面板驅(qū)動(dòng) IC 制程整合了嵌入式快閃記憶體，不再需要外掛 NOR Flash。但NOR Flash新應(yīng)用需求在19H2已持續(xù)涌現(xiàn)，其中以 TWS 耳機(jī)需求最強(qiáng)勁。

供給端：目前NOR Flash原廠及代理商去庫(kù)存已至低位，產(chǎn)能較為吃緊。19年10月31日，兆易創(chuàng)新在投資者關(guān)系活動(dòng)表示，在Nor Flash產(chǎn)品供需方面19年三季度處于產(chǎn)能供給非常緊張狀況，公司作為一個(gè)設(shè)計(jì)公司是與晶圓廠合作，爭(zhēng)取獲得更多的產(chǎn)能。但晶圓廠產(chǎn)能增加的周期是相當(dāng)長(zhǎng)的，一般在6-9個(gè)月。

需求端：TWS 耳機(jī)為支援藍(lán)牙 5.0 及支援降噪，每支耳機(jī)都搭載 NOR Flash，包括蘋(píng)果新一代 AirPods 搭載 128Mb NOR Flash 芯片，三星 TWS 耳機(jī) Galaxy Buds 搭載了華邦電 64Mb NOR Flash。通過(guò)技術(shù)的發(fā)展，安卓廠商突破了蘋(píng)果“監(jiān)聽(tīng)”方案的專利壁壘，在2019年推出多種TWS方案，產(chǎn)生了市場(chǎng)巨大的需求。為了保證自身產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力，相關(guān)公司將會(huì)不斷為T(mén)WS增加新功能，功能的增加意味著NOR Flash容量需求的增加，無(wú)論是外掛獨(dú)立的NOR還是合封NOR Flash Die，都利好NOR Flash需求。隨華為、小米、OPPO、Vivo 等手機(jī)廠搶推新一代 TWS 耳機(jī)且搭載容量倍增，有助快速去化 NOR Flash 過(guò)多庫(kù)存。此外，可透過(guò)手機(jī) App 搖控?cái)?shù)位家電等各式物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用已經(jīng)遍地開(kāi)花，需要搭載 NOR Flash 協(xié)助連網(wǎng)及運(yùn)算，包括先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)等車(chē)用電子、5G 基地臺(tái)或高速網(wǎng)路設(shè)備，亦要使用 NOR Flash 儲(chǔ)存 BIOS 或程式碼以提升安全性。

由于18至19年 NOR Flash 市場(chǎng)并無(wú)新增產(chǎn)能，在 TWS 耳機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)等需求快速成長(zhǎng)及蘋(píng)果為 AirPods 需求擴(kuò)大采購(gòu)等情況下，第四季 NOR Flash 可望供需平衡，而在市場(chǎng)傳出兆易創(chuàng)新喊漲合約價(jià)之際，業(yè)界認(rèn)為第四季合約價(jià)確定可止跌，部分應(yīng)用類(lèi)別應(yīng)可看到漲價(jià)。

（編輯：郭璇）