小摩：存儲器市場有望“U型”復(fù)蘇 美光科技(MU.US)等成最大受益者

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，全球存儲器市場越來越疲軟，摩根大通預(yù)計(jì)，DRAM和NAND的發(fā)貨量和平均售價(jià)在今年剩余時(shí)間和明年都將出現(xiàn)"顯著"下降。不過，摩根大通認(rèn)為，存儲芯片制造商的吸引力也開始顯現(xiàn)。

以JJ Park為首的摩根大通分析師團(tuán)隊(duì)指出，存儲器市場可能會出現(xiàn)“U型”復(fù)蘇，而不是“V型”復(fù)蘇。因此，SK海力士、美光科技(MU.US)、三星(SSNGY.US)有望成為最大的受益者，其次是南亞科技、Powertech。

美光科技今年股價(jià)表現(xiàn)不佳，自年初以來下跌了36%，過去六個(gè)月下跌了30%以上。不過，美光科技已開始引起一些投資者的興趣，其股價(jià)在過去一個(gè)月上漲逾2%，盡管該公司本月早些時(shí)候發(fā)布了疲弱的第四財(cái)季業(yè)績指引，理由是宏觀經(jīng)濟(jì)因素和供應(yīng)鏈限制。

摩根大通的分析師寫道:“隨著存儲器周期越來越短，我們建議投資者在悲觀情緒盛行的每股收益向下修正周期買入存儲類股票?！彼麄冞€補(bǔ)充道，盡管這些股票的利潤率比過去更高，但它們還是“受到了過度懲罰”。

花旗分析師Atif Malik認(rèn)為，DRAM價(jià)格預(yù)計(jì)在第三季跌破每32GB 100美元，因?yàn)榇鎯ζ髦圃焐虒⒃?022年和2023年"積極"降低庫存。

Malik補(bǔ)充稱，服務(wù)器DRAM價(jià)格上一次跌破100美元是在2019年DRAM周期，當(dāng)時(shí)超大規(guī)模渠道庫存增加，周期時(shí)間增至14周，而當(dāng)前為10 - 12周。

Malik表示，DRAM價(jià)格在第三季度觸底將支持芯片設(shè)備價(jià)格也將在9月或10月某個(gè)時(shí)候觸底的觀點(diǎn)。

雖然未來幾個(gè)季度的出貨量增長可能會放緩，但這種悲觀的前景不太可能持續(xù)太久。存儲器市場可能在2023年上半年“見底”，并在2023年下半年復(fù)蘇。