傳三星(SSNLF.US)HBM芯片因發(fā)熱和功耗問題未通過英偉達(dá)(NVDA.US)測試

智通財經(jīng)APP獲悉，據(jù)三名知情人士透露，由于散熱和功耗問題，三星電子(SSNLF.US)最新的高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片未通過英偉達(dá)(NVDA.US)用于美國公司人工智能處理器的測試。

他們稱，這些問題影響了三星的HBM3芯片，這是目前用于人工智能圖形處理單元(GPU)的第四代HBM標(biāo)準(zhǔn)，以及這家韓國科技巨頭及其競爭對手今年將推向市場的第五代HBM3E芯片。

三星未能通過英偉達(dá)測試的原因首次被報道。三星電子在發(fā)給路透社的一份聲明中表示:“HBM是一種定制內(nèi)存產(chǎn)品，需要根據(jù)客戶的需求進(jìn)行優(yōu)化?！辈⒎Q:“正在與客戶密切合作，優(yōu)化產(chǎn)品?！痹摴揪芙^就具體客戶置評。英偉達(dá)拒絕置評。

HBM是一種動態(tài)隨機(jī)存取存儲器或DRAM標(biāo)準(zhǔn)，于2013年首次生產(chǎn)，芯片在其中垂直堆疊以節(jié)省空間并降低功耗。HBM產(chǎn)品有助于處理復(fù)雜人工智能應(yīng)用程序產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù)。隨著對復(fù)雜GPU的需求在人工智能熱潮中飆升，市場對HBM的需求也在飆升。

目前，英偉達(dá)控制著全球80%的人工智能應(yīng)用GPU市場，讓這家科技巨頭滿意被視為HBM制造商未來增長的關(guān)鍵，無論是在聲譽還是在利潤勢頭方面。

三位消息人士稱，自去年以來，三星一直試圖通過英偉達(dá)對HBM3和HBM3E的測試。據(jù)兩位知情人士透露，三星8層和12層HBM3E芯片最近的測試結(jié)果是在4月份公布的。

目前尚不清楚這些問題能否輕易解決，但三位消息人士表示，未能滿足英偉達(dá)的要求，令業(yè)界和投資者更加擔(dān)心三星在HBM方面或?qū)⑦M(jìn)一步落后于競爭對手SK海力士和美光科技(MU.US)。

與三星相反，國內(nèi)競爭對手SK海力士是英偉達(dá)的主要HBM芯片供應(yīng)商，從2022年6月開始供應(yīng)HBM3。該公司還從3月底開始向一家拒絕透露姓名的客戶供應(yīng)HBM3E。消息人士稱，這些產(chǎn)品的發(fā)貨目的地是英偉達(dá)。

唯一的另一家HBM主要制造商美光也表示將向英偉達(dá)提供HBM3E。

本周，三星更換了其半導(dǎo)體部門的負(fù)責(zé)人，稱需要一位新的高層人物來應(yīng)對影響該業(yè)務(wù)的“危機(jī)”。分析師表示，此舉似乎突顯了三星對其在HBM領(lǐng)域落后地位的擔(dān)憂。

KB證券研究主管Jeff Kim表示，市場對三星作為全球最大的存儲芯片制造商的期望很高，他認(rèn)為三星將很快通過英偉達(dá)的測試，但HBM等專業(yè)產(chǎn)品需要一些時間才能達(dá)到客戶的性能評估也是很自然的。

三星電子雖然還未成為英偉達(dá)的HBM3供應(yīng)商，但已經(jīng)向AMD(AMD.US)等客戶提供了HBM3E芯片，并計劃從第二季度開始批量生產(chǎn)。三星在給路透社的聲明中說，其產(chǎn)品計劃正在按計劃進(jìn)行。

分析師還提到，SK海力士在2013年首次開發(fā)出HBM芯片，在過去的10年里，SK海力士在HBM研發(fā)上投入的時間和資源遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過三星電子，這也是其技術(shù)優(yōu)勢的原因。

三星電子在聲明中表示:“2015年開發(fā)了第一個用于高性能計算的商用HBM解決方案，此后一直在HBM領(lǐng)域進(jìn)行投資。”

消息人士還稱，英偉達(dá)和AMD等GPU制造商也迫切希望三星完善其HBM芯片，以豐富其供應(yīng)商選擇，從而削弱SK海力士的議價能力。

在今年3月舉行的英偉達(dá)人工智能大會上，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛在三星展臺的三星12層HBM3E芯片上簽署“Jensen(黃仁勛)認(rèn)證”，表明該公司對三星供應(yīng)這些芯片的前景充滿熱情。

根據(jù)研究公司Trendforce的數(shù)據(jù)，HBM3E芯片可能成為今年市場上主流的HBM產(chǎn)品，出貨量集中在2024年下半年。

另外，SK海力士預(yù)計，到2027年，HBM存儲芯片的總體需求將以每年82%的速度增長。

分析師表示，投資者已經(jīng)注意到三星在HBM領(lǐng)域的相對弱勢地位。該公司股價今年迄今持平，而SK海力士的股價上漲了41%，美光科技的股價自然上漲了48%。