東吳證券(國際)：中車時代電氣(03898)電車IGBT業(yè)務(wù)增厚業(yè)績，期待科創(chuàng)板上市拔高估值

本文來自東吳證券(國際)。

中車時代電氣(03898)是功率半導(dǎo)體IDM龍頭，后續(xù)科創(chuàng)板上市有望拔高估值。中車時代電氣是中國軌道交通行業(yè)具有領(lǐng)導(dǎo)地位的牽引變流系統(tǒng)供應(yīng)商，其全系列高可靠性 IGBT產(chǎn)品打破了軌交核心器件國外壟斷，公司利用其在軌交領(lǐng)域功率半導(dǎo)體的技術(shù)優(yōu)勢積極布局新能源車和電網(wǎng)IGBT賽。

目前已形成年產(chǎn)能12萬片的8英寸IGBT產(chǎn)線(主要為軌交和電網(wǎng)高壓IGBT)和年產(chǎn)能24萬片的8英寸車規(guī)級IGBT產(chǎn)線(以新能源車低壓IGBT為主)，IGBT產(chǎn)品實現(xiàn)750V-6500V 全電壓覆蓋，公司生產(chǎn)的 3300V 等系列 IGBT 批量應(yīng)用于柔性直流輸電、百兆級大容量電力系統(tǒng)。

此外公司在新能源車IGBT模塊市場占有率位列全球第九，電車IGBT已進入長安、一汽等整車供應(yīng)鏈。公司于12月30日公告稱其在科創(chuàng)板上市的申請材料獲上交所受理并進入審核流程，計劃發(fā)行2.41億股募集共77.67億元，發(fā)行價每股約39港元，期待科創(chuàng)板上市后帶來估值重估。

新能源車IGBT業(yè)務(wù)有望成為公司業(yè)績增長新動力。IGBT下游應(yīng)用涵蓋新能源車及充電樁、光風(fēng)發(fā)電、智能電網(wǎng)、軌交等領(lǐng)域，其中新能源車市場空間最大且占比約30%，2022年IGBT市場空間有望達約60億美元(新能源車IGBT市場空間有望達近20億美元)。

考慮到IGBT模組占整車成本7-10%且對于電車的能源效率起決定性作用，因此有著認證周期長、替換成本較高的特點，先進入的企業(yè)優(yōu)勢顯著。從目前電車IGBT競爭格局來看，國內(nèi)僅比亞迪(01211)半導(dǎo)體(市占率18%)、斯達半導(dǎo)體(1.6%)、中車時代電氣(0.8%)進入全球電車IGBT供應(yīng)商前十。

盡管國產(chǎn)供應(yīng)商較英飛凌等海外廠商差距仍存，但在自主可控、國產(chǎn)性價比等因素影響下，公司有望憑借IDM和先發(fā)優(yōu)勢抓住電車IGBT快速發(fā)展的機遇，使之成為新的業(yè)績增長引擎。

提前布局第三代功率半導(dǎo)體器件奠定長期發(fā)展之路。以SiC和GaN等材料作襯底的第三代功率半導(dǎo)體較IGBT有著更好的性能，但目前受制于SiC襯底價格高昂以及制造良率爬坡困難暫時難以大規(guī)模推廣，當IGBT技術(shù)成本難以繼續(xù)下降時SiC襯底的功率器件將凸顯優(yōu)勢，長期將有望取代IGBT。

公司自2010年開始構(gòu)思SiC芯片，2018年初在其國內(nèi)首條6英寸SiC芯片生產(chǎn)線上試制成功，目前公司SiC MOSFET芯片覆蓋650V-3300V電壓等級：

第1代SiC MOSFET技術(shù)應(yīng)用于1200-3300V電壓等級，滿足智能電網(wǎng)等高壓領(lǐng)域需求，第2代SiC MOSFET技術(shù)應(yīng)用于650-1200V電壓等級，滿足新能源汽車、混合動力汽車、風(fēng)力發(fā)電、光伏逆變等領(lǐng)域;SiC模塊產(chǎn)品型譜覆蓋1200V-3300V電壓等級，樣品已小批量提供國內(nèi)軌道交通、新能源客戶驗證應(yīng)用。

（編輯：彭偉鋒）