存儲，活過來了

受終端需求不振和產(chǎn)業(yè)鏈庫存高企影響，2022年以來，存儲行業(yè)經(jīng)歷了一場“史無前例”的危機。

三星電子利潤暴跌97%、SK海力士創(chuàng)下有史以來最大虧損、美光科技、西部數(shù)據(jù)等存儲大廠庫存攀升，存儲芯片價格跌入谷底。

Gartner報告顯示，2023年全球存儲器市場規(guī)模下降了37%，成為半導(dǎo)體市場中下降最大的細分領(lǐng)域。彼時幾家存儲大廠集體經(jīng)營虧損預(yù)估達破紀錄的50億美元，創(chuàng)下過去15年來最嚴重的低迷。存儲原廠相繼減產(chǎn)、降價、減少開支...，以應(yīng)對行業(yè)低迷。

存儲市場的“潰敗”尚歷歷在目，每一位行業(yè)玩家和親歷者仍心有余悸。

然而，縱使每一道車轍都留下了時代的印記，但周期輪轉(zhuǎn)的車輪始終在滾滾向前。

自2023年尾，2024年以來，隨著芯片庫存調(diào)整卓有成效，市場需求回暖推動，全球存儲芯片價格正從去年的暴跌中逐步回升。

這一在上論行業(yè)周期中跌宕最大，損失最慘重的賽道，似乎正在走出低谷。無論是存儲原廠的業(yè)績表現(xiàn)，還是調(diào)研機構(gòu)的市場觀察，都在印證這一觀點。

可以理解為：存儲市場，活過來了。

存儲大廠業(yè)績加速回暖

隨著手機、PC及服務(wù)器等行業(yè)市場需求的逐漸復(fù)蘇，加上存儲原廠產(chǎn)能削減措施的逐步實施，部分大類存儲產(chǎn)品的價格已觸底反彈，步入上升通道。

漲價潮令上游存儲大廠業(yè)績加速回暖。

三星電子：利潤暴增931.3%，創(chuàng)歷史最高

在行業(yè)復(fù)蘇的背景下，三星電子憑借其在內(nèi)存芯片市場的領(lǐng)先地位，實現(xiàn)了營業(yè)利潤的暴漲，為行業(yè)帶來強烈的震動。

4月5日，三星電子表示，隨著芯片價格反彈，預(yù)計第一季度營業(yè)利潤將增長931%。(三星將于4月30日公布包含詳細的完整財報)

從三星此次公布的財務(wù)預(yù)報來看，當季營收約為71萬億韓元，同比上漲11.4%;營業(yè)利潤大幅上漲至6.6萬億韓元，同比暴增931.3%。

近幾個季度以來，存儲芯片價格的持續(xù)上漲起到了積極作用。早在去年四季度，三星就開始率先對其存儲芯片進行了漲價。據(jù)此前消息顯示，三星在去年四季度對NAND Flash芯片報價上調(diào)10%至20%之后，又在今年一季度和二季度再逐季漲價20%，漲價幅度遠超乎業(yè)界預(yù)期。

在漲價的同時，三星還對于NAND Flash和DRAM進行了增產(chǎn)。

NAND方面，三星電子正在提升其位于中國西安NAND Flash閃存廠的產(chǎn)能利用率，目前已恢復(fù)到了70%左右。自2023年二季度減產(chǎn)之后，三星西安NAND Flash廠的產(chǎn)能利用率在2023下半年一度滑落至20%~30%的低谷，但是隨著2023年四季度市場需求的回暖，三星西安NAND Flash廠的產(chǎn)能利用率也開始逐步回升。

DRAM方面，三星電子的目標是到2024年第四季度晶圓產(chǎn)量達到200萬片，比去年的數(shù)字增長41%。三星現(xiàn)在的目標是通過提高生產(chǎn)水平來挽回損失的利潤，預(yù)計未來需求將會增加。

三星電子憑借其先進的生產(chǎn)工藝和龐大的產(chǎn)能規(guī)模，成功抓住了市場機遇，實現(xiàn)了業(yè)績的快速增長。其中，內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)的銷售額和利潤的大幅增長，成為推動公司整體業(yè)績提升的重要力量。

在日前舉行的年度股東大會上，三星預(yù)計2024年旗下存儲半導(dǎo)體部門銷售額有望恢復(fù)至2022年的水平，同時還定下了更高的目標——要在兩到三年內(nèi)，重新奪回全球芯片市場第一的位置。

