國(guó)金證券: 2021年功率半導(dǎo)體有望迎來(lái)景氣周期

作者: 國(guó)金證券 2020-12-30 14:50:11
國(guó)金證券研判在多重需求的驅(qū)動(dòng)下,2021年功率半導(dǎo)體將迎來(lái)高景氣周期。

本文來(lái)自 微信公眾號(hào)“國(guó)金電子研究”。

2021年功率半導(dǎo)體有望迎來(lái)景氣周期

投資建議

2021年功率半導(dǎo)體有望迎來(lái)高景氣周期。2018年,在電動(dòng)汽車需求快速增長(zhǎng)拉動(dòng)下及其他芯片需求擠占8英寸產(chǎn)能的背景下,功率半導(dǎo)體經(jīng)歷了一輪缺貨漲價(jià);2019年受到智能手機(jī)下滑、傳統(tǒng)汽車下滑、電動(dòng)汽車平穩(wěn)發(fā)展的影響,功率半導(dǎo)體表現(xiàn)平淡;2020年受公共衛(wèi)生事件影響,上半年功率半導(dǎo)體需求不佳,但是三季度之后,受到5G電源、智能手機(jī)、工業(yè)、電動(dòng)汽車及IOT設(shè)備等拉動(dòng),需求上升明顯,海外公共衛(wèi)生事件影響了國(guó)外廠商的產(chǎn)能供給,部分產(chǎn)品出現(xiàn)了缺貨漲價(jià)的情況,我們研判在多重需求的驅(qū)動(dòng)下,2021年功率半導(dǎo)體將迎來(lái)高景氣周期。

行業(yè)觀點(diǎn)

2021年需求增長(zhǎng)+漲價(jià)+國(guó)產(chǎn)替代,功率半導(dǎo)體迎來(lái)發(fā)展良機(jī):受到全球公共衛(wèi)生事件影響,2020年全球功率半導(dǎo)體將出現(xiàn)下滑,QYResearch預(yù)測(cè)2020年同比下滑9.1%,2021年有望在5G手機(jī)、電動(dòng)汽車及IOT的需求帶動(dòng)下同比增長(zhǎng)8.1%。2020年Q4,英飛凌、意法半導(dǎo)體(STM.US)、Diodes(DIOD.US)的安森美功率半導(dǎo)體產(chǎn)品交貨期普遍延長(zhǎng),部分MOSFET產(chǎn)品漲價(jià)趨勢(shì)明顯,尤以英飛凌最為嚴(yán)重,國(guó)產(chǎn)品牌也出現(xiàn)了缺貨漲價(jià)的情況,MOSFET價(jià)格普遍上漲,漲幅在10-20%。2019年中國(guó)已發(fā)展成為全球第一大功率半導(dǎo)體市場(chǎng),占全球比達(dá)35.9%,但自給率較低,以IGBT為例,2019年自給率僅為16.3%。我們認(rèn)為,2021年,功率半導(dǎo)體將在需求增長(zhǎng)+漲價(jià)+國(guó)產(chǎn)替代的利好驅(qū)動(dòng)下迎來(lái)發(fā)展良機(jī),產(chǎn)業(yè)鏈積極受益。

新能源汽車蓬勃發(fā)展,IGBT需求快速增長(zhǎng)。新能源汽車迎來(lái)高速增長(zhǎng)期,2020年11月,新能源汽車產(chǎn)銷分別完成19.8萬(wàn)輛和20萬(wàn)輛,同比分別增長(zhǎng)75.1%和104.9%。預(yù)測(cè)2025年全球新能源汽車有望達(dá)到1100萬(wàn)輛,中國(guó)占50%。新能源汽車需要新增大量的功率半導(dǎo)體,48V輕混汽車需要增加90美元以上,電動(dòng)汽車或者混動(dòng)需要增加330美元以上。預(yù)計(jì)汽車用IGBT模塊2018年-2023年復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá)23.5%。汽車功率半導(dǎo)體難度較大,集中度高,歐、美系廠商占據(jù)核心優(yōu)勢(shì),2019年全球第一大公司為英飛凌,市占率25.5%,第二大公司為意法半導(dǎo)體,市占率13.9%,前五家公司合計(jì)占比62.1%,集中度較高。中國(guó)企業(yè)在汽車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域基礎(chǔ)薄弱,但是近幾年中國(guó)電動(dòng)汽車發(fā)展較快,也帶動(dòng)了IGBT產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2019年英飛凌在中國(guó)新能源汽車IGBT領(lǐng)域排名第一,占比高達(dá)49.3%,其次是比亞迪(01211),主要給自己配套,占比20%,斯達(dá)半導(dǎo)體位居第三,市占率達(dá)到16.6%,成長(zhǎng)較快。

第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)異,需求多點(diǎn)開花。SiC主要應(yīng)用于白色家電、新能源(電動(dòng)汽車、風(fēng)電、光伏)、工業(yè)應(yīng)用,預(yù)測(cè)2027 年碳化硅功率器件的市場(chǎng)規(guī)模將超過 100 億美元。在車用方面,SiC MOSFET在性能方面明顯占優(yōu),可以降低損耗,減小模塊體積重量。Model 3率先采用SiC MOSFET,開啟了電動(dòng)汽車使用SiC先河,2020年比亞迪漢也采用SiC模塊,有效提升了加速性能、功率及續(xù)航能力,豐田燃料電池車Mirai車型搭載了SiC,功率模塊體積降低了30%,損耗降低了70%。我們認(rèn)為,隨著成本的下降和技術(shù)的逐步成熟,SiC在電動(dòng)汽車中具有較好的應(yīng)用空間。

推薦組合:斯達(dá)半導(dǎo)、華虹半導(dǎo)體(01347)、華潤(rùn)微、士蘭微、新潔能

風(fēng)險(xiǎn)提示

? 電動(dòng)汽車發(fā)展不達(dá)預(yù)期,智能手機(jī)銷量不達(dá)預(yù)期,5G進(jìn)度低于預(yù)期。

一、應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展穩(wěn)健

1.1全球功率半導(dǎo)體2019-2025年均增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)為4.3%

? 功率半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于各類電子類產(chǎn)品,2019年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為175億美元,Yole預(yù)測(cè),2025年市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)為225億美元,2019-2025年均增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)為4.3%。

