SK海力士Q1凈利增五成 DRAM供應(yīng)偏緊料將貫穿全年

本文來自“財聯(lián)社”

周三早晨全球內(nèi)存巨頭SK海力士發(fā)布Q1財報，受到全球芯片短缺和漲價潮帶動，公司業(yè)績毫無意外地超出市場預(yù)期。SK海力士同時表示將加大資本投入來應(yīng)對料將貫穿全年的芯片短缺問題。

(來源：公司官網(wǎng))

公司Q1營收8.49萬億(約合495億元人民幣)韓元，同比增加18%，較去年四季度環(huán)比增加7%;營運利潤1.32萬億韓元(預(yù)期1.29萬億)和凈利潤9930億韓元，在費用支出減少的推動下這兩項指標(biāo)同比漲幅均超50%，營運利潤率也上升至16%。

此外對于凈利潤環(huán)比大幅下降44%，公司解釋稱主要由去年四季度計入投資Kioxia的估值提升抬高了基數(shù)。

DRAM供應(yīng)偏緊將持續(xù)全年

在具體業(yè)務(wù)方面，SK海力士一季度DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)出貨量環(huán)比提升4%，而NAND閃存出貨量環(huán)比大漲21%。

在市場更為關(guān)心的供應(yīng)鏈預(yù)期方面，公司預(yù)期目前整個IT市場廣泛的強勁需求增長仍將持續(xù)，因此下游客戶的庫存將會快速下降，DRAM供應(yīng)緊張的局面預(yù)期將貫穿全年，而NAND需求漲幅也將超過預(yù)期。公司在財報中表示將“積極應(yīng)對市場環(huán)境”，并將在下半年加大資本投入。

(來源：公司官網(wǎng))

技術(shù)進展方面，SK海力士計劃將從二季度開始供應(yīng)基于12GB DRAM的高容量多晶片模組，并增加1Znm(第三代10nm工藝)DRAM的產(chǎn)能，同時采用深紫外光刻機的1Anm技術(shù)有望在年內(nèi)完成研發(fā)并投入量產(chǎn)。在NAND閃存領(lǐng)域，公司將增加128層產(chǎn)品的產(chǎn)量以增加企業(yè)級SSD的銷售，并通過現(xiàn)有的技術(shù)在年內(nèi)實現(xiàn)176層產(chǎn)品的量產(chǎn)。

對于SK海力士的前景，Yuanta證券分析師Lee Jaeyun強調(diào)存儲芯片行業(yè)的漲價趨勢仍將延續(xù)。Lee表示，去年四季度開始的PC和移動設(shè)備記憶芯片囤貨潮延續(xù)至今，今年開始隨著服務(wù)器DRAM供應(yīng)緊張，進一步加快了芯片的漲價速度。四月初競品美光科技亦表示DRAM受到“嚴(yán)重供應(yīng)不足”影響正在快速漲價。

行業(yè)分析機構(gòu)Trendforce近期也將DRAM二季度價格環(huán)比上漲的預(yù)期從13-18%上調(diào)至18-23%。DRAM芯片占SK海力士總銷售額近7成。

（智通財經(jīng)編輯：韓永昌）