TrendForce集邦咨詢表示,2021年隨著各國(guó)于5G通訊、消費(fèi)性電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換及新能源車等需求拉升,驅(qū)使如基站、能源轉(zhuǎn)換器(Converter)及充電樁等應(yīng)用需求大增,使得第三代半導(dǎo)體GaN及SiC元件及模組需求強(qiáng)勁。其中,以GaN功率元件成長(zhǎng)幅度最高,預(yù)估今年?duì)I收將達(dá)8,300萬美元,年增率高達(dá)73%。
據(jù)TrendForce集邦咨詢研究,GaN功率元件,其主要應(yīng)用大宗在于消費(fèi)性產(chǎn)品,至2025年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)8.5億美元,年復(fù)合成長(zhǎng)率高達(dá)78%。前三大應(yīng)用占比分別為消費(fèi)性電子60%、新能源車20%、通訊及數(shù)據(jù)中心15%。據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,截至目前已有10家手機(jī)OEM廠商陸續(xù)推出18款以上搭載快充的手機(jī),且筆電廠商也有意跟進(jìn)。
而全球SiC功率市場(chǎng)規(guī)模至2025年將達(dá)33.9億美元,年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)38%,其中前三大應(yīng)用占比將分別為新能源車61%、光伏及儲(chǔ)能13%、充電樁9%,新能源車產(chǎn)業(yè)中又以主驅(qū)逆變器、車載充電機(jī)(OBC)、直流變壓器(DC-DC)為應(yīng)用大宗。
關(guān)鍵襯底多數(shù)仍由歐美日IDM大廠掌握
TrendForce集邦咨詢指出,因第三代半導(dǎo)體GaN及SiC襯底(Substrate)材料生長(zhǎng)條件相對(duì)困難,以及現(xiàn)行主流尺寸大致落于6英寸并往8英寸方向邁進(jìn),驅(qū)使價(jià)格相較傳統(tǒng)8英寸、12英寸Si襯底高出5~20倍不等。由于多數(shù)材料仍集中于美國(guó)科銳(Cree)及貳陸(II-VI)、日本羅姆(Rohm)及歐洲意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)等IDM大廠手中;部分中國(guó)大陸廠商如山東天岳(SICC)及天科合達(dá)(Tankeblue)等在政策支撐下相繼投入,以期加速國(guó)產(chǎn)化自給自足目標(biāo)。
本文編選自“TrendForce集邦咨詢”,智通財(cái)經(jīng)編輯:玉景。