除了芯片周期的回暖，三星還可能在近期迎來更多好消息。

上個月，英偉達CEO黃仁勛暗示，英偉達有意采購三星的HBM芯片。有韓媒爆料稱，英偉達最快將從9月開始大量購買三星電子的12層HBM3E。倘若消息落實，這將為三星電子未來的業(yè)績進一步增長帶來潛在動力。

美光科技：HBM在2024年銷售一空

3月20日，美國存儲芯片大廠美光公布了截至2024年2月29日的2024財年第二季財報，美光第二財季受益于DRAM和NAND Flash需求及價格同步上升，該季營收58億美元，同比大漲58%，環(huán)比增長23%。

美光2024財年第二季財報(圖源：美光財報)

從具體產(chǎn)品劃分收入構(gòu)成來看，美光第二財季DRAM收入環(huán)比增長21%至42億美元，占總收入的71%。這主要得益于該季DRAM平均價格上漲了10%，出貨量也有個位數(shù)百分比的增長;第二財季NAND收入環(huán)比增長了27%至16億美元，占美光總收入的27%。

根據(jù)此前美光公布的財報數(shù)據(jù)顯示，其第二財季DRAM平均價格上漲了10%;NAND Flash的平均價格漲幅超過了30%。

同時財報也顯示，產(chǎn)品漲價帶動了美光的整體毛利率提升了19個百分點。據(jù)悉，美光在該季營收、毛利率、凈利均大超預(yù)期，并成功結(jié)束連續(xù)五個季度的虧損，扭虧為盈。

從各應(yīng)用領(lǐng)域收入來看，來自數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的營收增長是最為迅猛，環(huán)比增長超過一倍。這主要得益于AI服務(wù)器的需求正在推動HBM、DDR5和數(shù)據(jù)中心SSD的快速增長。這進而也導(dǎo)致了先進的DRAM和NAND的供應(yīng)處于供不應(yīng)求當中，對所有存儲器和存儲終端市場的定價產(chǎn)生了積極的連鎖反應(yīng)。

美光在財報中強調(diào)：“我們的HBM在2024年銷售一空，2025年的絕大多數(shù)供應(yīng)已經(jīng)分配完畢。我們繼續(xù)預(yù)計HBM比特份額將在2025年的某個時候與我們的整體DRAM比特份額相等。”

美光預(yù)計，接下來每個季度的芯片價格都會上漲，重申2025財年將實現(xiàn)創(chuàng)紀錄的收入，云收入也將呈現(xiàn)季度翻倍增長，同時客戶的庫存已經(jīng)減少，急需補充新品。

不過需要指出的是，2024財年，美光的業(yè)績增長動力主要還是來自于DRAM和NAND Flash的價格上漲及需求的增長。而HBM所能夠為美光帶來的營收貢獻仍比較有限。

美光最新業(yè)績以及業(yè)績展望數(shù)據(jù)表明，美光已經(jīng)熬過整個芯片行業(yè)周期的最糟糕時期，并且重新走向盈利模式，AI熱潮帶來的存儲需求激增可謂核心驅(qū)動力。

美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在業(yè)績會議上向投資者承諾，2024年將標志著存儲行業(yè)大幅反彈，2025年則將達到創(chuàng)紀錄的銷售額水平。但這也意味著美光需要加大產(chǎn)能制造足夠數(shù)量的HBM存儲，這需要與英偉達等AI芯片廠商緊密合作，幫助數(shù)據(jù)中心運營商們加快AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)步伐以及開發(fā)更多的人工智能軟件。

SK海力士：率先扭虧為盈

SK海力士是存儲巨頭中率先實現(xiàn)全公司單季度扭虧的公司。

據(jù)財報顯示，SK海力士2023財年第四季度結(jié)合并收入為11.306萬億韓元，營業(yè)利潤為0.346萬億韓元，成功實現(xiàn)扭虧為盈。SK海力士僅時隔一年就擺脫了從2022年第四季度以來一直持續(xù)的營業(yè)虧損。

SK海力士季度毛利率和凈利率表現(xiàn)(圖源：SK海力士財報)

