內(nèi)存漲得比房?jī)r(jià)還快，背后到底有什么秘密？

本文來(lái)自微信公眾號(hào)“愛(ài)范兒”，作者為肖欽鵬。

如果說(shuō)2017年有什么遺憾的話，那就是內(nèi)存漲得比房?jī)r(jià)還快，工資卻沒(méi)漲多少；房子沒(méi)買(mǎi)成，很快連雞也吃不起了。

這可不是在開(kāi)玩笑。

那個(gè)以“大吉大利，今晚吃雞”風(fēng)靡全球的游戲《絕地求生：大逃亡》(Play Battle Grounds)，官方推薦配置需要8GB內(nèi)存，目前一條三星8GB DDR4內(nèi)存京東報(bào)價(jià)為699元；如果要開(kāi)最高特效玩頂級(jí)畫(huà)面，那32GB內(nèi)存必不可少，光內(nèi)存就得花上3000大洋——而在半年前，一條8GB內(nèi)存僅需399元，短短六個(gè)月，就翻了一番。

為什么內(nèi)存漲得那么快，背后又有什么秘密?

市場(chǎng)因素：安迪-比爾定律

20世紀(jì)90年代，在英特爾CEO安迪·格魯夫(Andy Grove)與微軟CEO比爾·蓋茨(Bill Gates)的領(lǐng)導(dǎo)下，兩家公司成立了“Wintel 聯(lián)盟”，英特爾為微軟提供性能強(qiáng)大的處理器，而微軟則不斷升級(jí) Windows 系統(tǒng)來(lái)榨干處理器的性能。當(dāng)時(shí)流行的說(shuō)法是：What Andy gives,Bill takes away.

這就是著名的“安迪-比爾定律”。

直到今天，這條定律仍在積極發(fā)揮作用：為什么一升級(jí)到最新系統(tǒng)，前兩年的老 iPhone 就卡到不行?因?yàn)樾碌?iOS 系統(tǒng)需要更強(qiáng)勁的性能支持，而舊款 iPhone 的配置已經(jīng)完全不夠用了。所以，每隔一兩年，你就會(huì)冒出換新手機(jī)、新電腦的念頭。

幾十年來(lái)，“安迪-比爾定律”一直在推動(dòng) PC、手機(jī)市場(chǎng)的繁榮。

可這跟內(nèi)存又有什么關(guān)系呢?

所謂內(nèi)存，其實(shí)是“存儲(chǔ)器”(Memory)的一種，這是利用半導(dǎo)體技術(shù)制成的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電子設(shè)備，根據(jù)性質(zhì)不同，主要分為兩大類(lèi)：

1.易失性存儲(chǔ)器(RAM)，即內(nèi)存。

2.非易失性存儲(chǔ)器(ROM)，即硬盤(pán)(包括機(jī)械硬盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán)、閃存等)。

而目前漲價(jià)比較猛的內(nèi)存主要是指動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory，簡(jiǎn)稱(chēng) DRAM)，屬于易失性存儲(chǔ)器;此外，固態(tài)硬盤(pán)(Solid State Drive，簡(jiǎn)稱(chēng) SSD)和 NAND 閃存還是手機(jī)、電腦成本的大頭，屬于非易失性存儲(chǔ)器。

DRAM 主要用于電腦、手機(jī)當(dāng)中，是與 CPU 直接進(jìn)行數(shù)據(jù)交互的存儲(chǔ)器，具備讀取速度快、隨時(shí)可讀寫(xiě)等特性，經(jīng)常作為處理系統(tǒng)或程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。因此，相同條件下，兩部其他硬件配置幾乎一致的手機(jī)或電腦，DRAM 越大，運(yùn)行速度也就越快。

隨著系統(tǒng)和軟件的進(jìn)步，手機(jī)、電腦等設(shè)備對(duì)內(nèi)存的需求也就越大。

2017 年主流的 Android 旗艦，基本都用上了 4GB RAM，部分國(guó)產(chǎn)手機(jī)甚至配備了8GB RAM;而iPhone 8和iPhone X也都搭載了3GB RAM——而在2007年 iPhone 剛發(fā)布時(shí)，內(nèi)存僅僅只有128MB。

除了手機(jī)之外，云服務(wù)、人工智能、VR / AR、區(qū)塊鏈等技術(shù)的興起，也對(duì)計(jì)算機(jī)的性能提出了更高的要求，這也就變相拉動(dòng)了對(duì)內(nèi)存的需求。

市場(chǎng)需求的激增，是內(nèi)存漲價(jià)的原因之一。

行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)：美韓爭(zhēng)霸，壟斷全球

內(nèi)存漲價(jià)的另外一大原因，與行業(yè)現(xiàn)況息息相關(guān)。

根據(jù)IC Insights在2016年推出的調(diào)查報(bào)告，目前全世界的前10大半導(dǎo)體廠商中，從事內(nèi)存和閃存芯片的設(shè)計(jì)與制造的，主要有5家：

