美光科技(MU.US)開始量產(chǎn)HBM3E內(nèi)存 將用于英偉達(dá)(NVDA.US)H200 AI芯片

美光科技已經(jīng)開始量產(chǎn)用于英偉達(dá)最新人工智能芯片的高帶寬內(nèi)存(HBM)。

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉,美光科技(MU.US)已經(jīng)開始量產(chǎn)用于英偉達(dá)(NVDA.US)最新人工智能芯片的高帶寬內(nèi)存(HBM)。據(jù)悉,美光科技的HBM3E產(chǎn)品將供貨給英偉達(dá),并將應(yīng)用于英偉達(dá)H200 Tensor Core GPU,該GPU預(yù)計(jì)將于第二季度開始發(fā)貨。

資料顯示,美光科技HBM3E內(nèi)存基于1β 工藝,采用TSV封裝、2.5D/3D堆疊,可提供1.2 TB/s及更高的性能。美光科技表示,與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品相比,其HBM3E產(chǎn)品有著以下三方面的優(yōu)勢(shì):(1)卓越性能:美光HBM3E擁有超過9.2Gb/s的針腳速率、超過1.2 TB/s的內(nèi)存帶寬,可滿足人工智能加速器、超級(jí)計(jì)算機(jī)和數(shù)據(jù)中心的苛刻需求。(2)出色能效:與競(jìng)品相比,美光HBM3E功耗降低了約 30%,在提供最大吞吐量的前提下將功耗降至最低,有效改善數(shù)據(jù)中心運(yùn)營支出指標(biāo)。(3)無縫擴(kuò)展: 美光HBM3E目前可提供24GB容量,可幫助數(shù)據(jù)中心輕松擴(kuò)展其AI應(yīng)用,無論是訓(xùn)練大規(guī)模神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)還是加速推理任務(wù)都能提供必要的內(nèi)存帶寬。

美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana表示:“美光科技憑借這一HBM3E里程碑實(shí)現(xiàn)了三連勝:上市時(shí)間領(lǐng)先、一流的行業(yè)性能以及差異化的能效概況。”“人工智能工作負(fù)載嚴(yán)重依賴內(nèi)存帶寬和容量,美光科技處于有利位置,可以通過我們業(yè)界領(lǐng)先的HBM3E和HBM4路線圖以及我們用于人工智能應(yīng)用的完整DRAM和NAND解決方案組合來支持未來人工智能的顯著增長(zhǎng)?!?/p>

HBM是美光科技最賺錢的產(chǎn)品之一,部分原因在于其構(gòu)造所涉及的技術(shù)復(fù)雜性。美光科技此前曾表示,預(yù)計(jì)2024財(cái)年HBM收入將達(dá)到“數(shù)億”美元,并在2025年繼續(xù)增長(zhǎng)。Moor Insights & Strategy分析師Anshel Sag表示:“我認(rèn)為這對(duì)美光科技來說是一個(gè)巨大的機(jī)會(huì),特別是因?yàn)镠BM在人工智能應(yīng)用方面越來越受歡迎。”

HBM市場(chǎng)目前由SK海力士主導(dǎo)。Anshel Sag補(bǔ)充稱:“由于SK海力士2024年的庫存已經(jīng)售罄,有另一個(gè)供應(yīng)市場(chǎng)的供應(yīng)商可以幫助AMD、英特爾或英偉達(dá)等芯片制造商擴(kuò)大GPU生產(chǎn)規(guī)模。”

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