智通財經(jīng)APP獲悉,民生證券發(fā)布研究報告稱,算力時代,材料先行。受益AI算力提升拉動數(shù)據(jù)中心等基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)需求,同時AI驅(qū)動光模塊往400G/800G/1.6T的高速率技術(shù)方向迭代,光模塊產(chǎn)業(yè)得到快速發(fā)展,上游光芯片等光模塊核心重要組件也受拉動。目前主要光芯片采用磷化銦、砷化鎵、鈮酸鋰等材料制備,光芯片基座為鎢銅合金材料制備,相關(guān)材料有望受益光模塊行業(yè)需求快速發(fā)展帶來成長機遇。
建議關(guān)注:斯瑞新材(688102.SH)、東方鉭業(yè)(000962.SZ)、云南鍺業(yè)(002428.SZ)、有研新材(600206.SH)、天通股份(600330.SH)。
民生證券主要觀點如下:
AI算力提升拉動光模塊需求,上游材料有望受益。
AI大模型訓(xùn)練刺激算力需求快速增長,拉動配套基礎(chǔ)設(shè)施(服務(wù)器、交換機、光模塊)建設(shè)需求,同時AI應(yīng)用主要對應(yīng)高速率光模塊需求,驅(qū)動光模塊往400G/800G/1.6T的高速率趨勢迭代。拆分光模塊材料成本結(jié)構(gòu),光器件成本占比約為73%,電芯片占比約18%,PCB和外殼分別占比5%、4%,其中光芯片(TOSA和ROSA)占光模塊材料成本比重超50%。受益AI算力提升拉動光模塊需求,上游材料有望受益。
砷化鎵:VCSEL激光器芯片襯底材料。
砷化鎵是砷與鎵的化合物,是重要的半導(dǎo)體材料,砷化鎵襯底半導(dǎo)體器件具有高功率密度、低能耗、抗高溫、高發(fā)光效率、抗輻射、高擊穿電壓等特性,因此被廣泛用于生產(chǎn)LED、射頻器件、激光器等器件產(chǎn)品。砷化鎵(GaAs)襯底可用于制作VCSEL面發(fā)射激光器芯片,主要應(yīng)用于光通信(數(shù)據(jù)中心短距離傳輸)和消費電子(3D感測)等領(lǐng)域。
磷化銦:光通信領(lǐng)域關(guān)鍵材料。
磷化銦是磷和銦的化合物,是重要的半導(dǎo)體材料,磷化銦襯底半導(dǎo)體器件具有飽和電子漂移速度高、發(fā)光波長適宜光纖低損通信、抗輻射能力強、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度較高等特性,因此磷化銦襯底被廣泛應(yīng)用于制造光模塊器件、傳感器件、高端射頻器件等。在光通信領(lǐng)域,磷化銦襯底可用于制備激光器芯片、接收器芯片、電光調(diào)制器等。
鈮酸鋰:電光調(diào)制器重要材料。
鈮酸鋰晶體是重要的無機材料,經(jīng)過極化處理的鈮酸鋰晶體具有壓電、鐵電、光電、非線性光學(xué)、熱電等多種特性,在聲學(xué)濾波器中和光通信中都有重要應(yīng)用。鈮酸鋰晶體可用于制作鈮酸鋰調(diào)制器芯片,包括體材料鈮酸鋰調(diào)制器和薄膜鈮酸鋰調(diào)制器,薄膜鈮酸鋰調(diào)制器克服了體鈮酸鋰調(diào)制器體積大的局限性,更加適用于電光調(diào)制器高速化、小型化的需求。
金屬基復(fù)合材料:光芯片基座重要材料。
金屬基復(fù)合材料是重要的電子封裝材料,熱物理性能優(yōu)異,具備高熱導(dǎo)率和低膨脹性,在電子封裝領(lǐng)域有重要應(yīng)用。400G以上光模塊芯片對散熱要求大幅提高,需要具有低膨脹更高導(dǎo)熱特性的新材料來滿足要求,不同成份的鎢銅合金可以滿足400G、800G、1.6T光模塊需求,大于1.6T的光模塊則需要往更優(yōu)異性能的金剛石/銅復(fù)合材料升級迭代。
風(fēng)險提示:下游需求波動風(fēng)險,新品研發(fā)不及預(yù)期