TrendForce集邦咨詢：HBM3e產(chǎn)出放量帶動 24年底HBM投片量預(yù)估占先進(jìn)制程比重35%

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，三大原廠開始提高先進(jìn)制程的投片，繼存儲器合約價(jià)翻揚(yáng)后，公司資金投入開始增加，產(chǎn)能提升將集中在今年下半年，預(yù)期1alpha nm(含)以上投片至年底將占DRAM總投片比重約40%。其中，HBM由于獲利表現(xiàn)佳，加上需求持續(xù)看增，故生產(chǎn)順序最優(yōu)先。但受限于良率僅約50~60%，且晶圓面積相較DRAM產(chǎn)品，放大逾60%，意即所占投片比重高。以各家TSV產(chǎn)能來看，至年底HBM將占先進(jìn)制程比重35%，其余則用以生產(chǎn)LPDDR5(X)與DDR5產(chǎn)品。    

以HBM最新發(fā)展進(jìn)度來看，TrendForce集邦咨詢表示，今年HBM3e將是市場主流，集中在今年下半年出貨。目前SK海力士(SK hynix)依舊是主要供應(yīng)商，與美光(Micron)均采用1beta nm制程，兩家業(yè)者現(xiàn)已正式出貨給英偉達(dá)(NVIDIA);三星(Samsung)則采用1alpha nm制程，預(yù)期今年第二季完成驗(yàn)證，于年中開始交付。

集邦咨詢預(yù)期今年DDR5、LPDDR5(X)滲透率增加，將消耗更多先進(jìn)制程產(chǎn)能。除了HBM需求占比持續(xù)增加，PC、服務(wù)器、智能手機(jī)三大應(yīng)用單機(jī)搭載容量增長，故對于先進(jìn)制程的消耗量也逐季提升，其中又以服務(wù)器的容量提升最高，主要受惠于單機(jī)搭載容量1.75TB的AI服務(wù)器所帶動。而隨著Intel、AMD新平臺Sapphire Rapids、Genoa量產(chǎn)后，其存儲器規(guī)格僅能采用DDR5，預(yù)期今年DDR5滲透率至年底將逾50%。

與此同時(shí)，由于HBM3e出貨將集中在今年下半年，期間同屬存儲器需求旺季，DDR5與LPDDR5(X)市場預(yù)期需求也將看增。但受到2023年虧損壓力影響，原廠產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃也較謹(jǐn)慎。整體而言，在HBM投片比重?cái)U(kuò)大的情況下，將使得先進(jìn)制程產(chǎn)出有限，下半年產(chǎn)能配置將是供給是否充足的關(guān)鍵。

受到HBM產(chǎn)能排擠，若先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)張不足，DRAM產(chǎn)品恐面臨供不應(yīng)求。目前新廠規(guī)劃如下，三星現(xiàn)有廠房2024年底產(chǎn)能大致滿載，新廠房P4L規(guī)劃于2025年完工，同時(shí)Line15廠區(qū)將進(jìn)行制程轉(zhuǎn)換，由1Ynm轉(zhuǎn)換至1beta nm以上。SK海力士除了M16明年產(chǎn)能預(yù)計(jì)擴(kuò)大，M15X同樣亦規(guī)劃于2025年完工，并于明年底量產(chǎn)。美光臺灣地區(qū)廠區(qū)將于明年恢復(fù)至滿載，后續(xù)產(chǎn)能擴(kuò)張將以美國廠為主，Boise廠區(qū)預(yù)期于2025年完工并陸續(xù)移機(jī)，并計(jì)劃于2026年量產(chǎn)。

TrendForce集邦咨詢表示，盡管三大原廠的新廠將于2025年完工，但部分廠房后續(xù)的量產(chǎn)時(shí)程尚未有明確規(guī)劃，需依賴2024年的獲利，才得以持續(xù)擴(kuò)大采購機(jī)臺，此也進(jìn)一步推動三大原廠堅(jiān)守存儲器價(jià)格今年漲勢。除此之外，由于NVIDIA GB200將于2025年放量，其規(guī)格為HBM3e 192/384GB，預(yù)期HBM產(chǎn)出將接近翻倍，且緊接各原廠將迎來HBM4研發(fā)，若投資沒有明顯擴(kuò)大，因各家產(chǎn)能規(guī)劃皆以HBM為優(yōu)先，在產(chǎn)能排擠的效應(yīng)之下，DRAM產(chǎn)品恐有供應(yīng)不及的可能性。