1.三星電子

2.SK 海力士

3.英特爾

4.鎂光科技

5.東芝半導(dǎo)體

這5家公司，基本上可以分為韓國(guó)與美國(guó)兩大陣營(yíng)。三星、SK 海力士均是韓國(guó)廠商，而英特爾、鎂光科技則是美國(guó)廠商。此外，東芝半導(dǎo)體雖然是日廠，但目前已經(jīng)被貝恩資本領(lǐng)銜的財(cái)團(tuán)拿下，其背后是蘋(píng)果、戴爾、SK 海力士等公司，基本上也都是美國(guó)和韓國(guó)的玩家。

韓國(guó)和美國(guó)，幾乎已經(jīng)壟斷了全球的存儲(chǔ)器市場(chǎng)。

三星是全球最大的DRAM、NAND閃存、SSD固態(tài)硬盤(pán)制造商。這些業(yè)務(wù)在2017年都取得了突飛猛進(jìn)地增長(zhǎng)。根據(jù)IC Insight的報(bào)告，今年 NAND閃存市場(chǎng)增長(zhǎng)了44%，而DRAM市場(chǎng)則增長(zhǎng)74%——而三星在DRAM、NAND領(lǐng)域的市場(chǎng)占有率分別高達(dá)47.5%、36.9%。

這也是為什么在Galaxy Note 7燃損事件之后，三星還能迅速恢復(fù)元?dú)狻Ｒ驗(yàn)镹ote7燒掉的那些錢(qián)，早就通過(guò)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)賺回來(lái)了。

三星2017第二季度的財(cái)報(bào)顯示，該季度三星半導(dǎo)體營(yíng)收為17.58萬(wàn)億韓元(約合157.99億美元)，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為8.03萬(wàn)億韓元(約合72.16億美元)，已經(jīng)快趕上蘋(píng)果2017 Q3季度的利潤(rùn)(87.17億美金)。

其實(shí)，三星成為存儲(chǔ)器行業(yè)的霸主，也就是近10年的事情，在此之前，存儲(chǔ)器行業(yè)屬于美國(guó)和日本。

20 世紀(jì)70年代，存儲(chǔ)器行業(yè)主要是美國(guó)企業(yè)主導(dǎo)，IBM、德州儀器和英特爾是最大的玩家?？傻搅?0年代，日本電子產(chǎn)業(yè)崛起，日系的東芝、NEC(日本電氣)、日立等廠商憑借強(qiáng)大的技術(shù)優(yōu)勢(shì)超過(guò)美國(guó)，東芝和NEC一度是世界上最大的半導(dǎo)體廠商。

1999年，日立、NEC兩大日企的半導(dǎo)體部門(mén)合并為爾必達(dá)內(nèi)存公司，之后又合并了三菱電機(jī)的內(nèi)存制造部門(mén)。此時(shí)的日本半導(dǎo)體如日中天，沒(méi)人想到日本存儲(chǔ)器行業(yè)會(huì)在十年后快速萎縮。

2008年，全球金融危機(jī)爆發(fā)，日本是重災(zāi)區(qū)。當(dāng)時(shí)存儲(chǔ)器產(chǎn)量過(guò)剩，整個(gè)行業(yè)陷入疲軟期，內(nèi)存條價(jià)格一度跌倒了成本價(jià)以下，美國(guó)鎂光、日本爾必達(dá)等公司都陷入赤字。

2009年，爾必達(dá)陷入困境，日本政府再次伸出援手，注入了300億日元的公共資金，并提供了政府擔(dān)保的1000億日元的銀行融資。然而，盡管有政府注資和政策扶持，但由于支援力度有限，爾必達(dá)的經(jīng)營(yíng)始終沒(méi)有明顯起色——此時(shí)，在韓國(guó)政府的全力資助下，三星、現(xiàn)代以及海力士等公司卻逃過(guò)一劫，迅速崛起。

2012年1月，三星電子已經(jīng)占據(jù)了內(nèi)存市場(chǎng)41%的份額，而爾必達(dá)的市場(chǎng)份額只有13.5%。沒(méi)過(guò)多久，爾必達(dá)就提交了破產(chǎn)保護(hù)的請(qǐng)求，當(dāng)時(shí)爾必達(dá)的負(fù)債總額已經(jīng)高達(dá)4810億日元，是日本制造業(yè)歷史上負(fù)債最多的企業(yè)。

2012年5月份，鎂光科技以20億美元的價(jià)格收購(gòu)了爾必達(dá)，改名為鎂光存儲(chǔ)器日本。

東芝半導(dǎo)體的衰落，則與2015年爆發(fā)的“東芝會(huì)計(jì)丑聞”有關(guān)。受2008年金融危機(jī)的影響，東芝集團(tuán)營(yíng)利能力疲軟，為了達(dá)到利潤(rùn)目標(biāo)，東芝高層不惜在賬面上造假。2015年，東芝公司被曝出在過(guò)去7年內(nèi)共虛報(bào)了12億美元的營(yíng)收，直接導(dǎo)致東芝集團(tuán)重組。

