方正證券：24Q1利基存儲價格拐點已現(xiàn) 繼續(xù)強(qiáng)烈看多存儲板塊

智通財經(jīng)APP獲悉，方正證券發(fā)布研究報告稱，4月3日中國臺灣花蓮海域地震，從FAB廠分布來看，除臺積電、聯(lián)電兩大Foundry外，中國臺灣FAB產(chǎn)能主要為存儲，其中包括美光DRAM的主要產(chǎn)能，以及南亞、華邦、旺宏三家利基型存儲的產(chǎn)能，后續(xù)或面臨產(chǎn)線檢修影響。結(jié)合近期三星上調(diào)企業(yè)級SSD漲幅，24Q1利基存儲價格拐點已現(xiàn)，該行繼續(xù)強(qiáng)烈看多存儲板塊。

方正證券觀點如下：

存儲產(chǎn)品價格持續(xù)上漲。

現(xiàn)貨價格來看，NandFlashWafer價格持續(xù)上揚(yáng)。DRAM價格同樣全線上漲，該行預(yù)計隨著AI等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅苡嬎愕男枨?，DDR5產(chǎn)品有望迎來量價齊升。合約價來看，TrendForce預(yù)計24Q2NANDFlash合約價格將大幅上漲13%-18%，其中企業(yè)級SSD漲幅最高，達(dá)20-25%。

DRAMQ2合約價預(yù)計季增3-8%。4月3日中國臺灣花蓮海域地震，從FAB廠分布來看，除臺積電、聯(lián)電兩大Foundry外，中國臺灣FAB產(chǎn)能主要為存儲，其中包括美光DRAM的主要產(chǎn)能，以及南亞、華邦、旺宏三家利基型存儲的產(chǎn)能，后續(xù)或面臨產(chǎn)線檢修影響。結(jié)合近期三星上調(diào)企業(yè)級SSD漲幅，24Q1利基存儲價格拐點已現(xiàn)，該行繼續(xù)強(qiáng)烈看多存儲板塊。

AI加速存力擴(kuò)容，產(chǎn)品切換加劇產(chǎn)能緊缺。

站在當(dāng)前時點對比上一輪周期，技術(shù)端來看，AI服務(wù)器需求快速增長，由此帶動HBM加速迭代，數(shù)據(jù)中心SSD及DRAM也在持續(xù)升級，由此滿足新一代數(shù)據(jù)中心及智能設(shè)備終端的產(chǎn)品需求。需求端來看，HBM產(chǎn)能已排至2025年，服務(wù)器、PC、智能手機(jī)仍處于AI全面滲透的早期階段，AIPhone、AIPC都將在2024~2025年開啟放量，由此在未來幾年全面帶動各大應(yīng)用領(lǐng)域的存儲容量加速擴(kuò)張。從供給端來看，原廠處于產(chǎn)能切換的關(guān)鍵期，DRAM產(chǎn)能從DDR4向DDR5切換，將造成產(chǎn)能自然消耗30%，而HBM晶圓產(chǎn)能消耗是DDR5的3倍，將進(jìn)一步加劇存儲產(chǎn)能緊缺。原廠謹(jǐn)慎規(guī)劃資本開支，24年新增資本開支主要用于高端產(chǎn)品產(chǎn)能擴(kuò)張。產(chǎn)能緊缺伴隨需求持續(xù)增長，將推動存儲價格持續(xù)上行。

HBM供不應(yīng)求，三大原廠競逐HBM3E。

SK海力士預(yù)計中長期內(nèi)HBM需求的年增長率將達(dá)到約60%，三星預(yù)測2026年HBM出貨量比2023年高13.8倍，2028年HBM年比2023年高23.1倍。盡管SK海力士、三星電子和美光科技均在積極擴(kuò)產(chǎn)，但HBM供應(yīng)依舊緊張。SK海力士表示2024年HBM產(chǎn)能已售罄，美光也表示2024年HBM產(chǎn)能已全部售罄，且2025年大部分產(chǎn)能也已分配完。同時三大家也正在推進(jìn)HBM3E及最新產(chǎn)品的測試及量產(chǎn)。SK海力士當(dāng)前HBM3E已實現(xiàn)量產(chǎn)，預(yù)計HBM長期需求增長率超60%，同時公司已攜手臺積電，合作開發(fā)HBM4。美光宣布已開始量產(chǎn)HBM3E，并于2024Q2開始出貨。三星已開始向客戶提供HBM3E12H樣品，預(yù)計24H2開始大規(guī)模量產(chǎn)。

風(fēng)險提示：下游需求不及預(yù)期，研發(fā)進(jìn)度不及預(yù)期，行業(yè)競爭加劇。