聯(lián)發(fā)科將采用臺(tái)積電(TSM.US)6納米技術(shù)制造高端5G手機(jī)芯片

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，1月20日，聯(lián)發(fā)科表示，公司將使用臺(tái)積電(TSM.US)的6納米芯片制造技術(shù)，生產(chǎn)針對(duì)高端5G智能手機(jī)的最新芯片。

據(jù)悉，聯(lián)發(fā)科于今日宣布推出名為Dimensity 1100和1200 5G智能手機(jī)芯片組，其中該芯片組將增加采用6納米技術(shù)的1100和1200芯片，并外包給臺(tái)積電，由該公司進(jìn)行生產(chǎn)。

聯(lián)發(fā)科國(guó)際企業(yè)銷(xiāo)售部總經(jīng)理Finbarr Moynihan在接受采訪(fǎng)時(shí)表示：“聯(lián)發(fā)科早前的芯片采用的是7納米工藝，隨著芯片設(shè)計(jì)的進(jìn)步，采用更新的制造技術(shù)將使聯(lián)發(fā)科的產(chǎn)品在計(jì)算速度上提高22%，同時(shí)功耗降低25%?！?/p>