臺積電(TSM.US)啟動3納米芯片量產(chǎn)

智通財經(jīng)APP獲悉，臺積電(TSM.US)12月29日正式宣布啟動3納米芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。臺積電董事長劉德音表示，對3納米芯片的需求“非常強勁”，并補充稱，該公司將在臺灣新竹和臺中建造2納米工廠。

臺積電正試圖保持其全球最先進半導(dǎo)體供應(yīng)商的地位。臺積電將在2023年初采用產(chǎn)能有限的N3節(jié)點工藝，然后在2023年晚些時候轉(zhuǎn)向更穩(wěn)定、更高效的全面生產(chǎn)的N3E，隨后在2024年轉(zhuǎn)向N3P。到2024年，臺積電還將在新竹工廠將其2納米GAA工藝投入試生產(chǎn)，并在2025年進行大規(guī)模生產(chǎn)。

臺積電表示，與5納米制程工藝相比，3納米制程工藝的邏輯密度將增加約70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低 25-30%。劉德音表示，3納米芯片將在五年內(nèi)創(chuàng)造出市場價值1.5萬億美元的終端產(chǎn)品。

臺積電正轉(zhuǎn)向下一代芯片制造業(yè)務(wù)，而此時全球電子需求正受到經(jīng)濟衰退威脅的打擊。臺積電今年將資本支出計劃削減了至少10%，至360億美元。一些分析師警告稱，該公司可能會在2023年進一步推遲擴張支出。

作為臺積電的競爭對手，三星于今年6月開始生產(chǎn)3納米芯片，并準(zhǔn)備在2024年推出更節(jié)能的3納米節(jié)點工藝。目前，三星在全球半導(dǎo)體市場份額方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于臺積電，位居第二。