中信證券：AI時(shí)代的存力騰飛 HBM與傳統(tǒng)存儲(chǔ)共振

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，中信證券發(fā)布研報(bào)稱，在AI大模型時(shí)代云端、終端算力雙重爆發(fā)的帶動(dòng)下，存儲(chǔ)行業(yè)將從漲價(jià)修復(fù)周期轉(zhuǎn)向技術(shù)成長共振的新周期。云端角度，HBM高帶寬特性能夠滿足AI算力芯片高速傳輸需求，與AI算力規(guī)?？焖贁U(kuò)容相輔相成，帶動(dòng)TSV、2.5D封裝(CoWoS)需求；此外企業(yè)級(jí)內(nèi)存條和SSD需求亦同步攀升。終端角度，端側(cè)大模型落地帶動(dòng)SoC算力提升，內(nèi)存作為算力的核心配套，對(duì)其規(guī)格、容量均提出更高的要求。對(duì)于新型存儲(chǔ)HBM，建議關(guān)注布局先進(jìn)封裝的封測廠商、半導(dǎo)體設(shè)備廠商；對(duì)于傳統(tǒng)存儲(chǔ)DRAM/NAND Flash，建議關(guān)注受益DDR5滲透的內(nèi)存配套芯片廠商，以及布局企業(yè)級(jí)內(nèi)存模組的頭部模組廠商。

中信證券主要觀點(diǎn)如下：

AI云端、終端快速成長，帶動(dòng)存儲(chǔ)需求升級(jí)。

云端角度，作為大模型訓(xùn)練主戰(zhàn)場，智能算力規(guī)?？焖贁U(kuò)容，高帶寬存儲(chǔ)器（High Bandwidth Memory，HBM）作為新型存儲(chǔ)器的子類別，能夠解決AI算力芯片性能發(fā)揮最大痛點(diǎn)——“存儲(chǔ)墻”，實(shí)現(xiàn)高速傳輸，市場需求快速爆發(fā)，該行測算到2026年全球HBM容量需求超21億GB，占DRAM總?cè)萘啃枨髮?023年的不足1%增長至超5%；終端角度，在混合AI趨勢下，端側(cè)大模型落地帶動(dòng)SoC算力升級(jí)，內(nèi)存作為算力的核心配套升級(jí)重要性凸顯，該行測算單純考慮AI帶動(dòng)下，預(yù)計(jì)到2026年P(guān)C/智能手機(jī)市場DRAM容量總需求相對(duì)于2023年將增長54%/43%。此外AI數(shù)據(jù)量大幅增長亦帶來企業(yè)級(jí)超高容量SSD的需求激增。

HBM（新型存儲(chǔ)）：HBM需求爆發(fā)進(jìn)行時(shí)，技術(shù)創(chuàng)新為供應(yīng)鏈帶來新增量。

技術(shù)來看，HBM創(chuàng)新采用3D堆疊和2.5D先進(jìn)封裝技術(shù)，通過TSV/Microbump實(shí)現(xiàn)芯片間垂直方向的互聯(lián)，大幅增加了I/O接口數(shù)量、提高帶寬，再通過2.5D CoWoS封裝和AI算力芯片結(jié)合，充分釋放算力性能。需求來看，TrendForce估算2023年市場上主流AI芯片搭載HBM總?cè)萘窟_(dá)2.9億GB；隨AI算力芯片快速迭代，配套HBM容量升級(jí)明顯，該行測算2024、2025年全球HBM容量需求年化增長超100%，占DRAM總?cè)萘啃枨髮?023年的不足1%增長至超5%。供應(yīng)鏈角度，

1）海外方面，目前三大原廠SK海力士、三星電子、美光科技幾乎壟斷全球HBM供應(yīng)，根據(jù)TrendForce，2022年三家市場份額分別為50%/40%/10%。面對(duì)需求爆發(fā)式增長，三大原廠與先進(jìn)封裝廠商配合加速擴(kuò)產(chǎn)和產(chǎn)品迭代，根據(jù)各廠商公告進(jìn)度，目前HBM3E美光科技量產(chǎn)進(jìn)度和SK海力士基本拉齊；

