申萬宏源半導體投資策略:自主可控+景氣復蘇成為2023年主旋律

半導體2023年主要成長邏輯圍繞自主可控和景氣復蘇兩個環(huán)節(jié)展開。

智通財經APP獲悉,申萬宏源發(fā)布研究報告稱,半導體2023年主要成長邏輯圍繞自主可控和景氣復蘇兩個環(huán)節(jié)展開。核心環(huán)節(jié)自主可控將進一步加速半導體設備以及零部件等核心環(huán)節(jié)的自主可控進程,龍頭公司持續(xù)受益自主可控大趨勢。景氣復蘇角度來看,汽車電子持續(xù)呈現供需緊張局面,而消費電子領域呈現需求疲軟、庫存壓力較大的情況,隨著庫存的逐漸去化,消費電子、家電等領域明年有望迎來庫存下修與需求回暖的雙擊表現,景氣復蘇將成為第二配置曲線。

申萬宏源主要觀點如下:

半導體設計重點關注低滲透率與景氣度復蘇品種。

CPU、GPU、FPGA,存儲芯片DRAM、NAND,高端模擬芯片等仍處于國產化初期,綜合國產化率不足10%。受手機、消費電子等終端需求影響,部分IC品類短期處于調整期,隨著目前庫存去化接近尾聲,整體板塊預計在明年Q2開始迎來回暖。

舉國體制催化半導體設備及零部件等關鍵環(huán)節(jié)復蘇進步。

舉國體制將對半導體板塊帶來新加速驅動力,針對性高,目標更明確,高難度、高精尖和“卡脖子”板塊更加受益。針對半導體設備板塊,先進制程國產化將成為未來核心推動環(huán)節(jié),半導體設備板塊將面臨持續(xù)加速受益。

高壓平臺需求激增,SiC引領行業(yè)新增長。

新能源車IGBT市場規(guī)模已逾百億元,光伏、風電撬動的IGBT需求2025年有望達百億元。高壓平臺下,SiC有望迎量產機遇。根據Yole數據,全球碳化硅功率器件市場規(guī)模預計將從2021年10.9億美元增長至2027年62.97億美元,CAGR達34%,增速明顯。

推薦關注:持續(xù)加速國產化進程,國產化標的持續(xù)受益。持續(xù)關注:設備:長川科技(300604.SZ)、芯源微(688037.SH)、北方華創(chuàng)(002371.SZ)、中微公司(688012.SH)、富創(chuàng)精密(688409.SH)、新萊應材(300260.SZ)等;設計:圣邦股份(300661.SZ)、納芯微(688052.SH)、瀾起科技(688008.SH)、芯朋微(688508.SH)、等;功率:東尼電子(603595.SH)、天岳先進(688234.SH)、時代電氣(688187.SH)等。

風險提示:疫情反復的風險;原材料短缺、價格波動;汽車智能化等新型終端創(chuàng)新和滲透提升不及預期風險。

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