IGBT國產(chǎn)替代下,中車時代(03898)正在成為百億新增市場的獨寵

6個交易日累漲66%背后,還有一波兇猛的行情

6個交易日累計漲幅65.8%,中車時代電氣(03898)瘋狂行情仍在上演。

智通財經(jīng)APP了解到,繼7月6日單日暴漲28%之后,中車時代股價的表演才剛剛開始,7月9日、13日,公司再度分別錄得22.4%、14.1%的單日急速拉漲,6個交易日的累計漲幅高達65.8%,期間共計30億港元資金參與,要知道此前公司67個交易日總成交額才能達到30億港元規(guī)模。

當前資金瘋狂涌入中車時代電氣,不僅是因為傳統(tǒng)城軌、鐵路業(yè)務迎來機遇,還有在IGBT行業(yè)規(guī)模、熱度爆發(fā)性增長的當下,公司是最有潛力搶下半壁江山的那家龍頭企業(yè)。

IGBT行業(yè)爆發(fā)正在上演

作為半導體功率器件中最有潛力的IGBT,當前市場規(guī)模正快速增長。智通財經(jīng)APP了解到,IGBT是絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR(電力晶體管)的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。根據(jù)ICInsights的預測,未來半導體功率器件中,MOSFET與IGBT器件將是最強勁的增長點,其中IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

隨著軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域的加速發(fā)展,國內(nèi)IGBT需求迎來爆發(fā),近幾年國內(nèi)IGBT市場規(guī)模呈加速增長趨勢。根據(jù)IHS報告,2018年全球IGBT市場規(guī)模為62.4億美金,中國市場規(guī)模為19.23億美金,占全球市場規(guī)模比例達到30.82%。隨著中國在新能源領域持續(xù)大規(guī)模地投入,中國IGBT市場增速將快于全球,中國IGBT市場占比將進一步提升。

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目前新能源汽車的全面爆發(fā),更是給IGBT加了一把火。智通財經(jīng)APP了解到,新能源車的成本結構中,排在第一的電池成本可以占到總成本40%以上,第二大的則是電機驅動系統(tǒng),可以達到總成本的15%-20%,IGBT則占到電機驅動系統(tǒng)成本40%-50%,即IGBT能占總成本接近8%的比例。而且相對于傳統(tǒng)燃油車功率半導體器件電壓低,只需要Si基的MOSFET而言,新能源汽車在600V以上MOSFET無法達到要求成,必須要換成IGBT,因此IGBT也是僅次于電池以外第二大受益的零部件。

以SIC-MOS的成熟后單車平均IGBT用量逐漸下滑至2025年的430美元/車,2025年預測新能源車銷量504萬輛計算,中國2025年車載IGBT市場規(guī)模達22億美金,屆時全球新能源車數(shù)量預計為國內(nèi)的3倍,全球車載IGBT市場規(guī)模就高達66億美金。

當前最新產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)得知,IGBT已經(jīng)逐步呈現(xiàn)供不應求狀態(tài)。根據(jù)富昌電子的2020年Q1市場行情報告顯示,目前英飛凌、安森美、Microsemi等IGBT供應商的供貨周期普遍維持在13-30周左右,且交期有延長趨勢,而IGBT正常的供貨周期是在7-8周左右,可見IGBT供應的緊張態(tài)勢。

與此同時,國內(nèi)IGBT供應企業(yè)還享受國產(chǎn)替代這一重大利好邏輯。智通財經(jīng)APP了解到,由于IGBT行業(yè)存在技術門檻較高、人才匱乏、市場開拓難度大、資金投入較大等困難,國內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)業(yè)化進程中一直進展緩慢,目前全球IGBT市場主要被國外公司所占領,2017年全球IGBT市場中,英飛凌以27.1%的市占率排名第一,三菱以16.4%排名第二,排名第三的富士電機市占率為10.7%。全球前5公司市占率達67.5%,行業(yè)集中度較高,國內(nèi)IGBT龍頭斯達半導全球市占率僅2.2%。

隨著全球制造業(yè)向中國的轉移,我國功率半導體市場占世界市場的50%以上,是全球最大的IGBT市場,但IGBT產(chǎn)品嚴重依賴進口,在中高端領域更是90%以上的IGBT器件依賴進口,尤其在國內(nèi)供應鏈安全時常受威脅的背景下,下游客戶紛紛增加國產(chǎn)供應商份額以備不時之需,IGBT國產(chǎn)化需求已是刻不容緩,國產(chǎn)替代邏輯順暢。

而在這重重利好的大背景下,中車時代電氣或是受益最具確定性的龍頭企業(yè)。

絕對技術領先優(yōu)勢下,中車時代有望脫穎而出

隨著市場蛋糕越來越大,國內(nèi)參與者也越來越多。智通財經(jīng)APP了解到,受IGBT市場需求大幅增長推動,國內(nèi)IGBT行業(yè)近年開啟加速增長。除華為開始布局之外,比亞迪微電子、中車時代電氣、斯達半導、士蘭微等部分企業(yè)已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)。此外,近年來,原從事二極管、三級管、晶閘管等技術含量較低的功率半導體廠商,華微電子、揚杰科技、捷捷微電以及臺基股份等紛紛向MOSFET與IGBT領域突圍,部分下游應用廠商也向上游IGBT領域布局。

