天風(fēng)證券：存儲IC利空預(yù)期或筑底 供需平衡后有望重啟增長

智通財經(jīng)APP獲悉，天風(fēng)證券發(fā)布研究報告稱，存儲IC周期短期下行，中長期趨勢持續(xù)向上。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，預(yù)計21-27年全球復(fù)合增長率8%，2027年達到2600億美元以上但產(chǎn)業(yè)會隨庫存、需求、產(chǎn)能的變化而具有明顯的周期性。當(dāng)前在需求疲軟的背景下減少資本支出或使周期逐步見底，有望助力存儲IC供需改善。該行認為22Q4存儲IC價格環(huán)比進一步下降，利空預(yù)期或筑底。

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天風(fēng)證券主要觀點如下：

存儲IC廠商2022年第三季度業(yè)績與增速：

三大DRAM廠商三星、海力士、美光第三季度DRAM營收分別為74億、52.4億、48億美元，環(huán)比分別下滑34%、25.2%、23%;三大NAND Flash廠商三星、鎧俠、海力士第三季度營收分別為43億、28.3億、25.4億美元，相較于22Q2環(huán)比增速分別為-28.1%、-0.1%、-29.8%。

存儲IC周期短期下行，中長期趨勢持續(xù)向上。

根據(jù)WSTS、中商產(chǎn)業(yè)研究數(shù)據(jù)，2017-2021年全球存儲芯片市場規(guī)模分別為1240、1580、1064、1175、1538億美元;預(yù)計2022年存儲芯片的銷售額為1555億美元，同比增長1.1%;根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，預(yù)計21-27年復(fù)合增長率8%，2027年達到2600億美元以上但產(chǎn)業(yè)會隨庫存、需求、產(chǎn)能的變化而具有明顯的周期性。當(dāng)前在需求疲軟的背景下減少資本支出或使周期逐步見底，復(fù)盤2019年內(nèi)存周期，頭部企業(yè)在2019年初開始減少資本支出，包含三星終止其平澤工廠的產(chǎn)能擴張，SK海力士2019年初預(yù)計資本支出將減少至55億美元，美光2019年初預(yù)計將資本支出削減至30億美元。

海外大廠調(diào)整資本開支，有望助力存儲IC供需改善。

受到低需求、地緣政治緊張局勢等影響，根據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)，2022年Q3全球存儲市場規(guī)模相較于Q2環(huán)比下降26.7%至316.38億美元;2022年Q3全球DRAM市場規(guī)模相較于Q2環(huán)比下跌29.2%至178.13億美元;2022年Q3全球NAND Flash市場規(guī)模相較于Q2環(huán)比下跌23.3%至138.25億美元。根據(jù)TrendForce 2022年8月發(fā)布的數(shù)據(jù)，2023年DRAM市場需求位同比成長預(yù)估只有8.3%，供給位成長約14.1%;NAND Flash預(yù)估需求位成長將達28.9%，而供給位成長約32.1%;但隨著海外大廠陸續(xù)公告修正資本支出，供需有望持續(xù)改善， DRAM在美光率先宣布減產(chǎn)規(guī)劃后，2023全年DRAM供過于求比例將由原先預(yù)估的11.6%，收斂至低于10%;NAND方面，在美光、鎧俠供給位成長皆下修的情況下，2023全年供過于求比例將由原先預(yù)估的10.1%下降至5.6%;更多海外大廠因需求疲軟導(dǎo)致收入下滑，或調(diào)整資本支出與產(chǎn)能規(guī)劃，庫存壓力與價格跌幅有望收斂。

22Q4存儲IC價格環(huán)比進一步下降，利空預(yù)期或筑底。

在消費性產(chǎn)品需求疲軟及旺季不旺的背景下，22Q3內(nèi)存位消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端推遲采購導(dǎo)致供貨商庫存壓力提升或進一步導(dǎo)致價格跌幅擴大，但隨著DDR5滲透率提升，PC與服務(wù)器的DRAM總ASP跌幅或縮窄。

風(fēng)險提示：需求恢復(fù)不如預(yù)期、資本開支供給修正不如預(yù)期、庫存去化不如預(yù)期、宏觀環(huán)境變動帶來的風(fēng)險。