順應(yīng)高性能DRAM需求的增長趨勢，SK海力士將順利進行用于AI的存儲器HBM3E的量產(chǎn)和HBM4的研發(fā)，同時將DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量產(chǎn)品及時供應(yīng)于服務(wù)器和移動端市場。

對于市況復(fù)蘇相對緩慢的NAND閃存，SK海力士2023年主要集中于投資和費用的效率化。后續(xù)，SK海力士決定通過以eSSD等高端產(chǎn)品為主擴大銷售，改善盈利并加強內(nèi)部管理。

除此之外，從鎧俠、西部數(shù)據(jù)以及存儲器終端廠商發(fā)布的最新財報中也可以看出，各大廠商業(yè)績均迎來較好表現(xiàn)。

2024年，存儲行業(yè)步入上行周期

眼下存儲芯片最核心的三大應(yīng)用市場，即手機、PC和服務(wù)器，已基本突破了“黑暗期”。同時，以智能汽車、AI為代表的新興市場的興起，將在未來推動存儲產(chǎn)業(yè)的需求進一步增加。

從行業(yè)角度看，根據(jù)TrendForce預(yù)測數(shù)據(jù)，不論是DRAM還是NAND Flash，2024年的整體存儲合約均價有望呈現(xiàn)逐季上漲態(tài)勢，同時通過觀察以三星、SK海力士為代表的頭部存儲廠商近期業(yè)績的環(huán)比改善變化，存儲行業(yè)有望在2024年步入上行周期。

有業(yè)內(nèi)人士表示，去年三、四季度是存儲大廠減產(chǎn)限制供應(yīng)所帶動的漲價;而如今漲價主要是因為新需求增加所帶動的，接下來延續(xù)漲價沒有懸念。

此前韓國公布今年3月份芯片出口額年增35.7%，達到117億美元，創(chuàng)下2022年3月以來的最佳單月表現(xiàn)。這一數(shù)據(jù)也顯示出，目前半導(dǎo)體市場在經(jīng)歷低谷之后，已經(jīng)開始逐步反彈。

TrendForce集邦咨詢的統(tǒng)計顯示，今年一季度DRAM芯片價格較前一季度增加約20%，而NAND Flash芯片價格漲幅在23%-28%之間。展望第二季度，TrendForce預(yù)估DRAM合約價季漲幅將為3%-8%;預(yù)估第二季NAND Flash合約價季漲13%-18%。

圖源：TrendForce集邦咨詢

調(diào)研機構(gòu)Yole也表示，2024年DRAM市場“前景光明”，這是因為工廠利用率較低，制造商庫存已經(jīng)正?；?，供需平衡已經(jīng)建立。

數(shù)據(jù)中心對人工智能加速器的需求持續(xù)增長，也推動了對HBM的需求增加，HBM的平均售價約為DRAM整體平均售價的六倍。數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器是DRAM需求最大的市場，約占2023年DRAM出貨量的50%。隨著HBM和CXL等新技術(shù)的建立，對數(shù)據(jù)中心的需求預(yù)計將進一步增長。此外，受COVID-19大流行期間購買替換PC的需求以及支持生成式AI的新型智能手機的需求的推動，消費設(shè)備對DRAM的需求也在增加。

DRAM平均售價趨勢及預(yù)測(圖源：Yole)

Yole預(yù)計NAND市場將在2024年復(fù)蘇。隨著個人電腦和高端智能手機融入新一代人工智能技術(shù)，消費電子產(chǎn)品的需求將會增加，數(shù)據(jù)中心對固態(tài)硬盤的需求預(yù)計也會增加。制造商的過剩庫存將通過利用率管理得到消除，市場將出現(xiàn)輕微供應(yīng)不足的情況，預(yù)計2024年全年產(chǎn)品價格將上漲。受此影響，下半年行業(yè)整體營業(yè)利潤率或?qū)⑥D(zhuǎn)正。

每種 NAND 應(yīng)用的需求趨勢和預(yù)測(圖源：Yole)

可見，存儲市場迎來了第二個春天。

存儲巨頭，競爭日趨白熱化

在存儲市場回暖之際，存儲芯片大廠們也在圍繞新產(chǎn)品和技術(shù)進行競爭布局。

HBM，爭奪焦點

HBM作為一種高帶寬大容量存儲器，HBM通過TSV硅通孔技術(shù)實現(xiàn)垂直堆疊，具有高速高帶寬、低功耗、小體積等特點，專門用于高性能計算和圖形處理領(lǐng)域。

