華金證券：國內(nèi)存儲(chǔ)原廠擴(kuò)產(chǎn)有序推進(jìn) 國家三期大基金落地有望催化產(chǎn)業(yè)鏈

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，華金證券發(fā)布研報(bào)稱，近日，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金三期股份有限公司已正式成立，注冊(cè)資本高達(dá)3440億人民幣。隨著AI應(yīng)用需求持續(xù)釋放，“先進(jìn)存力”建設(shè)勢(shì)在必行，存儲(chǔ)芯片或成為國家大基金三期的重點(diǎn)投資對(duì)象。當(dāng)前國內(nèi)存儲(chǔ)原廠擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目正有序推進(jìn)，稼動(dòng)率亦穩(wěn)步提升，在國家大基金三期的政策加速催化下，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的設(shè)備、材料等廠商迎來黃金發(fā)展機(jī)遇。建議關(guān)注存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)標(biāo)的：東芯股份(688110.SH)，兆易創(chuàng)新(603986.SH)，北京君正(300223.SZ)，江波龍(301308.SZ)，德明利(001309.SZ)，普冉股份(688766.SH)等。

華金證券主要觀點(diǎn)如下：

弱需求致短期現(xiàn)貨市場(chǎng)承壓，AI手機(jī)/AIPC存儲(chǔ)容量提升拉動(dòng)存儲(chǔ)需求

具體看本周存儲(chǔ)價(jià)格(截至5月28日11：00)，根據(jù)CFM數(shù)據(jù)，1)FlashWafer：本周FlashWafer價(jià)格維持不變。2)DDR：DDR416Gb3200/eTT和8GbeTT價(jià)格小幅下跌。3)渠道市場(chǎng)：渠道市場(chǎng)仍處于去庫存階段，本周渠道內(nèi)存價(jià)格下調(diào)，降幅在4%~5%;渠道SSD價(jià)格持平。4)行業(yè)市場(chǎng)：小單詢單有所增加，但大單依然較少，市場(chǎng)普遍謹(jǐn)慎觀望，按需備貨靈活應(yīng)對(duì)，本周行業(yè)SSD價(jià)格維持不變，行業(yè)內(nèi)存小幅下跌。5)嵌入式：原廠稀缺資源供應(yīng)持續(xù)緊張，eMCP/LPDDR/UFS/uMCP價(jià)格維持不變，僅部分eMMC價(jià)格出現(xiàn)小幅下調(diào)。

CFM指出，雖然原廠資源及成品端價(jià)格仍然較高，但除原廠外的消費(fèi)類品牌價(jià)格普遍出現(xiàn)回調(diào)，傳統(tǒng)PC市場(chǎng)短期難以擺脫增長乏力的困境，受弱需求沖擊存儲(chǔ)現(xiàn)貨市場(chǎng)信心不足，貿(mào)易端變現(xiàn)壓力較重，渠道消耗庫存動(dòng)作明顯，短期存儲(chǔ)現(xiàn)貨行情將持續(xù)承壓。華金證券預(yù)計(jì)，24H2隨著AI手機(jī)和AIPC的發(fā)布，存儲(chǔ)容量會(huì)顯著提升，進(jìn)而帶動(dòng)存儲(chǔ)需求。

漲價(jià)疊加供需改善推動(dòng)，24Q1存儲(chǔ)原廠業(yè)績表現(xiàn)亮眼

受益于AI需求強(qiáng)勁增長，服務(wù)器eSSD、DDR5及HBM需求旺盛，加之NAND制程切換及DDR5產(chǎn)品迭代，服務(wù)器存儲(chǔ)芯片供需緊張。同時(shí)，三星、SK海力士及美光等原廠積極轉(zhuǎn)產(chǎn)或增產(chǎn)高利潤的HBM，持續(xù)擠占傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能，加速存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈供需回歸平衡。根據(jù)CFM數(shù)據(jù)，24Q1全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)339億美元，同比增長86%，環(huán)比增長15%。在漲價(jià)疊加供需改善的推動(dòng)下，24Q1存儲(chǔ)原廠的存儲(chǔ)收入同環(huán)比均回升；利潤端，繼23Q4僅SK海力士一家經(jīng)營利潤扭虧為盈、其余四家原廠(三星、美光、西數(shù)、鎧俠)均處于虧損狀態(tài)之后，24Q1五大原廠均實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。

NAND方面，CFM數(shù)據(jù)顯示，24Q1全球NAND市場(chǎng)規(guī)模達(dá)152億美元，同比增長74%，環(huán)比增長24%。NAND均價(jià)在24Q1呈20%~30%的大幅上漲，其中三星、SK海力士和美光價(jià)格環(huán)比增速均在30%左右。

DRAM方面，CFM數(shù)據(jù)顯示，24Q1全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到188億美元，同比增長97%，環(huán)比增長9%。受益于DRAM價(jià)格的全面回升，以及HBM、DDR5等產(chǎn)品的出貨增長，原廠DRAM營收延續(xù)增長勢(shì)頭；其中SK海力士和三星價(jià)格環(huán)比上漲幅度均在20%左右，美光價(jià)格環(huán)比增速超10%。

原廠產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高附加值產(chǎn)品以及需求復(fù)蘇，利基存儲(chǔ)市場(chǎng)有望加速回暖

24Q2以來部分國內(nèi)互聯(lián)網(wǎng)廠商向原廠緊急加單HBM和DDR5產(chǎn)品，同時(shí)由于HBM產(chǎn)線已切換成HBM3/3E先進(jìn)制程，針對(duì)客戶HBM2E的急單需求，部分原廠只能緊急加開產(chǎn)線并將部分DDR4產(chǎn)線切換成HBM2E；預(yù)計(jì)至2024年底，原廠約80%DRAM產(chǎn)能切換至DDR5，DDR4供應(yīng)或陷入短缺。

根據(jù)ITHome消息，三星和SK海力士預(yù)計(jì)在24H2退役其DDR3產(chǎn)線?？紤]到美光和南亞當(dāng)前DDR3產(chǎn)量有限，兩大原廠退出或?qū)⑼聘逥DR3價(jià)格。兆易創(chuàng)新表示SLCNAND需求回暖和價(jià)格上漲約比利基DRAM晚一個(gè)季度，而NOR供需已回歸平衡。華金證券認(rèn)為，隨著AI手機(jī)等端側(cè)AI的普及和應(yīng)用，以及AR/VR等新興技術(shù)賦能可穿戴類產(chǎn)品刺激需求，NORFlash有望步入上行周期。

風(fēng)險(xiǎn)提示：下游需求復(fù)蘇低于預(yù)期，終端去庫存效果低于預(yù)期，相關(guān)廠商研發(fā)進(jìn)程不及預(yù)期，基金出資方出資金額實(shí)繳到位進(jìn)度不及預(yù)期，系統(tǒng)性風(fēng)險(xiǎn)等。