2019年到2025年IGBT模組整體年均增長(zhǎng)率為18%。受益于新能源(電動(dòng)汽車、風(fēng)電及光伏)及工控行業(yè)的快速發(fā)展,預(yù)測(cè)在2025年,IGBT模組整體將會(huì)達(dá)到54億美元,占整個(gè)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的24%。

車載領(lǐng)域占比最大,電機(jī)次之。2019年車載方向(包括EV、HEV,硅MOSFET)為15億美元,電機(jī)驅(qū)動(dòng)(Motor Drive,IGBT 模組)為14億美元,智能手機(jī)以及無(wú)線設(shè)備(硅MOSFET)為13億美元,計(jì)算機(jī)技術(shù)(Computing)以及存儲(chǔ)(硅MOSFET)為12億美元,工業(yè)方向(硅MOSFET)為11億美元,EV、HEV方向(IGBT模組)為6億美元(其他為104億美元。從各種元件在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)上的占比(金額)來(lái)看,硅MOSFET占45%。另一個(gè)主要元件是IGBT模組,2019年的市場(chǎng)規(guī)模為37億美元。在工業(yè)、能源再生型變頻器、EV、HEV方向的應(yīng)用頗受人們關(guān)注(尤其是EV、HEV作為最新的一項(xiàng)應(yīng)用方向)。

車用SiC MOSFET快速增長(zhǎng)。由于美國(guó)特斯拉(TSLA.US)、中國(guó)比亞迪等車廠的需求,硅制模組正在逐步取代作為主變頻器(Main Inverter)的IGBT模組,據(jù)預(yù)測(cè),SiC MOSFET的市場(chǎng)也因EV、HEV的增長(zhǎng)而會(huì)出現(xiàn)增長(zhǎng)。SiC離散晶體管作為高效的車載充電器系統(tǒng),未來(lái)會(huì)與MOSFET形成競(jìng)爭(zhēng)。

1.2中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模居全球首位,國(guó)內(nèi)龍頭公司快速發(fā)展

2019年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占比全球達(dá)35.9%:中國(guó)是全球最大的功率器件消費(fèi)國(guó),功率器件細(xì)分的主要幾大產(chǎn)品在中國(guó)的市場(chǎng)份額均處于第一位。

國(guó)內(nèi)龍頭全球市占率依舊很低,與國(guó)際大廠差距明顯:與整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)類似,對(duì)比海外的功率器件IDM大廠,國(guó)內(nèi)的功率器件龍頭企業(yè)(華潤(rùn)微、斯達(dá)半導(dǎo)體、新潔能、揚(yáng)杰科技、華微電子、士蘭微等)的年銷售額與國(guó)際巨頭們相差很大,且產(chǎn)品結(jié)構(gòu)偏低端,表明中國(guó)功率器件的市場(chǎng)規(guī)模與自主化率嚴(yán)重不相匹配,國(guó)產(chǎn)替代的空間巨大,目前,中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在快速發(fā)展,聞泰科技收購(gòu)了安世半導(dǎo)體,斯達(dá)半導(dǎo)體、華潤(rùn)微、新潔能等一批功率半導(dǎo)體企業(yè)陸續(xù)上市,正在發(fā)展壯大。

二、需求拉動(dòng),2021年功率半導(dǎo)體迎來(lái)高景氣周期

2.1國(guó)際功率半導(dǎo)體大廠交貨期延長(zhǎng)

? 2020年Q4,英飛凌的MOSFET、IGBT等產(chǎn)品交貨期普遍有延長(zhǎng)的情況,最長(zhǎng)交期高達(dá)30周,其中低壓、高壓MOSFET及軍用航空晶體管價(jià)格有上漲的趨勢(shì)。意法半導(dǎo)體的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品交貨期呈現(xiàn)全面延長(zhǎng)的趨勢(shì),價(jià)格方面保持平穩(wěn)。

2020年Q4,Diodes的MOSFET及晶體管產(chǎn)品交貨期延長(zhǎng),最長(zhǎng)交貨周期達(dá)到20周,低壓MOSFET價(jià)格有上漲趨勢(shì)。安森美(ON.US)的功率系列產(chǎn)品交貨期延長(zhǎng),其中高低壓MOSFET產(chǎn)品價(jià)格呈現(xiàn)上漲趨勢(shì)。

2.2功率半導(dǎo)體MOSFET漲價(jià)趨勢(shì)明顯

MOSFET漲價(jià)幅度在10-20%。根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研信息,2020年11-12月,海外品牌都缺貨,尤以英飛凌最為嚴(yán)重,國(guó)產(chǎn)品牌也出現(xiàn)了缺貨漲價(jià)的情況,市場(chǎng)上的MOSFET價(jià)格普遍上漲,幅度在10-20%之間。

中國(guó)是MOSFET需求大國(guó),但進(jìn)口依賴度高。根據(jù)IHS數(shù)據(jù),2019年全球MOSFET市場(chǎng)規(guī)模為76億美元,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占比達(dá)到39%。而從MOSFET市場(chǎng)格局來(lái)看,英飛凌、安森美、東芝、ST以及瑞薩合計(jì)占據(jù)了61%的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額。國(guó)際大廠供應(yīng)不足,缺貨現(xiàn)象表現(xiàn)明顯。

需求激增,8英寸產(chǎn)能不足造成缺貨漲價(jià)。汽車電動(dòng)化給MOSFET 帶來(lái)巨大的增量,下游電子整機(jī)對(duì)節(jié)能環(huán)保的需求在拉動(dòng)其需求量增長(zhǎng)的同時(shí),也帶動(dòng)了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的快速升級(jí)。5G 商用化進(jìn)程的開始,推動(dòng)MOSFET的需求量成倍增長(zhǎng)。在充電樁電源和5G通訊電源領(lǐng)域,預(yù)測(cè)需求在今年成長(zhǎng)了20-30%。電腦、家電、快充這種在上半年被壓抑的需求逐步釋放出來(lái)。從供給端來(lái)看,MOSFET主要依靠8英寸及6英寸晶圓代工,12寸以下占比超過80%。根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研信息,目前各大晶圓代工廠的8英寸產(chǎn)能已經(jīng)爆滿,如國(guó)內(nèi)8英寸代工廠如華虹、華潤(rùn)微產(chǎn)能利用率均接近滿載,聯(lián)電(UMC.US)的8英寸晶圓代工產(chǎn)能更是滿載到2021年下半年。