在AI需求的推動下，成為未來五年市場增速的必經(jīng)之路。據(jù)SK海力士預(yù)測，2022年至2025年間，HBM市場需求將以109%的復(fù)合年增長率高速增長。

在此趨勢下，國際巨頭紛紛加入競爭，SK海力士、三星和美光等頭部存儲廠商正在積極投資HBM技術(shù)，預(yù)計未來幾年其產(chǎn)能和出貨量將大幅提升，以滿足AI等新興領(lǐng)域?qū)Ω邘挕⒌凸姆庋b解決方案的需求。

過去10年里，HBM技術(shù)性能不斷升級迭代，已經(jīng)成為高性能計算領(lǐng)域重要的技術(shù)基石之一。

目前市場上的主流產(chǎn)品仍為HBM2E。英偉達的 A100/A800、AMD的 MI200，及多數(shù)自研AI加速芯片均采用HBM2E。不過隨AI芯片的更新疊代，預(yù)計2024年的主流產(chǎn)品規(guī)格將轉(zhuǎn)稱到HBM3與HBM3E上。

尤其是HBM3E產(chǎn)品的研發(fā)和推廣，市場競爭已進入白熱化階段。如英偉達的B100、H200 將采用最新HBM3E產(chǎn)品。

盡管目前HBM3E還在進行性能驗證，但HBM4相關(guān)技術(shù)創(chuàng)新競賽已經(jīng)在各大存儲原廠之間展開。

SK海力士表示，公司在籌備支持HBM3E方面穩(wěn)步地取得進展，將推進大規(guī)模生產(chǎn)HBM3E。同時正處于開發(fā)下一代HBM4產(chǎn)品的正軌之上，提出了在2026年推出"HBM4 "的藍圖，其將擁有12層或16層D-RAM。SK海力士還透露，將把下一代后處理技術(shù)“混合鍵合”應(yīng)用于HBM4產(chǎn)品。與現(xiàn)有的“非導(dǎo)電膜”工藝相比，該技術(shù)提高了散熱效率并減少了布線長度，從而實現(xiàn)了更高的輸入/輸出密度。

三星電子在面向高性能計算的HBM內(nèi)存也迎來了新進展：一是已經(jīng)向客戶提供9.8Gbps的HBM3E產(chǎn)品樣品;二是計劃在2025年推出HBM4內(nèi)存產(chǎn)品，以贏得快速增長的人工智能芯片領(lǐng)域迫切激烈戰(zhàn)爭的主導(dǎo)權(quán)。

在HBM芯片上，美光科技也加快了追趕兩家韓國存儲巨頭的步伐。前不久，美光宣布已開始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案。英偉達H200 TensorCore GPU將采用美光8層堆疊的24GB容量HBM3E內(nèi)存，并于2024年第二季度開始出貨。

美光利用其1β技術(shù)、先進的TSV工藝和其他實現(xiàn)差異化封裝解決方案來生產(chǎn)HBM3E產(chǎn)品，有助于公司在數(shù)據(jù)中心級產(chǎn)品上提升技術(shù)競爭實力和市場占有率。

盡管美光科技在HBM4上沒有太多的公開信息，但其披露了暫名為HBMnext的下一代HBM內(nèi)存。這極有可能就是其HBM4技術(shù)研發(fā)計劃。

美光科技披露面向AI基礎(chǔ)設(shè)施需求的解決方案路線圖

美光科技首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在電話會議上曾表示：“面對AI給半導(dǎo)體行業(yè)帶來的多年機遇，美光科技將是最大的受益者之一?！盚BM技術(shù)作為美光科技的創(chuàng)收新引擎，將與英偉達新款A(yù)I GPU全面綁定。

目前，據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年SK海力士占據(jù)了46%-49%的HBM市場份額，三星市場份額也差別不大，美光目前只占有4%-6%的市場份額。據(jù)行業(yè)人士觀點，在美光新品持續(xù)發(fā)力情況下，受到美國地緣優(yōu)勢影響，美國本地科技巨頭或加大采購力度，助力其市場份額提升。

