SK海力士開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存，將搭載高性能數(shù)據(jù)中心

智通財經(jīng)APP獲悉，半導(dǎo)體供應(yīng)商SK海力士宣布成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片。

據(jù)了解，SK海力士去年7月在業(yè)界首次實現(xiàn)批量生產(chǎn)HBM2E DRAM后，時隔僅1年零3個月開發(fā)了HBM3。SK海力士研發(fā)的HBM3能夠每秒處理819GB的數(shù)據(jù)。與上一代HBM2E相比，速度提高了約78%。

此次HBM3將以16GB和24GB兩種容量上市。為實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量，SK海力士技術(shù)團隊將單品DRAM芯片的高度磨削到約30微米(μm, 10-6m)，然后使用TSV技術(shù)垂直連接12個芯片。

HBM3將搭載高性能數(shù)據(jù)中心，有望適用于提高人工智能(AI)完成度的機器學(xué)習(xí)(Machine Learning)和分析氣候變化，新藥開發(fā)等的超級計算機。