Diodes(美臺(tái))2021年1月1日起部分產(chǎn)品開始漲價(jià)。Diodes(美臺(tái))在給客戶的提價(jià)通知中表示,受公共衛(wèi)生事件影響,公司面臨來(lái)自供應(yīng)商的成本增加和交貨期延長(zhǎng)的挑戰(zhàn),鑒于此,將于2021年1月1日起對(duì)調(diào)漲部分產(chǎn)品價(jià)格。

士蘭微SGT MOS產(chǎn)品提漲20%。12月9日,杭州士蘭微電子表示,由于MOS圓片及封裝材料價(jià)格上漲,同時(shí)受產(chǎn)能的影響,我司相關(guān)產(chǎn)品的成本不斷上升,為了保證產(chǎn)品的供應(yīng),保持良好的業(yè)務(wù)關(guān)系,經(jīng)公司慎重研究決定,從即日起(2020年12月9日),我司SGT MOS產(chǎn)品的價(jià)格本月提漲20%。

新潔能2021年1月1日起部分產(chǎn)品價(jià)格調(diào)漲。2020年12月21日,無(wú)錫新潔能同樣給客戶發(fā)布了價(jià)格調(diào)整通知函,通知函表示,由于上游原材料以及封裝成本持續(xù)上漲,且產(chǎn)能緊張、投產(chǎn)周期延長(zhǎng),產(chǎn)品成本大幅增加,原有價(jià)格難以滿足供貨需求。

2021年功率半導(dǎo)體有望迎來(lái)高景氣周期。2018年,在電動(dòng)汽車需求快速增長(zhǎng)拉動(dòng)下及其他芯片需求擠占8英寸產(chǎn)能的背景下,功率半導(dǎo)體經(jīng)歷了一輪缺貨漲價(jià);2019年受到智能手機(jī)下滑、傳統(tǒng)汽車下滑、電動(dòng)汽車平穩(wěn)發(fā)展的影響,功率半導(dǎo)體表現(xiàn)平淡;2020年受公共衛(wèi)生事件影響,上半年功率半導(dǎo)體需求不佳,但是三季度之后,受到5G電源、智能手機(jī)、快充、工業(yè)、電動(dòng)汽車及IOT設(shè)備等拉動(dòng),需求上升明顯,部分產(chǎn)品出現(xiàn)了缺貨漲價(jià)的情況,我們研判2021年功率半導(dǎo)體將迎來(lái)高景氣周期。

三、電動(dòng)汽車需求旺盛+多領(lǐng)域需求驅(qū)動(dòng)+國(guó)產(chǎn)替代,IGBT前景可期

3.1IGBT-功率器件皇冠上的明珠,電力電子裝置和系統(tǒng)中的CPU

? IGBT是一個(gè)工作原理復(fù)雜的集成功率半導(dǎo)體器件。結(jié)構(gòu)上, IGBT幾乎集成了半導(dǎo)體器件的所有基本結(jié)構(gòu),如二極管、BJT、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管JFET,MOSFET, SCR。IGBT的結(jié)構(gòu)參數(shù)發(fā)生變化,將引起其性能發(fā)生相應(yīng)的變化。工藝技術(shù)上,IGBT利用MOS集成電路工藝進(jìn)行大面積的功率集成,設(shè)計(jì)上表現(xiàn)為單元胞尺寸的縮小,并聯(lián)集成的元胞數(shù)量越多,通態(tài)壓降 (導(dǎo)通損耗) 逐漸減小。

? IGBT的技術(shù)發(fā)明已經(jīng)有30多年,主要經(jīng)歷6代技術(shù)及工藝改進(jìn)。從結(jié)構(gòu)上講,IGBT可以分為縱向結(jié)構(gòu)、IGBT柵極結(jié)構(gòu)、硅片加工工藝,主要發(fā)展趨勢(shì)是降低損耗。

IGBT適用于高壓領(lǐng)域:IGBT 是由 BJT 和 MOSFET 組成的復(fù)合功率半導(dǎo)體器件,既有 MOSFET 的開關(guān)速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開關(guān)損耗小的優(yōu)點(diǎn),又有 BJT 導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn),在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的,因而是電力電子領(lǐng)域較為理想的開關(guān)器件,是未來(lái)應(yīng)用發(fā)展的主要方向。IGBT穩(wěn)定性比MOSFET稍差,強(qiáng)于BJT,但I(xiàn)GBT耐壓比MOSFET容易做高,不易被二次擊穿而失效,易于高壓應(yīng)用領(lǐng)域。

? 作為工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心器件,IGBT 模塊在電機(jī)節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等諸多領(lǐng) 域都有廣泛的應(yīng)用。隨著新能源汽車的發(fā)展以及變頻白色家電的普及,IGBT 的市場(chǎng)熱度持續(xù)升溫。它不僅在工業(yè)應(yīng)用中提高了設(shè)備的自動(dòng)化水平、控制精度等,也大幅提高了電能的應(yīng)用效率,同時(shí)減小了產(chǎn)品體積和重量,節(jié)約了材料。

? IGBT在600V以上具有較強(qiáng)的優(yōu)勢(shì),目前可應(yīng)用于6500V高壓,在高壓領(lǐng)域,SiC MOSFET是IGBT的競(jìng)爭(zhēng)者,但是目前還存在成本高的情況。

? 隨著應(yīng)用的不斷升級(jí),對(duì)IGBT芯片及模塊也提出了新的要求,要求芯片縮小面積、實(shí)現(xiàn)快速開關(guān),要求IGBT承載更高的電壓和電流,并且具有低損耗和高可靠等特性。

? 汽車級(jí)功率模塊要求更高的電氣運(yùn)行可靠性、更高的壽命、更好的節(jié)能性、抗干擾性強(qiáng)、并要求重量輕、緊湊等。

? 為了應(yīng)對(duì)各種應(yīng)用需求,功率模塊封裝技術(shù)也在不斷發(fā)展,主要表現(xiàn)為Si器件新技術(shù),降低熱阻,新的芯片焊接方式、雙面散熱、提高集成化等。

