東吳證券：N型低氧單晶爐迎新一輪技術(shù)迭代 利好硅片設(shè)備商

智通財經(jīng)APP獲悉，東吳證券發(fā)布研究報告稱，連城數(shù)控發(fā)布KX420PV單晶爐新品，采用MCCz單晶生長技術(shù)，通過引入磁場實現(xiàn)更低的氧碳含量、更高的少子壽命。N型硅片存在同心圓問題，要求更低氧含量，磁場可以解決這個問題，主要系磁場會抑制硅溶液的流動，使硅溶液變得很粘稠，硅溶液流動變慢后，氧含量就會下降。硅片設(shè)備環(huán)節(jié)推薦晶盛機電(300316.SZ)、高測股份(688556.SH);電池片設(shè)備環(huán)節(jié)推薦邁為股份(300751.SZ);組件設(shè)備環(huán)節(jié)推薦奧特維(688516.SH);熱場環(huán)節(jié)推薦金博股份(688598.SH)。

東吳證券主要觀點如下：

N型硅片存在同心圓問題，要求更低氧含量：

N型對晶體品質(zhì)和氧碳含量要求很高，典型問題是由原生氧造成造成的同心圓、黑芯片問題，形成原因系高溫的硅溶液在坩堝里進行相對高速的對流，因為外面熱中間冷，底部熱上面冷，硅溶液在坩堝內(nèi)會形成類似“開鍋”的現(xiàn)象，造成硅溶液內(nèi)部出現(xiàn)流動，不停沖刷石英坩堝，而石英就是二氧化硅，其中含有的氧會在沖刷過程中融入硅溶液，造成晶體里含有較多的氧。

而TOPCon后續(xù)的高溫工藝(如B擴散)下，氧非常容易沉淀，形成氧環(huán)即同心圓，影響效率和良率，所以TOPCon對硅片氧含量更敏感;而HJT為低溫工藝，出現(xiàn)同心圓的概率不高，可以選擇高氧含量的硅片。

增加磁場是有效改善方案之一，目前成本較高：

磁場可以解決這個問題，主要系磁場會抑制硅溶液的流動，使硅溶液變得很粘稠，硅溶液流動變慢后，氧含量就會下降，目前半導體級的超導磁場約500萬元+/臺，光伏級約300萬元+/臺，主要系冷凍機、超導線材等成本較高，該行預計未來有望降低至100萬/臺。

除了磁場方案以外，改變坩堝形狀、減少坩堝旋轉(zhuǎn)、減少晶體旋轉(zhuǎn)等方式也能夠改善同心圓問題，但如果改變工藝參數(shù)，對長晶影響非常大，而增加磁場對所有的長晶環(huán)節(jié)都是有幫助的，唯一的缺點是價格高。

多家設(shè)備商均積極布局低氧型單晶爐：

(1)晶盛機電：5月22日(今天)新品發(fā)布會將發(fā)布第五代新品單晶爐。

(2)奧特維：子公司松瓷機電推出高性價比的低氧型單晶爐SC-1600-LO?，主要通過熱場工藝模擬、軟控算法增加控氧功能模塊等方式，同等條件下，可實現(xiàn)氧含量降低24%以上，同心圓可降低50%，試驗線驗證數(shù)據(jù)電池片效率提升0.1%。

(3)連城數(shù)控：推出KX420PV新品單晶爐，采用MCCz技術(shù)，通過外加磁場的引入可有效抑制硅熔體熱對流，降低氧的形成和傳輸，同時結(jié)合全新設(shè)計的氬氣吹掃方案、大尺寸排氣管道及低流阻設(shè)計，匹配大抽速真空干泵和可升降式加熱器，最大程度帶走氧雜質(zhì)。目前連城數(shù)控已深度掌握磁場模塊(永磁場、勾型磁場及水平磁場、超導磁場)用于光伏單晶生長的一系列方案。

風險提示：下游擴產(chǎn)不及預期，研發(fā)不及預期。