無(wú)可奈何之下，東芝只好逐個(gè)剝離自家最賺錢(qián)的業(yè)務(wù)，包括醫(yī)療器械業(yè)務(wù)、白色家電業(yè)務(wù)、半導(dǎo)體業(yè)務(wù)等等。如果東芝半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門(mén)被貝恩資本領(lǐng)銜的財(cái)團(tuán)收購(gòu)，那么在未來(lái)很可能在日本獨(dú)立上市，可背后的股東不是美國(guó)人，就是韓國(guó)人。

在供不應(yīng)求的當(dāng)下，無(wú)論是美方還是韓方，都不愿意打價(jià)格戰(zhàn)，各方達(dá)成了一種微妙的平衡。

市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)DRAMeXchange的研究員吳雅婷指出，目前市場(chǎng)受惠于平均銷(xiāo)售單價(jià)的上揚(yáng)與新制程的持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)，各大廠商直到2017年底都沒(méi)有大量擴(kuò)產(chǎn)的計(jì)劃，而第三季度隨著各大手機(jī)廠商的旗艦產(chǎn)品陸續(xù)出貨，內(nèi)存價(jià)格將會(huì)繼續(xù)上漲。

2018年，內(nèi)存還會(huì)接著漲嗎?

盡管靠著存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)，三星、鎂光、海力士等公司賺得盆滿(mǎn)缽滿(mǎn)，但并不意味著就高枕無(wú)憂(yōu)。

存儲(chǔ)器是一個(gè)周期性極強(qiáng)的產(chǎn)業(yè)，容易受到市場(chǎng)供需情況的影響，缺乏用戶(hù)粘性。如果不做好萬(wàn)全的準(zhǔn)備，很可能一下子就被后來(lái)者顛覆——目前，中國(guó)正在大力發(fā)展存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)，雖然與巨頭相比仍有差距，但由于有國(guó)家政策上的支持，紫光、長(zhǎng)鑫、晉華等入局者，個(gè)個(gè)斗志昂揚(yáng)、糧草充足。

因此，無(wú)論是三星、SK海力士，還是英特爾、鎂光，都在積極尋求技術(shù)上的突破。

內(nèi)存方面，海力士、鎂光還在尋求制程上的突破，準(zhǔn)備從25nm躍進(jìn)到20nm以?xún)?nèi)。為此，鎂光和海力士分別在臺(tái)灣和中國(guó)大陸設(shè)立新廠，并加大投資。

而三星、英特爾等技術(shù)更為領(lǐng)先的玩家，則在研究替代DRAM的新型內(nèi)存：

1.MRAM，磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(Magnetoresistive Random Access Memory)，主要玩家是三星和臺(tái)積電，這種內(nèi)存使用壽命更長(zhǎng)，芯片面積更小，反應(yīng)速度更快，因此被業(yè)內(nèi)視為最有可能取代 DRAM 的技術(shù)

2.RRAM，可變電阻式內(nèi)存(Resistive random-access memory)，英特爾和鎂光共同研發(fā)的“3D Xpoint”就屬于這種，寫(xiě)入速度比 NAND 閃存快一萬(wàn)倍，比DRAM快10倍

業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，大概到2019年，內(nèi)存市場(chǎng)才會(huì)迎來(lái)一波降價(jià)潮。

至于閃存方面，整個(gè)產(chǎn)業(yè)正在從2D平面NAND閃存轉(zhuǎn)向3D立體NAND閃存。

目前，三星依舊是這方面的領(lǐng)先者，3D-NAND月產(chǎn)能占比已經(jīng)達(dá)到40%，而英特爾、鎂光緊隨其后，至于東芝、西部數(shù)據(jù)的3D-NAND產(chǎn)能，僅占到市場(chǎng)的10-15%。

不過(guò)，由于NAND閃存的需求并不如內(nèi)存般強(qiáng)烈，調(diào)研機(jī)構(gòu)DRAMeXchange預(yù)計(jì)，隨著東芝產(chǎn)能的提升，2018 年市場(chǎng)將會(huì)出現(xiàn)供過(guò)于求的情況。

從整體上看，未來(lái)半年內(nèi)無(wú)論是內(nèi)存還是閃存，應(yīng)該都會(huì)繼續(xù)漲價(jià)——也就是說(shuō)，手機(jī)、電腦等電子產(chǎn)品，價(jià)格還會(huì)一路走高。內(nèi)存到底什么時(shí)候才會(huì)停止瘋漲?或許只能等待下一位攪局者入場(chǎng)。(編輯：胡敏)