3.2新能源汽車是IGBT模塊增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力

新能源車功率半導(dǎo)體價(jià)值量大幅增加:新增功率器件價(jià)值量主要來(lái)自于汽車的“三電”系統(tǒng),包括電力控制,電力驅(qū)動(dòng)和電池系統(tǒng)。在動(dòng)力控制單元中,IGBT或者SiC模塊將高壓直流電轉(zhuǎn)換為驅(qū)動(dòng)三相電機(jī)的交流電;在車載充電器AC/DC和DC/DC直流轉(zhuǎn)換器中,都會(huì)用到IGBT或者SiC、MOS、SBD單管;在電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、水泵、油泵、PTC、空調(diào)壓縮機(jī)等高壓輔助控制器中都會(huì)用到IGBT單管或者模塊;在ISG啟停系統(tǒng)、電動(dòng)車窗雨刮等低壓控制器中都會(huì)用到MOS單管。

(1)電動(dòng)調(diào)速系統(tǒng):功率器件在新能源車電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)中,主要有兩種形式:用于直流電動(dòng)機(jī)的斬波器和交流電機(jī)的逆變器。(1)斬波器:對(duì)于直流電動(dòng)機(jī)調(diào)速系統(tǒng),一般采用斬波器,其功率電路比較簡(jiǎn)單,效率也比較高。隨著功率器件的發(fā)展,斬波器的頻率可做到幾千赫茲,因而很適合用作直流牽引調(diào)速。新能源車采用直流電機(jī)驅(qū)動(dòng),無(wú)論是串勵(lì)電機(jī),還是他勵(lì)電機(jī),都采用斬波器作為功率變換器。斬波器的功率器件多采用MOSFET 和BJT。(2)逆變器在DC/DC變換方式中,一般采用直流斬波器加逆變器和DC/DA逆變器兩種方式。由于新能源車的電源電壓低,采用前種方式,傳輸能量環(huán)節(jié)過多,會(huì)降低整個(gè)系統(tǒng)的效率。而采用PWM電壓型逆變器,則線路簡(jiǎn)單、環(huán)節(jié)少、效率高。另外,現(xiàn)在還出現(xiàn)了諧振直流環(huán)節(jié)變換器和高頻諧振交流環(huán)節(jié)變換器。由于采用零電壓或零電流開關(guān)技術(shù),諧振式變換器具有開關(guān)損耗小、電磁干擾小、低噪聲、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。

(2)能量轉(zhuǎn)換器:新能源車能量轉(zhuǎn)換器的主要部件是功率器件。目前常用的功率器件有CTO、BJT、MOSFET、IGBT、SITSITH、MCT,其中CTO、MCT 具有高開關(guān)速度、高能量傳輸能力、優(yōu)越的動(dòng)態(tài)特性及高可靠性,很適合于電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng),同時(shí)功率器件能影響到能量轉(zhuǎn)換器的結(jié)構(gòu)。直—直流及直—交流轉(zhuǎn)換器各自應(yīng)用于直流電動(dòng)機(jī)和交流電動(dòng)機(jī)。

(3)車載充電裝置:發(fā)展車載充電器是發(fā)展新能源汽車的必要條件, 因?yàn)樗軐⒔涣麟娋W(wǎng)的電能有效地補(bǔ)充到每輛電動(dòng)汽車的蓄電池中。充電器的功能就是將交流電變?yōu)橹绷麟? 這就需要使用IGBT等功率器件。新能源汽車對(duì)這些功率器件提出新的要求,不僅要求恒流恒壓二段式充電,還要求高效、輕量,有自檢及自動(dòng)充電等多種保護(hù)功能,并且能程控設(shè)定充電時(shí)間曲線、監(jiān)視電池溫度, 對(duì)電網(wǎng)無(wú)污染等。

(4)充電樁:作為新能源汽車必不可少的基礎(chǔ)配套設(shè)施,我國(guó)充電樁行業(yè)也正處于高速增長(zhǎng)的建設(shè)期,未來(lái)市場(chǎng)空間廣闊。Infineon統(tǒng)計(jì)100 kW的充電樁需要的功率器件價(jià)值量在200-300美元,而IGBT模塊是充電樁的核心器件。

? 不同電動(dòng)化汽車所需要的功率半導(dǎo)體器件數(shù)量不同,隨著純電動(dòng)車型的增多,汽車功率半導(dǎo)體器件將迎來(lái)量?jī)r(jià)齊升。

? 根據(jù)Infineon數(shù)據(jù),2020年,48V輕混汽車需要增加90美元功率半導(dǎo)體,電動(dòng)汽車或者混動(dòng)需要增加330美元功率半導(dǎo)體。

? 2019年,全球電動(dòng)汽車達(dá)到221萬(wàn)輛,同比增長(zhǎng)10%,中國(guó)新能源汽車銷售120.6萬(wàn)輛,同比下降了4.0%。

? 2020年11月,新能源汽車產(chǎn)銷分別完成19.8萬(wàn)輛和20萬(wàn)輛,同比分別增長(zhǎng)75.1%和104.9%。2020年1-11月,新能源汽車產(chǎn)銷分別完成111.9萬(wàn)輛和110.9萬(wàn)輛,其中產(chǎn)量同比下降0.1%,銷量同比增長(zhǎng)3.9%。

? 彭博新能源財(cái)經(jīng)(BloombergNEF)預(yù)測(cè),2025年全球新能源汽車有望達(dá)到1100萬(wàn)輛,中國(guó)占50%,2030年有望達(dá)到2800萬(wàn)輛,2040年將達(dá)到5600萬(wàn)輛。屆時(shí),電動(dòng)汽車銷量將占到全部新車銷量的57%。

汽車功率半導(dǎo)體難度較大,集中度高,歐、美系廠商占據(jù)核心優(yōu)勢(shì)。2019年,全球汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)達(dá)到372億美元,英飛凌位居第一,市占率13.4%,前五家公司合計(jì)占比49.1%。汽車功率半導(dǎo)體全球第一大公司為英飛凌,市占率25.5%,第二大公司為意法半導(dǎo)體,市占率13.9%,前五家公司合計(jì)占比62.1%,集中度較高。

斯達(dá)半導(dǎo)體快速崛起。中國(guó)汽車在汽車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域基礎(chǔ)薄弱,發(fā)展速度慢,但是近幾年中國(guó)電動(dòng)汽車發(fā)展較快,也帶動(dòng)了IGBT產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。根據(jù)佐思汽研數(shù)據(jù),按照銷量數(shù)據(jù),2019年英飛凌在中國(guó)新能源汽車IGBT領(lǐng)域排名第一,占比高達(dá)49.3%,其次是比亞迪,主要給自己配套,占比20%,斯達(dá)半導(dǎo)體位居第三,市占率達(dá)到16.6%。

