華金證券：終端市場(chǎng)需求反彈 助推存儲(chǔ)市場(chǎng)邁入全面復(fù)蘇階段

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，華金證券發(fā)布研究報(bào)告稱(chēng)，三星、SK海力士、美光(MU.US)三大存儲(chǔ)原廠相繼公布最新季度業(yè)績(jī)，營(yíng)收和利潤(rùn)端環(huán)比均有所改善。同時(shí)，指引顯示終端市場(chǎng)需求開(kāi)始出現(xiàn)反彈，助推存儲(chǔ)市場(chǎng)邁入全面復(fù)蘇階段。建議關(guān)注存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)標(biāo)的：東芯股份(688110.SH)，兆易創(chuàng)新(603986.SH)，北京君正(300223.SZ)，江波龍(301308.SZ)，普冉股份(688766.SH)等。

華金證券主要觀點(diǎn)如下：

三星電子：Q4存儲(chǔ)價(jià)格有望環(huán)比上漲，2024年智能手機(jī)市場(chǎng)需求將反彈

23Q3三星電子存儲(chǔ)業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收10.53萬(wàn)億韓元，同比減少31%，環(huán)比增長(zhǎng)17%；存儲(chǔ)業(yè)務(wù)虧損環(huán)比減少，主要系高附加值產(chǎn)品銷(xiāo)售的增長(zhǎng)以及ASP增長(zhǎng)。分產(chǎn)品看，1)DRAM：23Q3位元出貨量環(huán)比增長(zhǎng)約10%，ASP環(huán)比增長(zhǎng)中個(gè)位數(shù)，預(yù)計(jì)23Q4整體DRAM市場(chǎng)位元環(huán)比增長(zhǎng)10%。2)NAND：23Q3位元出貨量環(huán)比減少低個(gè)位數(shù)，ASP環(huán)比增長(zhǎng)低個(gè)位數(shù)，預(yù)計(jì)23Q4整體NAND市場(chǎng)位元環(huán)比持平。

資本支出方面，23Q3存儲(chǔ)業(yè)務(wù)所在的DS部門(mén)資本支出降至10.2萬(wàn)億韓元，環(huán)比減少24.44%。公司表示存儲(chǔ)支出將集中在平澤，其中包括完成P3基礎(chǔ)設(shè)施并推進(jìn)P4建設(shè)，以確保中長(zhǎng)期供應(yīng)，并仍致力于投資HBM等新技術(shù)，此外公司將根據(jù)市況動(dòng)態(tài)調(diào)整產(chǎn)能投資。公司將持續(xù)擴(kuò)大HBM、DDR5、LPDDR5x、UFS4.0等先進(jìn)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)品的銷(xiāo)售；對(duì)于庫(kù)存水平較高的老產(chǎn)品，針對(duì)性地通過(guò)降低產(chǎn)量來(lái)減少庫(kù)存。

下游應(yīng)用方面，由于DRAM和NAND高密度產(chǎn)品的采用增加以及客戶(hù)庫(kù)存調(diào)整的完成，PC和移動(dòng)需求得到改善。盡管傳統(tǒng)服務(wù)器需求仍然低迷，但面向生成式AI、高密度和高端產(chǎn)品的服務(wù)器需求仍然強(qiáng)勁。展望未來(lái)，公司預(yù)計(jì)PC和移動(dòng)設(shè)備換機(jī)周期的到來(lái)以及高密度趨勢(shì)的持續(xù)增長(zhǎng)會(huì)提振需求，Q4存儲(chǔ)價(jià)格有望環(huán)比上漲，2024年智能手機(jī)市場(chǎng)需求將反彈；服務(wù)器方面，由于人工智能需求增加和客戶(hù)庫(kù)存水平正?；枨髮⒅饾u恢復(fù)。

SK海力士：Q3DRAM業(yè)務(wù)扭虧為盈，存儲(chǔ)邁入全面復(fù)蘇階段

23Q3 SK海力士實(shí)現(xiàn)營(yíng)收9.07萬(wàn)億韓元，同比減少17%，環(huán)比增長(zhǎng)24%；毛利率升至1%，同比減少34pcts，環(huán)比增長(zhǎng)17pcts；存貨降至14.95萬(wàn)億韓元，環(huán)比減少8.96%。分產(chǎn)品看，1)DRAM：23Q3DRAM業(yè)務(wù)扭虧為盈。位元出貨量環(huán)比增長(zhǎng)20%，主要系DDR5、HBM的需求強(qiáng)勁；得益于關(guān)鍵產(chǎn)品價(jià)格上漲和高附加值產(chǎn)品貢獻(xiàn)增加，ASP環(huán)比增長(zhǎng)10%。2)NAND：在高密度移動(dòng)產(chǎn)品和SSD銷(xiāo)售增長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)下，23Q3NAND位元出貨量環(huán)比增長(zhǎng)中個(gè)位數(shù)，ASP環(huán)比微降。

