中銀國(guó)際：利基存儲(chǔ)企穩(wěn)回升在望 AI驅(qū)動(dòng)高端需求加速放量

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，中銀國(guó)際發(fā)布研報(bào)稱(chēng)，步入2024年，DRAM及NAND價(jià)格漲勢(shì)延續(xù)，利基型存儲(chǔ)拐點(diǎn)或已現(xiàn)，在大宗品漲價(jià)氛圍帶動(dòng)，同時(shí)受惠業(yè)者減產(chǎn)效益全面發(fā)酵，渠道商庫(kù)存水位明顯下降背景下，NOR Flash等利基存儲(chǔ)亦開(kāi)始醞釀漲價(jià)。展望全年，伴隨存儲(chǔ)原廠復(fù)蘇態(tài)勢(shì)及以AI手機(jī)、AIPC等為代表的終端創(chuàng)新推出，存儲(chǔ)板塊“周期+成長(zhǎng)”雙重邏輯有望持續(xù)共振，同時(shí)大基金三期或進(jìn)一步發(fā)力國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)，行業(yè)或迎來(lái)板塊性機(jī)會(huì)。

中銀國(guó)際主要觀點(diǎn)如下：

存儲(chǔ)板塊2023年報(bào)及2024一季報(bào)綜述

2023年存儲(chǔ)設(shè)計(jì)業(yè)績(jī)承壓，但季度環(huán)比已現(xiàn)修復(fù)態(tài)勢(shì)，模組收入同比高增，但利潤(rùn)低迷。24Q1存儲(chǔ)設(shè)計(jì)及模組都趨于復(fù)蘇。從收入端來(lái)看，存儲(chǔ)IC設(shè)計(jì)板塊2023年全年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入40.47億元，同比下降0.09%。存儲(chǔ)模組板塊實(shí)現(xiàn)營(yíng)收58.68億元，同比增長(zhǎng)75.15%。從利潤(rùn)端來(lái)看，存儲(chǔ)IC設(shè)計(jì)板塊2023年全年實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)7.23億元，同比下降84.90%。存儲(chǔ)模組板塊實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)-14.71億，同比大幅下滑。相較收入端的下滑，利潤(rùn)端下滑更加明顯。

中銀國(guó)際表示，步入2024年，24Q1存儲(chǔ)設(shè)計(jì)與模組板塊均呈現(xiàn)收入與利潤(rùn)的同環(huán)比修復(fù)，呈現(xiàn)出景氣好轉(zhuǎn)趨勢(shì)。特別是存儲(chǔ)模組廠受益大宗價(jià)格起漲，業(yè)績(jī)彈性釋放明顯。

利基市場(chǎng)有望伴隨大宗起漲，終端需求呈弱復(fù)蘇態(tài)勢(shì)

價(jià)格方面，DRAM及NAND價(jià)格漲勢(shì)延續(xù)，利基型存儲(chǔ)拐點(diǎn)或已現(xiàn)，在大宗品漲價(jià)氛圍帶動(dòng)，同時(shí)受惠業(yè)者減產(chǎn)效益全面發(fā)酵，渠道商庫(kù)存水位明顯下降背景下，NOR Flash等利基存儲(chǔ)亦開(kāi)始醞釀漲價(jià)。庫(kù)存方面，原廠庫(kù)存水位漸趨于好轉(zhuǎn)。

供給方面，美光，三星資本開(kāi)支低位運(yùn)轉(zhuǎn)，海力士加碼投入HBM，到今年底，原廠約80% DRAM產(chǎn)能切換至DDR5，隨著低世代DRAM現(xiàn)貨低價(jià)資源消耗殆盡，原廠庫(kù)存水位下降，DDR4供應(yīng)或?qū)⑾萑攵倘薄Ｐ枨蠓矫?，智能終端弱復(fù)蘇態(tài)勢(shì)建立，傳統(tǒng)消費(fèi)電子增長(zhǎng)涌現(xiàn)。NOR Flash在智能家電領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊，伴隨家電回暖NOR或再迎新增長(zhǎng)。

AI需求高景氣持續(xù)，數(shù)據(jù)中心復(fù)蘇在望

24年HBM3E將趨向主流，HBM4正加速趕來(lái)，受益AI需求的發(fā)展，三大存儲(chǔ)原廠動(dòng)態(tài)不斷，SK海力士、三星、美光均表示近兩年HBM產(chǎn)能已售罄。隨著HBM3E和HBM4的持續(xù)推進(jìn)，帶動(dòng)行業(yè)生態(tài)發(fā)生變革。受全球主要云計(jì)算廠商新一輪資本開(kāi)支增長(zhǎng)以及對(duì)于高端AI服務(wù)器需求增加的影響，數(shù)據(jù)中心有望迎來(lái)修復(fù)性增長(zhǎng)，配套內(nèi)存接口芯片或迎來(lái)復(fù)蘇增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。

建議關(guān)注標(biāo)的：

利基存儲(chǔ)：兆易創(chuàng)新(603986.SH)、普冉股份(688766.SH)、東芯股份(688110.SH)等。

內(nèi)存接口芯片：瀾起科技(688008.SH)、聚辰股份(688123.SH)。

HBM產(chǎn)業(yè)鏈：通富微電(002156.SZ)、賽騰股份(603283.SH)、華海誠(chéng)科(688535.SH)、聯(lián)瑞新材(688300.SH)等。

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)原廠配套設(shè)備、材料：北方華創(chuàng)(002371.SZ)、中微公司(688012.SH)、拓荊科技(688072.SH)、雅克科技(002409.SZ)等。

風(fēng)險(xiǎn)因素：利基型存儲(chǔ)復(fù)蘇不及預(yù)期、終端創(chuàng)新應(yīng)用滲透率提升不及預(yù)期、HBM/DDR5競(jìng)爭(zhēng)加劇、國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈配套驗(yàn)證不及預(yù)期。