2）國內(nèi)方面，該行認(rèn)為后續(xù)在本土高端封測廠商和設(shè)備廠商的配合下，國內(nèi)DRAM存儲(chǔ)原廠有望跟進(jìn)HBM產(chǎn)品，對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)生增量需求。綜合來看，在需求與疊加技術(shù)創(chuàng)新周期的雙重疊加下，HBM原廠、先進(jìn)封裝、半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料等環(huán)節(jié)公司均有望持續(xù)受益。

DRAM/NAND（傳統(tǒng)存儲(chǔ)）：AI滲透率提升貢獻(xiàn)中長期重要增量，打開云端、終端傳統(tǒng)存儲(chǔ)需求空間。

云端角度，AI服務(wù)器海量的訓(xùn)練/推理任務(wù)處理和資源調(diào)度工作，以及巨量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求也帶動(dòng)與CPU配套的內(nèi)存條（DRAM）和企業(yè)級(jí)SSD（NAND Flash）規(guī)格、容量升級(jí)。該行測算在AI服務(wù)器拉動(dòng)下，2026年整體服務(wù)器內(nèi)存（DRAM）/SSD（NAND）需求容量將分別增長至139/1755億GB，AI服務(wù)器需求占比從14%/11%提升至36%/34%。終端角度，該行預(yù)計(jì)未來2年端側(cè)搭載百億以上參數(shù)大模型的PC、手機(jī)將集中問世，端側(cè)AI滲透率提升，綜合考慮到推理計(jì)算的量化壓縮以及其他程序后臺(tái)調(diào)用等需求，終端設(shè)備存儲(chǔ)容量升級(jí)需求明顯。該行測算單純考慮AI帶動(dòng)下，2026年P(guān)C/智能手機(jī)市場DRAM容量總需求相對(duì)于2023年將增長54%/43%。綜合來看，該行看好在云端DDR5滲透率提升及對(duì)企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)模組的需求，國內(nèi)存儲(chǔ)配套芯片廠商和頭部存儲(chǔ)模組廠商有望持續(xù)受益。

投資策略：

AIGC推動(dòng)AI服務(wù)器、端側(cè)AI滲透率快速增長，帶動(dòng)存力升級(jí)，提振新型存儲(chǔ)HBM、傳統(tǒng)主流存儲(chǔ)DRAM/NAND Flash需求，該行認(rèn)為存儲(chǔ)行業(yè)將迎來新的重要成長機(jī)遇。

HBM領(lǐng)域，1）存儲(chǔ)原廠：HBM原廠核心受益；2）布局先進(jìn)封裝的廠商；3）材料和設(shè)備環(huán)節(jié)相關(guān)廠商：HBM制造核心為TSV和先進(jìn)封裝工藝，該行認(rèn)為布局相關(guān)環(huán)節(jié)設(shè)備的廠商有望核心受益。

DRAM/NAND Flash領(lǐng)域，1）存儲(chǔ)配套芯片：AI服務(wù)器對(duì)內(nèi)存性能的要求有望加速DDR5滲透，國內(nèi)DDR5存儲(chǔ)配套芯片廠商有望持續(xù)受益；2）存儲(chǔ)模組：AI服務(wù)器需求爆發(fā)，帶動(dòng)企業(yè)級(jí)內(nèi)存模組、SSD的需求增長，國內(nèi)存儲(chǔ)模組廠商在企業(yè)級(jí)市場份額相對(duì)較低，目前頭部廠商正積極進(jìn)行產(chǎn)品拓展及客戶導(dǎo)入，未來國產(chǎn)替代空間廣闊。

風(fēng)險(xiǎn)因素：

全球宏觀經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇不及預(yù)期；端側(cè)AI產(chǎn)品出貨量不及預(yù)期；算力升級(jí)進(jìn)度不及預(yù)期；大模型迭代速度不及預(yù)期；存儲(chǔ)芯片價(jià)格波動(dòng)的風(fēng)險(xiǎn)；國際政治經(jīng)濟(jì)環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)。