公司表示存儲(chǔ)行業(yè)正邁入全面復(fù)蘇階段，預(yù)計(jì)所有應(yīng)用的出貨量都有望實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。1)PC：隨著渠道庫(kù)存回歸正常水位，加之明年換機(jī)需求提升，2024年P(guān)C出貨量有望增長(zhǎng)5%。此外，由于存儲(chǔ)產(chǎn)品成本下滑以及AIPC出現(xiàn)，預(yù)計(jì)2024年P(guān)C單機(jī)存儲(chǔ)容量有望實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)百分比的增長(zhǎng)；2)智能手機(jī)：伴隨部分換機(jī)周期來(lái)臨，2024年智能手機(jī)出貨量預(yù)計(jì)增長(zhǎng)5%。由于今年下半年新機(jī)發(fā)售加上旗艦產(chǎn)品組合增加，LPDDR5需求加速。AI在手機(jī)端持續(xù)滲透有望推動(dòng)16GB以上DRAM和512GB以上NAND的加速應(yīng)用。3)服務(wù)器：隨著云服務(wù)提供商投資增加，改善型需求提升，預(yù)計(jì)2024年整體服務(wù)器市場(chǎng)將逐漸復(fù)蘇。

美光：業(yè)績(jī)環(huán)比持續(xù)改善，24年DRAM和NAND位元需求均有望強(qiáng)勁增長(zhǎng)

FQ4-23(2023.6.2~2023.8.31)財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)：總營(yíng)收40億美元，同比減少40%，環(huán)比增長(zhǎng)7%；毛利率-9%，環(huán)比增長(zhǎng)7pct，兩項(xiàng)指標(biāo)均高于指引中值。季末庫(kù)存84億美元，環(huán)比增長(zhǎng)2億美元，庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)170天，環(huán)比增長(zhǎng)2天，公司預(yù)計(jì)到2024年3月(即進(jìn)入公司FY24H2)庫(kù)存周轉(zhuǎn)天數(shù)將僅高于目標(biāo)天數(shù)幾周。分產(chǎn)品看，DRAM營(yíng)收27.55億美元，環(huán)比增長(zhǎng)3.11%，位元出貨量環(huán)比增長(zhǎng)約15%，ASP環(huán)比減少高個(gè)位數(shù)百分比；NAND營(yíng)收12.05億美元，環(huán)比增長(zhǎng)18.95%，位元出貨量環(huán)比增長(zhǎng)超40%，ASP環(huán)比減少約15%。FQ1-24(2023.9.1~2023.11.30)業(yè)績(jī)指引：預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收42-46億美元，環(huán)比+4.74%~+14.71%；毛利率為-6%~-2%，環(huán)比增長(zhǎng)3~7pcts；業(yè)績(jī)環(huán)比改善趨勢(shì)有望延續(xù)。

終端市場(chǎng)：1)數(shù)據(jù)中心：公司預(yù)計(jì)服務(wù)器出貨量經(jīng)歷2023年的下滑后有望于2024年恢復(fù)增長(zhǎng)。公司數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)營(yíng)收已觸底，有望在下一財(cái)季實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)，并于FY24和FY25持續(xù)增長(zhǎng)。2)PC：公司預(yù)計(jì)2024年P(guān)C出貨量增長(zhǎng)低至中個(gè)位數(shù)百分比。公司表示本季度LPDRAM在超薄型筆記本中的應(yīng)用需求加速，且SSDQLC位元出貨量已連續(xù)兩個(gè)季度創(chuàng)紀(jì)錄。3)手機(jī)：公司預(yù)計(jì)2024年智能手機(jī)出貨量增長(zhǎng)約5%。由于價(jià)格彈性以及高端機(jī)采用更大存儲(chǔ)容量的推動(dòng)下，手機(jī)存儲(chǔ)用量持續(xù)增長(zhǎng)，目前銷(xiāo)售的智能手機(jī)中約有三分之一至少配備8GBDRAM+256GBNAND；AI應(yīng)用要求手機(jī)存儲(chǔ)具備更高容量、更低功耗和更高性能。4)汽車(chē)：ADAS和艙內(nèi)應(yīng)用推動(dòng)單車(chē)存儲(chǔ)用量持續(xù)增長(zhǎng)，公司FY23汽車(chē)業(yè)務(wù)營(yíng)收創(chuàng)新高。5)工業(yè)：FQ4-23工業(yè)市場(chǎng)出現(xiàn)復(fù)蘇跡象，預(yù)計(jì)銷(xiāo)量復(fù)蘇將持續(xù)至2024年。

資本開(kāi)支：FY24資本開(kāi)支將略高于FY23的70億美元，其中WFE(晶圓制造設(shè)備)支出同比繼續(xù)下降，建設(shè)資本支出上升以滿(mǎn)足在愛(ài)達(dá)荷州和紐約州的建廠需求，封測(cè)支出預(yù)計(jì)翻倍以支持HBM3E的生產(chǎn)。產(chǎn)能規(guī)劃：公司表示FY24更多地將產(chǎn)能分配于先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，且由于先進(jìn)節(jié)點(diǎn)工藝步驟增多，產(chǎn)能調(diào)整將導(dǎo)致DRAM和NAND整體晶圓產(chǎn)能顯著下降，并低于2022年水平。

展望：公司預(yù)計(jì)2023年DRAM位元需求增長(zhǎng)約5%，NAND位元需求增長(zhǎng)預(yù)期上調(diào)至高十位數(shù)百分比；同時(shí)DRAM和NAND位元供應(yīng)同比均有所減少。由于終端需求恢復(fù)、客戶(hù)庫(kù)存水位回歸正常、單機(jī)用量提升和AI的持續(xù)推動(dòng)，公司預(yù)計(jì)2024年DRAM和NAND位元需求均有望強(qiáng)勁增長(zhǎng)，且需求增速將高于供給增速。

風(fēng)險(xiǎn)提示：下游需求復(fù)蘇低于預(yù)期，終端去庫(kù)存效果低于預(yù)期，系統(tǒng)性風(fēng)險(xiǎn)等。