但能夠撼動國際巨頭地位的,或許還是只有中車時代電氣。智通財經(jīng)APP了解到,中車時代電氣2008年進入IGBT業(yè)務,2014年生產(chǎn)出第一個分立器件,公司也是在3300-6500V領域國內(nèi)唯一的制造商?;谄?300V分立器件和模塊,時代電氣的IGBT產(chǎn)品最早應用于大功率機車,而且公司IGBT產(chǎn)品還進入了中國國家電網(wǎng)的UHVDC(超高壓直流)項目、印度的機車市場和俄羅斯的分立器件市場。

目前行業(yè)絕對領導者是德國的英飛凌,擁有最先進的第七代技術,市占率超過半壁江山,當前特斯拉、吉利、一汽大眾等都是英飛凌供貨。中車技術水平是和英飛凌同代,但略弱于英飛凌,主要是一些非關鍵性指標小幅弱于英飛凌,公司當前仍在追趕。而國內(nèi)市占率第一的斯達半導,其實基本沒有自己的技術和生產(chǎn)線,多是貼牌英飛凌。比亞迪半導體則主要是自供,技術水平還停留在第四代和第五代。

據(jù)銷售市場資料顯示,當前中車時代已經(jīng)逼迫英飛凌不斷降價來保住市場,已經(jīng)表明中車時代技術上已經(jīng)嚴重威脅到了英飛凌行業(yè)領先者的地位。同時,從客戶的實際應用反饋數(shù)據(jù)來說,基本認為和英飛凌差別不大,相較于其他幾個品牌則是明顯拉開了差距。

并且,從中車內(nèi)部人員溝通中,同樣能體會到當前中車時代的技術領先優(yōu)勢。智通財經(jīng)APP了解到,因為認可中車在IGBT領域的技術水平和研發(fā)能力,公司有很多技術員工都是國內(nèi)頂尖高校畢業(yè),或是歐美專門學習研究IGBT的回國加入中車,落戶株洲。按照他們的原話來說,現(xiàn)在的重點就是迭代技術,追趕英飛凌,國內(nèi)同行完全不構成威脅,國內(nèi)唯一對手也許只是華為。

目前公司正在進行科創(chuàng)板上市,來將技術優(yōu)勢轉化為勝勢。

科創(chuàng)板上市催化,碳化硅后勁支撐

科創(chuàng)板上市基本確定,產(chǎn)能擴張也已提上日程。智通財經(jīng)APP了解到,中車時代電氣旗下中車半導體正在籌劃上市國內(nèi)的科創(chuàng)板,已經(jīng)在做上市輔導了,并且戰(zhàn)略投資方面公司也已經(jīng)跟全球知名機構正在進行商談。此次公司上市募資除繼續(xù)投入研發(fā)外,就是用于產(chǎn)能擴張。據(jù)悉,公司目前有一個工廠主要供貨是高鐵,另外也已經(jīng)和東風合資建廠進行中,雖然因為2020年初的公共衛(wèi)生事件而有所耽誤,但是2021年仍可以進行投產(chǎn),且每一個廠的產(chǎn)能都超過當前國內(nèi)市占率暫時第一的斯達半導生產(chǎn)力。

要知道的是,由于IGBT領域技術更迭較慢,部分產(chǎn)品可以用到5-10年之久,同時IGBT的進入壁壘是功率半導體里最高,從芯片設計到模組都需要很長時間技術積累以及在實際應用中不斷調(diào)試,注重資深工程師的經(jīng)驗積累,高壁壘重積累的特性決定中車時代這樣高投入,是能有足夠回報。

此外,公司碳化硅布局的大量投入還在為長期發(fā)展鋪路。智通財經(jīng)APP了解到,碳化硅和氮化鎵是未來功率半導體的核心發(fā)展方向,相對于傳統(tǒng)的硅材料,碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍;導熱率為硅的4-5倍;擊穿電壓為硅的8倍;電子飽和漂移速率為硅的2倍,因此,碳化硅特別適于制造耐高溫、耐高壓,耐大電流的高頻大功率的器件,主要應用是超級充電,400公里續(xù)航只需要5~10分鐘,是一個非常有潛力的千億賽道。

雖然當前SIC成本由是Si基的4-5倍,因此當前仍以Si仍為應用主流,但隨著未來2-3年的時間里,當SiC成本由目前是Si基4-5倍下降至2倍,SIC的時代就將來臨。中車時代官網(wǎng)除了展示IGBT產(chǎn)品外,還有展示5款SiC肖特基(SICSBD產(chǎn)品),目前中車碳化硅的技術處于國際領先齊頭并進的水平,相信在未來3-5年,SIC基材逐漸侵占Si基材份額的大趨勢下,公司又將收獲一枚業(yè)績增長強驅動。

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綜上而言,作為具備IGBT技術絕對領先優(yōu)勢的國內(nèi)企業(yè),面對行業(yè)爆發(fā)性增長和國產(chǎn)替代大需求,以及科創(chuàng)上市帶來的全面擴產(chǎn),公司有望在不久的將要迎來業(yè)績爆發(fā)式增長,當前資金瘋狂涌入,等待的或是一波兇猛的中長期行情。

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