3.3工業(yè)控制、新能源、家電變頻等領(lǐng)域推動(dòng)IGBT穩(wěn)定增長(zhǎng)

? 功率半導(dǎo)體器件在電源管理行業(yè)應(yīng)用越來(lái)越廣泛,未來(lái)工控、新能源、變頻家電、數(shù)據(jù)中心、5G、IOT 等領(lǐng)域?qū)⑹枪β拾雽?dǎo)體器件快速增長(zhǎng)的核心 領(lǐng)域,IGBT 需求量將持續(xù)增加。

3.3.1工業(yè)控制是IGBT第一大應(yīng)用領(lǐng)域,需求穩(wěn)健增長(zhǎng)

? IGBT 模塊是變頻器、逆變焊機(jī)等傳統(tǒng)工業(yè)控制及電源行業(yè)的核心元器件,且已在此領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。隨著工業(yè)控制及電源行業(yè)市場(chǎng)的逐步回暖,預(yù)計(jì) IGBT 模塊在此領(lǐng)域的市場(chǎng)規(guī)模亦將得到逐步擴(kuò)大。

1)變頻器行業(yè) :IGBT 模塊在變頻器中不僅起到傳統(tǒng)的三極管的作用,亦包含了整流部分的作用??刂破鳟a(chǎn)生的正弦波信號(hào)通過光藕隔離后進(jìn)入 IGBT,IGBT 再根據(jù)信號(hào)的變化將 380V(220V)整流后的直流電再次轉(zhuǎn)化為交流電輸出。

我國(guó)變頻器行業(yè)的市場(chǎng)規(guī)模總體呈上升態(tài)勢(shì)。變頻器已進(jìn)入新能源領(lǐng)域,在冶金、煤炭、石油化工等工業(yè)領(lǐng)域?qū)⒈3址€(wěn)定增長(zhǎng),在城市化率提升的背景下,變頻器在市政、軌道交通等公共事業(yè)領(lǐng)域的需求也會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng),從而促進(jìn)市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)大。未來(lái)幾年,具有高效節(jié)能功能的高壓變頻器市場(chǎng)將受政策驅(qū)動(dòng)持續(xù)增長(zhǎng),到 2023 年,高壓變頻器的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 175 億元左右。

2)逆變焊機(jī)行業(yè):逆變式弧焊電源,又稱弧焊逆變器,是一種新型的焊接電源。這種電源一般是將三相工頻(50 赫茲)交流網(wǎng)路電壓,先經(jīng)輸入整流器整流和濾波,變成直流,再通過大功率開關(guān)電子元件(IGBT)的交替開關(guān)作用,逆變成幾千赫茲至幾萬(wàn)赫茲的中頻交流電壓,同時(shí)經(jīng)變壓器降至適合于焊接的幾十伏電壓,后再次整流并經(jīng)電抗濾波輸出相當(dāng)平穩(wěn)的直流焊接電流。

? 根據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局?jǐn)?shù)據(jù),2018 年我國(guó)電焊機(jī)產(chǎn)量為 853.3 萬(wàn)臺(tái),同比 2017 年增加了 58.46 萬(wàn)臺(tái)。電焊機(jī)市場(chǎng)持續(xù)升溫亦將保證 IGBT 需求量逐步增大。

3.3.2光伏風(fēng)力發(fā)電量快速增長(zhǎng),IGBT迎新增長(zhǎng)動(dòng)力

? 由于新能源發(fā)電輸出的電能不符合電網(wǎng)要求,需通過光伏逆變器或風(fēng)力發(fā)電逆變器將其整流成直流電,再逆變成符合電網(wǎng)要求的交流電后輸入并網(wǎng)。IGBT 模塊是光伏逆變器和風(fēng)力發(fā)電逆變器的核心器件,新能源發(fā)電行業(yè)的迅速發(fā)展將成為 IGBT 模塊行業(yè)持續(xù)增長(zhǎng)的又一動(dòng)力。2015年全球發(fā)電量6414 GW,預(yù)計(jì)2025年全球發(fā)電量將達(dá)到8647 GW,10年CAGR為3.0%,其中可再生能源發(fā)電量增速較快,CAGR達(dá)到5.9%;進(jìn)一步細(xì)分,太陽(yáng)能發(fā)電和風(fēng)能發(fā)電量的增速要高于可再生能源發(fā)電量的復(fù)合增速,太陽(yáng)能發(fā)電量15-25年CAGR為16.4%,風(fēng)能發(fā)電量CAGR為8.8%,遠(yuǎn)高于行業(yè)的平均增速。從地區(qū)來(lái)看,風(fēng)電增長(zhǎng)較快地區(qū)包括中國(guó),歐洲和美國(guó),而太陽(yáng)能發(fā)電增長(zhǎng)較快地區(qū)則有中國(guó),歐洲,美國(guó)和其他亞太地區(qū)。

?風(fēng)電:風(fēng)電主要是中國(guó)美國(guó)在積極發(fā)展,從中長(zhǎng)期來(lái)看,風(fēng)力發(fā)電量處于穩(wěn)步增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。相較于火力發(fā)電,每1MW的風(fēng)電廠的半導(dǎo)體需求量是火電廠的30倍,2011年風(fēng)電機(jī)的功率為1.5 MW,2017年已經(jīng)增長(zhǎng)至2-3 MW。風(fēng)力發(fā)電量的穩(wěn)定增長(zhǎng)將對(duì)功率半導(dǎo)體提出新的需求。

太陽(yáng)能發(fā)電:IHS預(yù)測(cè),2016-2021年太陽(yáng)能發(fā)電對(duì)IGBT模組的需求復(fù)合增速為9.0%。為了有效地滿足綠色能源太陽(yáng)能發(fā)電及逆變并網(wǎng)的需求,就需要控制、驅(qū)動(dòng)器和輸出功率器件的正確組合,IGBT是作為功率開關(guān)的必然之選,而PV逆變器也將是第一批使用SiC基的器件之一,這將顯著提升IGBT的價(jià)值量。

中國(guó)光伏逆變器廠商崛起,IGBT近水樓臺(tái)。目前,以華為、陽(yáng)光電源為主的本土廠商在光伏逆變器市場(chǎng)持續(xù)突破,根據(jù)SolarEdge 統(tǒng)計(jì),2018 年,華為在全球逆變器市場(chǎng)的份額達(dá) 22%,市占率位列全球第一,陽(yáng)光電源的市場(chǎng)份額為 15%,市占率位居全球第二位。特別是在三相組串型逆變器市場(chǎng),2017 年華為的市占率已達(dá) 56%,市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)地位突出,中國(guó)光伏逆變器廠商快速發(fā)展為國(guó)產(chǎn) IGBT 替代帶來(lái)了顯著的本土化優(yōu)勢(shì)。

