國盛證券：光模塊產(chǎn)業(yè)持續(xù)高增長 薄膜鈮酸鋰調(diào)制器有望迎高速發(fā)展期

智通財經(jīng)APP獲悉，國盛證券發(fā)布研究報告稱，光模塊產(chǎn)業(yè)在AI拉動下有望迎來持續(xù)高增長。更快的產(chǎn)業(yè)升級速度對于光模塊廠商的交付能力，以及光模塊產(chǎn)品的成本/功耗都提出了更高要求，對于材料的要求也進(jìn)一步提高。而薄膜鈮酸鋰調(diào)制器憑借功耗/成本/性能等多個優(yōu)勢，有望隨著速率升級，迎來份額明顯提升。此外薄膜鈮酸鋰調(diào)制器有望替代部分InP以及硅基SiPh市場份額，在未來1.6T/3.2T以上市場有望伴隨AI拉動，迎來高速發(fā)展期。

國盛證券觀點(diǎn)如下：

光模塊產(chǎn)業(yè)在AI拉動下有望迎來持續(xù)高增長。傳輸速率升級與代際提升進(jìn)度明顯加快。更快的產(chǎn)業(yè)升級速度對于光模塊廠商的交付能力，以及光模塊產(chǎn)品的成本/功耗都提出了更高要求，對于材料的要求也進(jìn)一步提高。

薄膜鈮酸鋰—“光學(xué)硅”。鈮酸鋰材料是可靠材料中電光系數(shù)最優(yōu)的選擇(考慮居里點(diǎn)和電光系數(shù))。薄膜工藝?yán)M(jìn)電極距離，降低電壓提升帶寬電壓比。相比其他材料兼具大帶寬/低損耗/低驅(qū)動電壓等諸多光電最需要的優(yōu)點(diǎn)。

AI時代，補(bǔ)足“通信墻”提高傳輸速率成為重中之重。由于AI的拉動，網(wǎng)絡(luò)側(cè)的升級迭代速率有望顯著加速。原因有兩點(diǎn)：

1.算力芯片升級加速。AI需求可能因?yàn)槟Ｐ蛡?cè)升級和應(yīng)用層推進(jìn)迎來爆發(fā)奇點(diǎn)。同時“GPU—算力核心”的激烈競爭會進(jìn)一步促進(jìn)算力芯片的升級迭代。

2.算力集群運(yùn)行，對通信傳輸?shù)囊笊踔粮哂谒懔Ρ旧淼脑鲩L。未來幾年，800G向1.6T/3.2T升級的進(jìn)度有望明顯快于市場預(yù)期。

速率升級后材料特性差異體現(xiàn)明顯，薄膜鈮酸鋰有望實(shí)現(xiàn)份額躍升。當(dāng)前800G主流方案包括DR8/SR8/2FR4等方案，無論單?；蛘叨嗄＃^多使用單通道100Gbps速率。而當(dāng)切換到1.6/3.2T階段，有望向單波200/400G演進(jìn)。TFLN(薄膜鈮酸鋰)的大帶寬優(yōu)勢將更加突出。未來對于成本、功耗、性能等要求會越來越高，而薄膜鈮酸鋰調(diào)制器憑借功耗/成本/性能等多個優(yōu)勢，有望隨著速率升級，迎來份額明顯提升。

薄膜鈮酸鋰調(diào)制器市場空間廣闊，有望超過百億。相干光通信網(wǎng)絡(luò)不斷下沉，市場規(guī)模有望快速擴(kuò)張。據(jù)CignalAI預(yù)測，2024年全球高速相干光調(diào)制器出貨量將達(dá)到200萬端口。按照每個端口平均需要1～1.5個調(diào)制器，若薄膜鈮酸鋰調(diào)制器體滲透率可達(dá)50%，對應(yīng)的市場空間約82-110億元。

薄膜鈮酸鋰調(diào)制器有望替代部分InP以及硅基SiPh市場份額，在未來1.6T/3.2T以上市場有望伴隨AI拉動，迎來高速發(fā)展期。

技術(shù)工藝難度高，參與廠商有限，競爭格局可觀。鈮酸鋰調(diào)制器設(shè)計難度大，工藝復(fù)雜，技術(shù)門檻高，主要玩家包括日本的富士通(Fujitsu)和住友(Sumitomo)，美國Lumentum的鈮酸鋰調(diào)制器生產(chǎn)線(2019年由光庫科技收購)，以及國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)廠商鈮奧光電、寧波元芯等。

投資建議：薄膜鈮酸鋰調(diào)制器：光庫科技(300620.SZ)等。TFLN薄膜鈮酸鋰方案光模塊廠商：中際旭創(chuàng)(300308.SZ)、新易盛(300502.SZ)、聯(lián)特科技(301205.SZ)、德科立(688205.SH)等。

風(fēng)險提示：AI發(fā)展不及預(yù)期，算力需求不及預(yù)期，相關(guān)技術(shù)研發(fā)進(jìn)度風(fēng)險。