智通財(cái)經(jīng)APP獲悉,東芯股份(688110.SH)在近日接受調(diào)研時(shí)表示,一季度歸母凈利潤(rùn)增長(zhǎng),通訊類產(chǎn)品是相對(duì)較大的增長(zhǎng)領(lǐng)域,尤其是在5G通訊領(lǐng)域。目前公司產(chǎn)品在工業(yè)類的應(yīng)用,包括基站、監(jiān)控安防等都有不錯(cuò)的成績(jī)。東芯股份表示,目前,公司的產(chǎn)品是集中在SLC NAND領(lǐng)域的,從長(zhǎng)期來看,雖然SLC NAND是公司的優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品,但也會(huì)在NOR和DRAM上持續(xù)發(fā)力。目前公司在38nm工藝上,今年已經(jīng)可以為客戶提供車規(guī)級(jí)的PPI NAND以及SPI NAND的樣品,包括1G、2G到最大的8G車規(guī)的NAND Flash。目前正在研發(fā)的是48nm中高容量的NOR Flash車規(guī)級(jí)產(chǎn)品。
一季度業(yè)績(jī)超預(yù)期 通訊類產(chǎn)品是相對(duì)較大的增長(zhǎng)領(lǐng)域
據(jù)東芯股份披露的業(yè)績(jī)信息顯示,22年一季度歸母凈利潤(rùn)實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。供應(yīng)鏈方面,公司一直在布局、完善多渠道供應(yīng)鏈及交貨方式,因此Q1受疫情影響相對(duì)較小,對(duì)公司凈利潤(rùn)增長(zhǎng)有所幫助。產(chǎn)品結(jié)構(gòu)方面,公司持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu),22年Q1時(shí)高附加值產(chǎn)品出貨比率較高,如大容量SLC NAND等,因此毛利率相對(duì)較高。
其中,通訊類產(chǎn)品是相對(duì)較大的增長(zhǎng)領(lǐng)域,尤其是在5G通訊領(lǐng)域。目前公司產(chǎn)品在工業(yè)類的應(yīng)用,包括基站、監(jiān)控安防等都有不錯(cuò)的成績(jī)。
基站方面,包括宏基站和微基站。宏基站的客戶主要還是做5G基站的建設(shè)。東芯股份預(yù)計(jì)未來3年內(nèi)5G基站在國(guó)內(nèi)仍能保持一定數(shù)量級(jí)。微基站的布點(diǎn)密度會(huì)比宏基站更多,一般認(rèn)為微基站的密度至少是宏基站的3~4倍。
PON市場(chǎng)方面,即家庭的光貓。目前國(guó)內(nèi)GPON和EPON已經(jīng)布點(diǎn)完成。近一兩年,市場(chǎng)需求在向10G的PON轉(zhuǎn)變。從GPON過渡到10G PON要花大約3~5年的時(shí)間,因此公司認(rèn)為未來3~5年網(wǎng)通仍然是一個(gè)蓬勃發(fā)展的市場(chǎng)。
監(jiān)控安防市場(chǎng)方面,主要的產(chǎn)品形態(tài)包括球機(jī)、槍機(jī)以及后端的NVR/DVR。NVR和DVR后端的容量也會(huì)持續(xù)的加大。前端方面,有些客戶已經(jīng)在 CPU上不斷提高算力,有利于加大整個(gè)存儲(chǔ)式的容量。
SLC NAND是公司的優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品 但也會(huì)在NOR和DRAM上持續(xù)發(fā)力
目前,公司的產(chǎn)品是集中在SLC NAND領(lǐng)域的,屬于2D NAND領(lǐng)域?,F(xiàn)在的從容量上看已經(jīng)基本達(dá)到了全覆蓋。從制程上來講公司的SLC NAND 在同行業(yè)內(nèi),包括在國(guó)際上都保持在較為領(lǐng)先的水平。
東芯股份表示,SLC NAND是進(jìn)入NAND Flash的必經(jīng)之路,在SLC NAND的布局上,公司目前有兩個(gè)方向,分別是高可靠性和更新工藝。1)高可靠性:由于公司本身就具備開發(fā)更高容量NAND的基礎(chǔ),因此在SLC NAND上可以做一些高可靠性的產(chǎn)品,如車規(guī)級(jí)的SLC NAND。目前也是國(guó)內(nèi)少數(shù)幾家有做車規(guī)級(jí)的SLC NAND能力的企業(yè)。2)更新工藝:同時(shí)不斷更新制程,從38nm、24nm,再到現(xiàn)在正在開發(fā)的19nm的工藝。通過更新工藝來為客戶帶來更具性價(jià)比、更高容量的產(chǎn)品。
東芯股份提到,21年至22年,SLC NAND在營(yíng)收占比大約在50%至60%左右,保持相對(duì)穩(wěn)定的狀態(tài)。從長(zhǎng)期來看,雖然SLC NAND是公司的優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品,但也會(huì)在NOR和DRAM上持續(xù)發(fā)力。東芯股份在調(diào)研會(huì)上透漏,目前公司在38nm工藝上,今年已經(jīng)可以為客戶提供車規(guī)級(jí)的PPI NAND以及SPI NAND的樣品,包括1G、2G到最大的8G車規(guī)的NAND Flash。目前正在研發(fā)的是48nm中高容量的NOR Flash車規(guī)級(jí)產(chǎn)品。
有投資者問及PSRAM的進(jìn)展,東芯股份回應(yīng),PSRAM的核心是DRAM的核心,但接口是SRAM的接口。公司現(xiàn)在開發(fā)的PSRAM是基于38nm工藝開發(fā)的,主要容量是256Mb。PSRAM主要是針對(duì)穿戴式客戶,公司目前在PSRAM的客戶基礎(chǔ)上具有一定優(yōu)勢(shì),客戶可以用公司的SLC NAND,也可以用今后開發(fā)的PSRAM。