3.3.3全球家用電器變頻加速滲透,IGBT迎發(fā)展良機(jī)

IGBT 模塊是變頻家電變頻器的核心元器件。IGBT高頻開閉合功能能夠帶來(lái)以下優(yōu)點(diǎn):1、較小的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗;2、出色的 EMI 性能,可通過改變驅(qū)動(dòng)電阻的大小滿足 EMI 需求的同時(shí)保持開關(guān)損耗在合理范圍內(nèi);3、強(qiáng)大的抗短路能力;4、較小的電壓尖峰(對(duì)家電起到保護(hù)作用)。中國(guó)作為全球最大的家電市場(chǎng)和生產(chǎn)基地,亦孕育著大規(guī)模的 IGBT 市場(chǎng)。以空調(diào)行業(yè)為例,中國(guó)作為全球最大的家電市場(chǎng)和生產(chǎn)基地,亦孕育著大規(guī)模的 IPM 市場(chǎng)。

家電變頻可大幅節(jié)能電能。相對(duì)于傳統(tǒng)的家電產(chǎn)品,變頻家電產(chǎn)品在能效、性能及智能控制等方面有明顯的先天優(yōu)勢(shì)。近年來(lái),變頻家電正處在全面發(fā)展的階段,主要應(yīng)用于空調(diào)、微波爐、冰箱、熱水器等耗電較大的電器。舉例來(lái)講,相較于不可變頻冰箱,可變頻冰箱的使用壽命長(zhǎng),噪音小,并且能夠節(jié)省40%的能耗。

預(yù)測(cè)2022年家電變頻滲透率65%。IHS統(tǒng)計(jì),2017年全球家用電器銷量約7.11億臺(tái),其中4.67億臺(tái)為不可變頻家電,占比達(dá)到66%,而可變頻家電數(shù)量為2.44億臺(tái),占比為34%。預(yù)計(jì)到2022年可變頻家電銷售量將達(dá)到5.85億臺(tái),占比達(dá)到65%,17-22年銷售量CAGR為19.1%,而不可變頻家電銷售量將下降至3.17億臺(tái),占比減少至35%。

變頻家電功率半導(dǎo)體單機(jī)價(jià)值量大幅提升。可變頻家電的快速放量,將顯著提升單位家電中半導(dǎo)體的價(jià)值量,Infineon預(yù)測(cè)半導(dǎo)體價(jià)值量將從不可變頻的0.7歐元提升至9.5歐元,而增加的半導(dǎo)體主要是屬于功率半導(dǎo)體,假設(shè)9.5歐元是單位可變頻家電的平均半導(dǎo)體價(jià)值量,預(yù)計(jì)2022年家電半導(dǎo)體市場(chǎng)空間將從2017年的26.45億歐元增長(zhǎng)至57.79億元,17-22年CAGR為16.9%。

? 根據(jù) IHS數(shù)據(jù),2021 年家用功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望從 2017 年的 14.4 億美元增長(zhǎng)至 26.7 億美元,復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到16.69%。故而家用電器的變頻化必然也將推動(dòng)家用領(lǐng)域功率半導(dǎo)體的發(fā)展。

? 隨著全球節(jié)能環(huán)保的大力推行,白色家電變頻滲透率將逐步提升,功率半導(dǎo)體作為變頻器的核心元器件,將顯著受益。

3.4各領(lǐng)域增長(zhǎng):預(yù)計(jì)汽車用IGBT模塊2018年-2023年復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá)23.5%

2018年全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到62.1億美元。根據(jù)IHS數(shù)據(jù),2017年全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模為52.55億美元,同比2016年增長(zhǎng)16.5%,2018年全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模在62.1億美元左右。

四、電動(dòng)汽車需求拉動(dòng),碳化硅迎來(lái)發(fā)展新機(jī)遇

4.1性能優(yōu)異,第三代半導(dǎo)體應(yīng)運(yùn)而生

SiC和GaN基MOSFETs突破性能極限,技術(shù)升級(jí)勢(shì)在必行:和第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體材料具有寬的禁帶寬度,高的擊穿電場(chǎng)、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。為了追求更小的器件體積以及更好的性能,功率器件廠商逐漸推進(jìn)下一代技術(shù)方案的SiC和GaN基MOSFETs。舉例來(lái)講,1)SiC基MOSFETs相較于硅基MOSFETs擁有高度穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu),工作溫度可達(dá)600 ℃;2)SiC的擊穿場(chǎng)強(qiáng)是硅的十倍多,因此SiC基MOSFETs阻斷電壓更高;3)SiC的導(dǎo)通損耗比硅器件小很多,而且隨溫度變化很小;4)SiC的熱導(dǎo)系數(shù)幾乎是Si材料的2.5倍,飽和電子漂移率是Si的2倍,所以SiC器件能在更高的頻率下工作。

? SiC主要應(yīng)用于白色家電、新能源(電動(dòng)汽車、風(fēng)電、光伏)、工業(yè)應(yīng)用等。

4.2碳化硅在電動(dòng)汽車領(lǐng)域有望大顯身手

在車用方面,SiC MOSFET在性能方面明顯占優(yōu),可以降低損耗,減小模塊體積重量,IGBT在可靠性魯棒性方面占優(yōu)。碳化硅器件應(yīng)用于車載充電系統(tǒng)和電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng),能夠有效降低開關(guān)損耗、提高極限工作溫度、提升系統(tǒng)效率。

Model 3率先采用SiC MOSFET,開啟了電動(dòng)汽車使用SiC先河。

? 特斯拉逆變器模組上率先采用了24顆碳化硅SiC MOSFET,該產(chǎn)品由意法半導(dǎo)體提供,隨后英飛凌也成為了特斯拉的 SiC 功率半導(dǎo)體供應(yīng)商。整個(gè)功率模塊單元由單管模塊組成,采用標(biāo)準(zhǔn)6-switches 逆變器拓?fù)洌總€(gè)switch由4顆單管模塊組成,共24 顆單管模塊,器件耐壓為650V。Model 3的 SiC 單管模塊設(shè)計(jì)與Model S/X采用Infineon IGBT單管思路一致,好處是實(shí)現(xiàn)不同功率等級(jí)的可擴(kuò)展同時(shí),還能提升模塊封裝良率,降低半導(dǎo)體器件成本。