可以說，在AI這一主需求推動下，未來三星電子、SK海力士和美光三大存儲巨頭將成為彼此最大的競爭對手，而HBM4也將成為其在高算力賽道上下一個競爭點。

然而，在廣闊的市場前景推動下，全球HBM產(chǎn)能逐漸告急，廠商積極擴產(chǎn)。SK海力士和美光此前均表示，公司2024年的HBM已經(jīng)售罄。面對強大的產(chǎn)能需求，各大廠商開始擴充產(chǎn)能，其中以三星和SK海力士最為積極。

據(jù)了解，三星HBM總產(chǎn)能至年底將達約130K(含TSV);SK海力士約120K，但產(chǎn)能會依據(jù)驗證進度與客戶訂單持續(xù)而有變化;美光相對較少，約為20K。

三星執(zhí)行副總裁兼DRAM產(chǎn)品與科技部長Hwang Sang-joong在Memcon 2024會議上表示，三星HBM產(chǎn)能有望年增2.9倍，高于其稍早在CES 2024期間提到的2.4倍。此外，三星預(yù)測，該公司2026年HBM出貨量比2023年高13.8倍，2028年比2023年高23.1倍。

SK海力士則計劃將2024年的生產(chǎn)重心放在HBM等高端存儲產(chǎn)品上，預(yù)計今年HBM產(chǎn)能對比去年將增加1倍以上。SK海力士Kwak Noh-Jung近日在股東大會上亦表示，預(yù)計2024年HBM占整體DRAM銷售達兩位數(shù)，2025年供應(yīng)依舊緊張。

美光有望在2024財年從HBM中獲得數(shù)億美元的收入，并預(yù)計從第三財季開始，HBM收入將增加其DRAM和整體毛利率。上面提到，美光2024年的HBM產(chǎn)能已售罄，并且2025年的絕大多數(shù)供應(yīng)已分配完畢。

NAND層數(shù)，疊疊不休

此外，主流廠商正在逐步加緊3D NAND的研究。

自三星2013年設(shè)計出垂直堆疊單元技術(shù)后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯片層數(shù)上。隨著3D堆疊時代的到來，在三星、鎧俠、SK海力士、美光等存儲廠商的不斷推動下，NAND Flash閃存堆疊層數(shù)不斷被刷新。

目前，各大廠商的NAND閃存堆疊層數(shù)均已突破200層，并持續(xù)向更高層數(shù)的NAND Flash邁進。

從各廠商情況來看，SK海力士在2023年展示了其最新300層3D NAND產(chǎn)品原型，計劃明年初開始使用其三堆棧技術(shù)生產(chǎn)321層NAND產(chǎn)品。

據(jù)Kedglobal日前報道，三星電子將于本月晚些時候開始批量生產(chǎn)290層第九代V-NAND閃存芯片，以引領(lǐng)行業(yè)向高堆疊高密度閃存過渡的競爭對手。V9 NAND是繼三星當前旗艦236層V8閃存產(chǎn)品后的一款尖端產(chǎn)品，面向大型企業(yè)服務(wù)器以及人工智能和云設(shè)備。

隨著人工智能時代對高性能和大型存儲設(shè)備的需求增長，三星還計劃明年推出430層NAND芯片。三星高管還曾多次表示，公司目標是到2030年開發(fā)超過1000層的NAND芯片，以實現(xiàn)更高的密度和存儲能力。

鎧俠和西部數(shù)據(jù)于2023年推出218層3D NAND閃存，但鎧俠和西部數(shù)據(jù)2024年的生產(chǎn)重點仍然是112層技術(shù)。在日本政府補貼的支持下，218層技術(shù)的設(shè)備安裝預(yù)計將于2H24開始，更樂觀地預(yù)測2025年218層產(chǎn)量。

從鎧俠目前的工藝發(fā)展規(guī)劃來看，218層以上的產(chǎn)品將直接向300層以上的工藝邁進，希望能夠?qū)崿F(xiàn)更好的成本結(jié)構(gòu)，重新獲得技術(shù)和成本方面的領(lǐng)先地位。近日，鎧俠在東京城市大學的應(yīng)用物理學會春季會議上宣布，計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。

再看美光，2022年美光實現(xiàn)232層NAND閃存產(chǎn)品的出貨。根據(jù)后續(xù)的報道，美光已經(jīng)制定了發(fā)展到 500 多層的路線圖。

