IGBT市場高速增長賽晶科技（00580）業(yè)績改善可期

作者：智通元宇中小市值研究中心 2023-02-28 14:18:05

在IGBT市場高速增長的背景下，公司有望持續(xù)受益。

一、IGBT市場高速增長，公司有望持續(xù)受益

從IGBT下游應(yīng)用領(lǐng)域的分布來看，新能源汽車、消費電子和工業(yè)控制合計占比78%，三大行業(yè)占比分別為31%、27%和20%。其中，尤其是新能源汽車是推動IGBT市場高速增長的最主要動力。從月度數(shù)據(jù)來看，2011年12月中國新能源汽車銷量582輛，2022年12月中國新能源汽車銷量813842輛，月度同比復(fù)合增速高達(dá)93.18%。高速增長的新能源汽車產(chǎn)業(yè)使得IGBT未來需求空間巨大。根據(jù)Maximize Market Research，2021年全球IGBT市場規(guī)模55.8億美元，預(yù)計2029年市場規(guī)模將有望達(dá)到138.7億美元，年化復(fù)合增速12.05%。在IGBT市場高速增長的背景下，公司有望持續(xù)受益。

圖1：IGBT應(yīng)用領(lǐng)域占比

資料來源：中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)

圖2：中國新能源汽車銷量（月度）

資料來源：WIND

圖3：全球IGBT市場規(guī)模

資料來源：Maximize Market Research

二、國產(chǎn)替代空間大

全球IGBT市場集中度高，中國廠商市場份額偏低，國產(chǎn)替代空間巨大。根據(jù)Maximize Market Rsearch，2018年全球前五大IGBT廠商均為海外廠商，五大廠商市場份額合計占比達(dá)67%。其中Infineon英飛凌、Mitsubishi三菱、Fuji富士、ON Semi安森美和Semikron賽米控分別占比為29%、15%、10%、7%和6%。

圖4：全球IGBT市場競爭格局

資料來源：Maximize Market Research

三、新品性能優(yōu)良，業(yè)績改善可期

公司盈利能力的下降主要系新品持續(xù)推出研發(fā)開支增加所致。2019、2020和2021年連續(xù)三年研發(fā)開支增速分別達(dá)到14.97%、12.58%和20.9%，銷售凈利率分別為14.33%、14.37%和1.99%。

新品性能優(yōu)良，未來業(yè)績可期。2023年1月，公司推出最新研發(fā)成果：i20系列1700V IGBT芯片組和ST封裝IGBT模塊。賽晶i20系列1700V IGBT芯片組，基于經(jīng)典的溝槽柵及場截止芯片結(jié)構(gòu)，采用了窄臺面、優(yōu)化N-型增強層、短溝道、3D結(jié)構(gòu)、優(yōu)化P+層等多項行業(yè)前沿理念的優(yōu)化設(shè)計，具有大功率、低損耗、高可靠性等卓越的芯片性能，代表了國內(nèi)同類芯片技術(shù)的最高水平，廣泛應(yīng)用于風(fēng)力發(fā)電、無功補償（SVG）、智能電網(wǎng)，以及中高壓變頻器等領(lǐng)域。ST封裝IGBT模塊，采用優(yōu)化布局、三維信號傳輸?shù)葎?chuàng)新設(shè)計（已申請專利）實現(xiàn)了出色的模塊性能，在同類產(chǎn)品中具有最低的內(nèi)部熱阻、連接阻抗、內(nèi)部雜散電感等。此外，公司在研兩款車規(guī)級SiC模塊：HEEV封裝和EVD封裝SiC MOSFET模塊。HEEV封裝的創(chuàng)新設(shè)計，能最大限度的發(fā)揮SiC模塊的出色性能。EVD封裝將推出SiC MOSFET和Si IGBT兩個版本，可以滿足汽車市場不同需求。

圖5：2018-2021公司銷售凈利率（%）