比亞迪漢采用SiC MOSFET 提升加速性能、功率及續(xù)航能力。

? 2020 年,比亞迪漢 EV 車型電機(jī)控制器首次使用了比亞迪自主研發(fā)并制造的SiC MOSFET 控制模塊,大大提高了電機(jī)性能。

碳化硅加速性能好。寬禁帶最直接的好處,有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng),也就是耐高壓,即是可以控制更高的系統(tǒng)電壓。比亞迪漢能夠使用650V電壓平臺(tái),也有碳化硅的功勞。高電壓意味著低電流,能減少設(shè)備電阻的損耗。對(duì)電機(jī)設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),也更容易在小體積下實(shí)現(xiàn)更高功率,也因此,比亞迪漢可以輕松實(shí)現(xiàn)3.9S的 0–100 加速性能。

碳化硅可實(shí)現(xiàn)大概率及高續(xù)航。除了寬禁帶帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)外,碳化硅還有兩大優(yōu)勢(shì),一個(gè)是飽和電子速度更高,一個(gè)是導(dǎo)熱率更高、耐溫性能更高。飽和電子速度快,也就是可以通過更大的電流。碳化硅材料的電子飽和速度是硅材料的兩倍,因此在設(shè)備設(shè)計(jì)時(shí),匹配的電流強(qiáng)度更容易遠(yuǎn)離設(shè)備的飽和電流,也就能實(shí)現(xiàn)在導(dǎo)通狀態(tài)下更低的電阻。這能減少電能的損耗,也有助于降低設(shè)備發(fā)熱,簡(jiǎn)化散熱設(shè)計(jì)。特別是在瞬時(shí)大電流情況下,設(shè)備溫度積累減少,再加上耐溫性增加與材料本身更強(qiáng)的導(dǎo)熱率,也讓設(shè)備散熱更容易。車輛也就能爆發(fā)出更大的功率。這是比亞迪漢能實(shí)現(xiàn)363Kw功率的原因。使用磷酸鐵鋰的情況下能達(dá)到605公里的續(xù)航里程,顯然也有碳化硅的功勞。

豐田燃料電池車Mirai車型采用碳化硅模塊

? 電裝已經(jīng)開始批量生產(chǎn)搭載了SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體的新一代升壓功率模塊,該模塊將應(yīng)用于豐田燃料電池車Mirai車型。電裝與豐田(TM.US)的SiC功率模塊的應(yīng)用歷經(jīng)HEV、燃料電池巴士和燃料電池乘用車。新Mirai的新一代固態(tài)燃料電池核心組件Toyota FC Stack搭配了使用多個(gè)SiC功率半導(dǎo)體的FC升壓變換器。升壓變換器作用是輸出高于輸入電壓的電壓。

功率模塊體積縮小了30%,損耗降低了70%。根據(jù)電裝的測(cè)算,與采用Si基功率半導(dǎo)體的產(chǎn)品相比,搭載了SiC功率半導(dǎo)體(含二極管和晶體管)的新型升壓功率模塊體積縮小了約30%,損耗降低了約70%,在實(shí)現(xiàn)功率模塊小型化的同時(shí)提升了車輛的燃油效率。

搭載SiC模塊的新Mirai續(xù)航里程提升30%。豐田表示,通過在FC升壓變壓器中使用SiC半導(dǎo)體,采用鋰離子低壓蓄電池等方式,降低系統(tǒng)能耗損失。同時(shí),在提升FC電堆性能的基礎(chǔ)上,通過采用觸媒活性再生控制技術(shù),提升發(fā)電效率。從而豐田實(shí)現(xiàn)了新Mirai WLTC工況最高續(xù)航里程約850km,較上一代車型提升約30%。

4.3預(yù)測(cè)2027 年碳化硅功率器件規(guī)模將超百億美元

預(yù)測(cè)2027 年碳化硅功率器件的市場(chǎng)規(guī)模將超過100 億美元。2018 年碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模約3.9 億美元,受新能源汽車龐大需求的驅(qū)動(dòng)以及電力設(shè)備等領(lǐng)域的帶動(dòng),IHS預(yù)測(cè)到2027年碳化硅功率器件的市場(chǎng)規(guī)模將超過 100 億 美元。2021年起,受益電動(dòng)汽車?yán)瓌?dòng),SiC MOSFET將保持較快的速度增長(zhǎng),成為最暢銷的分立SiC功率器件。

五、功率半導(dǎo)體80%以上依賴進(jìn)口,國(guó)內(nèi)企業(yè)奮起直追

5.1歐、美、日企業(yè)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)明顯

? 據(jù)Infineon統(tǒng)計(jì),2019年全球功率半導(dǎo)體器件與模組市場(chǎng)規(guī)模為210億美元,歐美日呈現(xiàn)三足鼎立之勢(shì),英飛凌位居第一,占比19%,安森美次之,占比8.4%,前十大公司合計(jì)市占率達(dá)到58.3%。

2019年,全球MOSFET市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到81億美元,英飛凌以絕對(duì)優(yōu)勢(shì)排名第一,市占率達(dá)到24.6%,前五大公司市占率達(dá)到59.8%。聞泰收購(gòu)的安世半導(dǎo)體及中國(guó)本土成長(zhǎng)起來(lái)的華潤(rùn)微進(jìn)入前十,分別占比4.1%和3.0%。

2019年,IGBT模組市場(chǎng)規(guī)模為33.1億美元,英飛凌排名第一,市占率高達(dá)35.6%,前五大公司合計(jì)占比達(dá)到68.8%。中國(guó)本土成長(zhǎng)起來(lái)的IGBT龍頭公司斯達(dá)半導(dǎo)體近幾年發(fā)展較快,進(jìn)入前十,2019年排名第八,市占率2.5%。

?2019年,分立IGBT市場(chǎng)規(guī)模為14.4億美元,英飛凌排名第一,市占率高達(dá)32.5%,前五大公司合計(jì)占比達(dá)到63.9%,中國(guó)廠商士蘭微進(jìn)入前十,市占率2.2%。