綜合來看，對于NAND未來如何發(fā)展，如上所述，不同廠商又不同的方案。今年三月，業(yè)內(nèi)知名機構(gòu)techinsights從他們的角度，分享了3D NAND技術(shù)路線圖。

Techinsights表示，兩三年后，我們或許就能看到超過500層的3D NAND產(chǎn)品，甚至五年后就能看到超過600層或700層的封裝解決方案，采用更先進和優(yōu)化的混合鍵合技術(shù)。

爭霸CXL

在HBM的競爭方興未艾，存儲巨頭在CXL等存儲上開啟了新一輪的爭霸戰(zhàn)。

隨著生成型人工智能和數(shù)據(jù)中心中要處理的數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級增長，CXL是一種與HBM一起作為下一代存儲器而備受關(guān)注的產(chǎn)品。CXL的優(yōu)點是“靈活增加內(nèi)存容量”。該技術(shù)是一種基于PCIe的集成接口標準，用于高效構(gòu)建高性能計算系統(tǒng)，并且由于通過增加服務(wù)器系統(tǒng)的內(nèi)存帶寬來提高性能并且易于擴展內(nèi)存容量而受到關(guān)注。

三星電子和 SK 海力士將 CXL 視為“下一代內(nèi)存的新機遇”，并在兩年前積極披露該技術(shù)，一直致力于擴大市場生態(tài)系統(tǒng)。由于英特爾準備在今年下半年推出第5代Xeon處理器，這是首款符合CXL 2.0標準的CPU，兩家公司的目標是在今年量產(chǎn)CXL 2.0內(nèi)存產(chǎn)品，并擴大產(chǎn)能認真供應(yīng)。

三星電子和SK海力士推出了大量用于AI的下一代內(nèi)存 CXL新技術(shù)。

去年5月，三星電子宣布在業(yè)界首次開發(fā)支持CXL 2.0的128GB DRAM，同年12月共開發(fā)出4款產(chǎn)品，其中包括三星CMM-D、三星CMM-DC、三星CMM-H 和三星CMM-HC CXL產(chǎn)品的推出是通過一次性申請四個商標來宣布的。CMM 代表 CXL 內(nèi)存模塊，在三星內(nèi)部，CXL 統(tǒng)稱為 CMM。

此外，三星電子去年12月與企業(yè)Linux公司Red Hat成功驗證了CXL內(nèi)存的運行。此外，三星電子正在重點開發(fā)CXL控制器，以用自己的產(chǎn)品取代從中國無晶圓廠公司瀾起科技購買的CXL控制器。

SK海力士于2022年8月推出支持CXL 2.0的96GB DRAM樣品，并于同年10月宣布開發(fā)出業(yè)界首款集成基于CXL計算功能的內(nèi)存解決方案CMS。去年10月，SK海力士參加了在美國加利福尼亞州舉行的“OCP全球峰會2023”，通過展示基于XL的CMS和拉取存儲器解決方案來展示其技術(shù)。

CXL內(nèi)存未來增長潛力巨大。市場研究公司Yole Development預(yù)測，到2028年，全球CXL市場將增至超過150億美元。CXL控制器市場預(yù)計將從2022年的9600萬美元增至2029年的7.627億美元.

爭相擴產(chǎn)

為了應(yīng)對未來的需求，有消息透露，三星還計劃加碼投資其在美國德州的半導(dǎo)體工廠，增長超過1倍的資金，總規(guī)模約為440億美元，大部分新支出將集中在泰勒市附近。據(jù)知情人士透露，三星計劃再新蓋一座芯片廠，以及一座先進封裝廠與研發(fā)設(shè)施，并將研發(fā)作業(yè)集中在一起，投資規(guī)模因市場狀況來調(diào)整。

據(jù)悉，三星擴大投資的活動預(yù)計將于4月15日在泰勒舉行，HBM、2.5D和3D封裝技術(shù)或?qū)⑹侨谴舜瓮顿Y的重點。

SK海力士在用于AI的存儲器市場掌握主導(dǎo)權(quán)，隨后為了加強技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力考慮在美國投資先進后端工藝領(lǐng)域，并尋找最合適的地點。美國聚集了AI領(lǐng)域的大型科技客戶，也在積極推進先進后端工藝方面的技術(shù)研究。

