中金：看好存儲(chǔ)行業(yè)維持景氣向上 建議關(guān)注利基存儲(chǔ)、內(nèi)存接口芯片等賽道

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，中金發(fā)布研報(bào)稱，隨著下游手機(jī)、PC、服務(wù)器等行業(yè)需求的逐步復(fù)蘇以及存儲(chǔ)原廠削減產(chǎn)能逐步落地，從3Q23開(kāi)始部分大類存儲(chǔ)的價(jià)格開(kāi)始觸底反轉(zhuǎn)步入上行通道，相關(guān)國(guó)內(nèi)外廠商股價(jià)均有所表現(xiàn)。站在當(dāng)前時(shí)點(diǎn)該行依舊看好行業(yè)整體有望維持景氣向上趨勢(shì)，同時(shí)建議積極關(guān)注各細(xì)分產(chǎn)業(yè)鏈賽道。1）大類存儲(chǔ)受益于HBM供不應(yīng)求，供需格局有望持續(xù)優(yōu)化。2）利基存儲(chǔ)有望跟隨大類存儲(chǔ)步入上行通道。3）服務(wù)器去庫(kù)存接近尾聲疊加DDR5滲透率提升利好內(nèi)存接口芯片賽道。

中金主要觀點(diǎn)如下：

周期復(fù)盤(pán)：1）根據(jù)市場(chǎng)規(guī)模變化情況，我們可以看到存儲(chǔ)芯片的波動(dòng)周期大概是3至4年為一個(gè)周期。歷史上周期上行主要驅(qū)動(dòng)因素有終端銷量爆發(fā)、新技術(shù)投入應(yīng)用、晶圓廠合并/減產(chǎn)/產(chǎn)能不足等因素。周期下行的因素包括產(chǎn)能過(guò)剩、國(guó)際經(jīng)濟(jì)形勢(shì)影響及需求疲軟等。2）股價(jià)相較于公司的基本面具有一定的領(lǐng)先性，時(shí)間在1~2個(gè)季度不等。3）利基存儲(chǔ)與大類存儲(chǔ)趨勢(shì)同步性較高，從供給和下游需求結(jié)構(gòu)來(lái)看有一定的重合度。

存儲(chǔ)芯片：大類存儲(chǔ)供給端產(chǎn)能去化初見(jiàn)成效，需求端景氣度逐漸修復(fù)，價(jià)格有望持續(xù)上行。DDR4因產(chǎn)能受HBM及DDR5擠壓形成缺貨，我們預(yù)計(jì)DDR4系列產(chǎn)品1Q24景氣持續(xù)；客戶補(bǔ)庫(kù)需求推動(dòng)NAND淡季不淡；HBM系產(chǎn)品及DDR5乘AI算力東風(fēng)，供不應(yīng)求，價(jià)格維持高位。利基存儲(chǔ)廠商營(yíng)收環(huán)比向好，行業(yè)回暖趨勢(shì)已較為明朗。

存儲(chǔ)模組：上游存儲(chǔ)芯片價(jià)格起漲帶動(dòng)模組價(jià)格同漲，下游服務(wù)器等產(chǎn)品需求修復(fù)抬高供給價(jià)格。當(dāng)前存儲(chǔ)芯片價(jià)格反彈提升模組廠商備貨意愿+臺(tái)、陸模組廠商于3Q23開(kāi)始戰(zhàn)略性備貨，我們認(rèn)為模組端庫(kù)存有望于2024年逐步釋放。

內(nèi)存接口芯片：1）服務(wù)器出貨量增加、AI服務(wù)器出貨占比擴(kuò)大帶動(dòng)內(nèi)存接口芯片需求上漲。2）DDR5滲透率提升+子代迭代速度快對(duì)配套內(nèi)存接口芯片及套片存在強(qiáng)需求。

HBM：HBM的應(yīng)用緩解了“內(nèi)存墻”的問(wèn)題。根據(jù)SK海力士估算， HBM的需求在2022至2025年之間的CAGR增速將達(dá)到109%。SK海力士、三星電子、美光科技三大家競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)入白熱化，各自發(fā)力HBM3E產(chǎn)品。

風(fēng)險(xiǎn)

AI應(yīng)用推進(jìn)不及預(yù)期，各大原廠減產(chǎn)幅度不及預(yù)期。