? 2019年,IPMs市場(chǎng)規(guī)模為15.9億美元,日本三菱排名第一,市占率高達(dá)32.7%,前五大公司合計(jì)占比達(dá)到76.9%,中國(guó)廠商士蘭微和華微電子進(jìn)入前十,市占率分別為1.1%和0.8%。

5.2中國(guó)功率半導(dǎo)體企業(yè)奮起直追,迎來(lái)快速發(fā)展期

中國(guó)是全球最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。國(guó)際龍頭企業(yè)較大部分收入來(lái)自中國(guó)地區(qū),以達(dá)爾科技和恩智浦(NXPI.US)為例,其收入的50%多和40%多來(lái)自中國(guó)大陸,中國(guó)是電動(dòng)汽車大國(guó),英飛凌的IGBT在中國(guó)電動(dòng)汽車市場(chǎng)占比達(dá)到60%多。由此可見,我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求量巨大,本土廠商擁有非常大的進(jìn)口替代空間。

中國(guó)IGBT自給率不斷提升。根據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù),自 2015 年以來(lái),我國(guó) IGBT 自給率超過 10%并逐漸增長(zhǎng),預(yù)測(cè)2020年自給率將從2015年的10.1%提升至18.4%,預(yù)計(jì) 2024 年我國(guó) IGBT 行業(yè)產(chǎn)量將達(dá)到 0.78 億只,需求量約為 1.96 億只,自給率達(dá)到40%。整體來(lái)看,我國(guó) IGBT 行業(yè)仍存在巨大供需缺口,“國(guó)產(chǎn)替代”將會(huì)是未來(lái) IGBT 行業(yè)重要的發(fā)展方向。

中高端功率半導(dǎo)體產(chǎn)品依賴海外。比亞迪、華為、中國(guó)中車股份有限公司(CRRC,01766)、陽(yáng)光電源股份有限公司(Sungrow)等中國(guó)企業(yè)是引領(lǐng)全球的功率半導(dǎo)體客戶,但是這些公司在功率半導(dǎo)體采購(gòu)上依然極其依賴英飛凌、富士電機(jī)、三菱電機(jī)等海外供應(yīng)商。中國(guó)是電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力汽車的最大市場(chǎng),但是海外供應(yīng)鏈仍為中國(guó)的大部分系統(tǒng)提供功率半導(dǎo)體模組。在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)上,中高端產(chǎn)品生產(chǎn)廠商主要集中在歐洲、美國(guó)和日本地區(qū)。歐美日的功率半導(dǎo)體廠商大部分屬于IDM廠商,英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體、三菱、東芝等是行業(yè)中的龍頭企業(yè)。中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)也是較大的功率半導(dǎo)體產(chǎn)地,廠商大多屬于Fabless廠商,產(chǎn)品主要集中在低端領(lǐng)域。我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占據(jù)全球36%左右的需求份額,在高端產(chǎn)品領(lǐng)域,約80%依賴進(jìn)口。

中國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在快速發(fā)展。我國(guó)半導(dǎo)體廠商主要為IDM模式,生產(chǎn)鏈較為完善,產(chǎn)品主要集中在二極管、低壓MOS器件、晶閘管等低端領(lǐng)域,IGBT逐漸獲得突破,生產(chǎn)工藝成熟且具有成本優(yōu)勢(shì),行業(yè)中的龍頭企業(yè)盈利水平遠(yuǎn)高于臺(tái)灣地區(qū)廠商。而在新能源、電力、軌道交通等高端產(chǎn)品領(lǐng)域,國(guó)內(nèi)僅有極少數(shù)廠商擁有生產(chǎn)能力,高端產(chǎn)品市場(chǎng)主要被英飛凌、安森美、瑞薩、東芝等歐美日廠商所壟斷。

? 目前國(guó)內(nèi)外 IGBT 市場(chǎng)仍主要由外國(guó)企業(yè)占據(jù),國(guó)內(nèi)以斯達(dá)半導(dǎo)體為首的IGBT企業(yè)發(fā)展快速,在工控、電動(dòng)汽車、風(fēng)電、光伏、電力及高鐵等領(lǐng)域逐漸取得突破,不斷提升份額,2019年,按照出貨數(shù)量測(cè)算,中國(guó)電動(dòng)汽車用IGBT,英飛凌占比最大,市占率高達(dá)49.3%,比亞迪第二,占比20%(主要給自己配套),斯達(dá)半導(dǎo)體第三,占比16.6%,斯達(dá)半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車IGBT領(lǐng)域芯片自給率較高,超過90%。

?我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中,本土廠商在低端產(chǎn)品領(lǐng)域已經(jīng)開始進(jìn)口替代,聞泰科技收購(gòu)的安世半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)體、華潤(rùn)微、新潔能、立昂微、華微電子、揚(yáng)杰科技、士蘭微、三安光電、捷捷微電等是行業(yè)中的優(yōu)質(zhì)企業(yè),但市場(chǎng)份額占比仍然較低。

六、看好行業(yè)細(xì)分龍頭

6.1投資建議

? 目前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈正在日趨完善,技術(shù)也正在取得突破,中國(guó)是全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó),2019年占全球需求比例高達(dá)35.9%,且增速明顯高于全球,未來(lái)在新能源(電動(dòng)汽車、光伏、風(fēng)電)、工控、變頻家電、IOT設(shè)備等需求下,中國(guó)需求增速將繼續(xù)高于全球,行業(yè)穩(wěn)健增長(zhǎng)+國(guó)產(chǎn)替代,我們看好細(xì)分行業(yè)龍頭:斯達(dá)半導(dǎo)體、華潤(rùn)微、華虹半導(dǎo)體、士蘭微、新潔能、立昂微、三安光電、聞泰科技、中車時(shí)代電氣(03898)。

6.2風(fēng)險(xiǎn)提示

電動(dòng)汽車發(fā)展低于預(yù)期,IGBT價(jià)格下降;

? 5G發(fā)展低于預(yù)期,5G基站建設(shè)進(jìn)度緩慢,5G手機(jī)銷量低于預(yù)期;

? 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)突破及市場(chǎng)拓展難度較大,中高端功率半導(dǎo)體產(chǎn)品(IGBT、MOSFET)國(guó)內(nèi)公司進(jìn)展緩慢;

? 國(guó)內(nèi)企業(yè)眾多,但是規(guī)模較小,大部分為中低端產(chǎn)品,擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)激烈,價(jià)格下滑,

功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要持續(xù)性投入。

(編輯:曾盈穎)

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