2024年4月4日，SK海力士宣布，在美國印第安納州西拉斐特建造適于AI的存儲器先進封裝生產(chǎn)基地，同時與美國普渡大學等當?shù)匮芯繖C構(gòu)進行半導(dǎo)體研究和開發(fā)合作，計劃向該項目投資38.7億美元。

SK海力士表示，印第安納州工廠預(yù)計在2028年下半年開始量產(chǎn)新一代HBM等適于AI的存儲器產(chǎn)品，將以此領(lǐng)先激活全球AI半導(dǎo)體供應(yīng)鏈?！?/p>

另外，SK海力士還將順利推進已計劃的韓國國內(nèi)投資項目，計劃投資120萬億韓元建設(shè)的龍仁半導(dǎo)體集群目前正在進行用地在建工程。SK海力士計劃在明年3月開工建造第一座工廠，并于2027年初完工。而且還將建造“迷你工廠”以此加強材料、零部件、設(shè)備生態(tài)系統(tǒng)。據(jù)悉，迷你工廠是為了驗證半導(dǎo)體材料、零部件、設(shè)備等，具備300毫米晶圓工藝設(shè)備的研究設(shè)施。

在擴產(chǎn)進度上，美光管理層表示，2024財年新工廠和設(shè)備的預(yù)算將維持在75億美元至80億美元，并且該公司將繼續(xù)在中國、日本和印度開展項目。

其中，美光前不久宣布其位于西安的封裝和測試新廠房已正式破土動工。此前，在2023年6月，美光宣布在西安追加投資43億元人民幣，該投資計劃包括加建上述的封裝和測試新廠房以及收購力成半導(dǎo)體(西安)有限公司的封裝設(shè)備。其中加建的新廠房將引入全新產(chǎn)線，制造更廣泛的產(chǎn)品解決方案，包括但不限于移動DRAM、NAND及SSD，從而拓展西安工廠現(xiàn)有的DRAM封裝和測試能力。據(jù)悉，該新廠房預(yù)計將于2025年下半年投產(chǎn)，并根據(jù)市場需求逐步增產(chǎn)。新廠房落成后，美光西安工廠的總面積將超過13.2萬平方米。

存儲市場，新一輪成長黎明期

從存儲芯片歷史發(fā)展來看，3-4年時間約為一個周期，當前處于第五輪周期起點。從2000年之后，存儲行業(yè)周期表現(xiàn)明顯，電子消費品的創(chuàng)新能快速提升存儲芯片的整體需求，以 2000、2009、2017 年為例，是互聯(lián)網(wǎng)時代、移動互聯(lián)網(wǎng)、云計算大規(guī)模投入的三個重要窗口期。

而2004年和2020年的PC迭代與手機的換機周期導(dǎo)致市場反彈較為疲軟，同時在各個周期環(huán)節(jié)中，供給端的縮量增價等行為往往滯后于需求的快速爆發(fā)，因此在價格周期底部布局能夠獲得較大彈性。

全球半導(dǎo)體重要時間出現(xiàn)節(jié)點

存儲芯片賽道屬于高成長強周期行業(yè)，現(xiàn)在當下時點是存儲芯片賽道下一輪周期的新起點。隨著供需格局逐步改善，存儲需求不斷擴大的前提下，存儲芯片價值穩(wěn)步提升，行業(yè)進入復(fù)蘇周期。

據(jù)了解，存儲芯片銷售額走勢與整體半導(dǎo)體走勢高度協(xié)同，但波動性位于行業(yè)第一。從歷史數(shù)據(jù)來看，半導(dǎo)體以及存儲細分賽道呈現(xiàn)出趨同的周期性，但存儲板塊波動性位于行業(yè)第一位。

世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織預(yù)測，2024年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模有望達到5884 億美元，同比增長13.1%，其中存儲器細分賽道的占比將上升到22.06%，市場規(guī)模將上漲到1298億美元，同比增加44.8%，漲幅位居半導(dǎo)體細分領(lǐng)域之首。

可見，在整體行業(yè)處于下行周期時，存儲市場往往會受到更大沖擊，而相應(yīng)地若處于從低谷持續(xù)回暖的上行周期，存儲芯片市場也將會相對受益更多。

如今隨著芯片行業(yè)踏入復(fù)蘇周期，作為典型的周期成長行業(yè)，存儲市場已經(jīng)擺脫了前幾個季度連續(xù)下滑的最壞時刻，迎來新一輪成長的黎明期。