國金證券：24年將是AI推理元年 持續(xù)看好HBM相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈公司

智通財經(jīng)APP獲悉，國金證券發(fā)布研報稱，23年是AI訓(xùn)練的元年，24年將是AI推理的元年，主要歸因于海外有望持續(xù)推出包括Sora在內(nèi)的AI應(yīng)用產(chǎn)品，疊加國內(nèi)國央企發(fā)力AI應(yīng)用，這將有力帶動AI推理的需求。芯片領(lǐng)域，該行認(rèn)為算力和存儲是兩個率先受益的領(lǐng)域，特別是在當(dāng)前國產(chǎn)化大趨勢下，算力和存儲將決定未來十年AI勝負的關(guān)鍵，國產(chǎn)HBM未來有較大的需求空間，國內(nèi)與HBM相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的公司有望加速發(fā)展。持續(xù)看好HBM相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈公司，和受益于存儲器漲價的模組及利基存儲芯片公司，重點關(guān)注香農(nóng)芯創(chuàng)(300475.SZ)、聯(lián)瑞新材(688300.SH)、通富微電(002156.SZ)、兆易創(chuàng)新(603986.SH)、江波龍(301308.SZ)等。

國金證券主要觀點如下：

HBM是AI時代的必需品：HBM解決了傳統(tǒng)GDDR遇到的“內(nèi)存墻”問題，采用了存算一體的近存計算架構(gòu)，通過中間介質(zhì)層緊湊快速地連接信號處理器芯片，極大節(jié)省了數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r間與耗能，HBM采用堆棧技術(shù)較傳統(tǒng)GDDR節(jié)省較大空間占用。在應(yīng)對未來云端AI的多用戶，高吞吐，低延遲，高密度部署需求，計算單位劇增使I/O瓶頸愈加嚴(yán)重，使用GDDR解決代價成本越來越高，HBM使得帶寬不再受制于芯片引腳的互連數(shù)量，在一定程度上解決了I/O瓶頸。綜合來看，高帶寬、低功耗、高效傳輸?shù)刃阅苁蛊涑蔀楦咚懔π酒氖走x。

HBM核心技術(shù)在于硅通孔技術(shù)(TSV)和堆疊鍵合技術(shù)，對封裝技術(shù)和散熱材料提高需求。HBM通過SIP和TSV技術(shù)將數(shù)個DRAM裸片垂直堆疊，在DRAM晶片上打數(shù)千個細微的孔，通過垂直貫通的電極連接上下芯片的技術(shù)，可顯著提升數(shù)據(jù)傳輸速度。同時，SK海力士采用MR-MUF鍵合工藝，在芯片之間用液態(tài)環(huán)氧模塑料作為填充材料，實現(xiàn)了更低的鍵合應(yīng)力和更優(yōu)的散熱性能，TSV+堆疊鍵合工藝成為當(dāng)前HBM的理想方案，但隨著堆疊層數(shù)增加，散熱要求進一步增加，混合鍵合有望成為下一代HBM4選擇的方案。但無論何種方案，HBM對EMC提出分散性和散熱性要求，EMC和填料價值量將大幅提升。

23年全球HBM產(chǎn)值約43.6億美元，2024年有望翻4倍達到169億美元。由于HBM售價高昂、獲利高，進而導(dǎo)致較高資金投入，同時，HBM較DDR5同制程與同容量尺寸大35-45%、良率則比起DDR5低約20-30%;生產(chǎn)周期也較DDR5多1.5-2個月，受益于AI需求強勁，GPU廠商提前鎖單HBM產(chǎn)能，推動三大原廠持續(xù)積極擴產(chǎn)。根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，截至2023年底，行業(yè)內(nèi)整體DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)劃生產(chǎn)HBM TSV的產(chǎn)能約為250K/m，占總DRAM產(chǎn)能(約1,800K/m)約14%，供給位元年成長約260%。2023年HBM產(chǎn)值占DRAM整體約8.4%，約43.56億美元，預(yù)估至2024年底將達169.14億美元，占DRAM產(chǎn)值約20.1%。

投資邏輯：

核心關(guān)注國內(nèi)與HBM上下游相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈廠商：該行認(rèn)為23年是AI訓(xùn)練的元年，24年將是AI推理的元年，主要歸因于海外有望持續(xù)推出包括Sora在內(nèi)的AI應(yīng)用產(chǎn)品，疊加國內(nèi)國央企發(fā)力AI應(yīng)用，這將有力帶動AI推理的需求。芯片領(lǐng)域，該行認(rèn)為算力和存儲是兩個率先受益的領(lǐng)域，特別是在當(dāng)前國產(chǎn)化大趨勢下，算力和存儲將決定未來十年AI勝負的關(guān)鍵，國產(chǎn)HBM未來有較大的需求空間，國內(nèi)與HBM相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的公司有望加速發(fā)展。

HBM對DRAM先進制程造成排擠效應(yīng)，有望推動主流DRAM持續(xù)漲價，重點關(guān)注存儲模組：歸因于三個方面：

1)三大原廠繼存儲器合約價翻揚后，開始加大先進制程的投片，產(chǎn)能提升將集中在24年下半年；

2)受益于AIPC、AI手機和服務(wù)器持續(xù)升級，預(yù)期今年DDR5、LPDDR5(X)滲透率增加至50%，將消耗更多DRAM先進制程產(chǎn)能；

3)由于HBM3e出貨將集中在今年下半年，期間同屬存儲器需求旺季，DDR5與LPDDR5(X)市場預(yù)期需求也將看增，但受到2023年虧損壓力影響，原廠產(chǎn)能擴張計劃也較謹(jǐn)慎。在各家優(yōu)先排產(chǎn)HBM情況下，有望導(dǎo)致DRAM產(chǎn)能緊張，重點建議關(guān)注受益于主流存儲漲價邏輯的存儲模組公司以及相關(guān)的存儲封測和材料公司。

存儲大廠產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5/HBM，有望加速退出利基存儲市場，將為國內(nèi)利基型存儲芯片廠商帶來發(fā)展機會：由于三大廠商加大投入HBM與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存，有望減少供應(yīng)DDR3等利基型DRAM的供應(yīng)，而隨著終端需求復(fù)蘇，利基市場有望迎來短期的產(chǎn)能緊缺，價格有望迎來上揚，核心建議關(guān)注國內(nèi)利基存儲廠商。

風(fēng)險提示：產(chǎn)能擴產(chǎn)不及預(yù)期、AI發(fā)展不及預(yù)期、技術(shù)提升不及預(yù)期等。