中國(guó)銀河證券：SiC市場(chǎng)短期仍供不應(yīng)求 建議關(guān)注產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先的廠商

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，中國(guó)銀河證券發(fā)布研究報(bào)告稱，SiC行業(yè)近期飛速發(fā)展，海外多家廠商具備先發(fā)優(yōu)勢(shì)，短期內(nèi)在產(chǎn)品、產(chǎn)能和良率等方面均領(lǐng)先國(guó)內(nèi)企業(yè)，但隨著國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)SiC行業(yè)重視程度提高，技術(shù)不斷進(jìn)步，未來(lái)有望實(shí)現(xiàn)對(duì)海外廠商的彎道超車。從市場(chǎng)空間上來(lái)看，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2027年市場(chǎng)空間將超過(guò)60億美元。當(dāng)前，多因素導(dǎo)致國(guó)內(nèi)SiC市場(chǎng)短期仍表現(xiàn)為供不應(yīng)求局面，建議關(guān)注國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)鏈處于領(lǐng)先地位的優(yōu)質(zhì)廠商。

投資建議：IDM全產(chǎn)業(yè)鏈布局：三安光電(600703.SH)，國(guó)內(nèi)優(yōu)秀襯底廠商：天岳先進(jìn)(688234.SH);在設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)具備優(yōu)秀壁壘的：斯達(dá)半導(dǎo)(603290.SH)、時(shí)代電氣(688187.SH)、新潔能(605111.SH)、士蘭微(600460.SH)、東微半導(dǎo)(688261.SH)等，以及布局封裝材料廠商：博敏電子(603936.SH)。

中國(guó)銀河證券主要觀點(diǎn)如下：

第三代半導(dǎo)體：更先進(jìn)的材料，更優(yōu)異的產(chǎn)品特性

第三代半導(dǎo)體材料是指帶隙寬度達(dá)到2.0-6.0eV的寬禁帶半導(dǎo)體材料，包括了碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，是制造高壓大功率電力電子器件的突破性材料。相比硅基，SiC材料在熱導(dǎo)率、開(kāi)關(guān)頻率、電子遷移率和擊穿場(chǎng)強(qiáng)均具備優(yōu)勢(shì)，因此SiC材料具備更高效率和功率密度。從產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，襯底是價(jià)值鏈核心，在成本SIC SBD器件中，襯底價(jià)值量占比達(dá)到47%。該行認(rèn)為，襯底價(jià)格下降是推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的核心環(huán)節(jié)，襯底行業(yè)的發(fā)展也是未來(lái)SiC產(chǎn)業(yè)降本增效和商業(yè)化落地的核心驅(qū)動(dòng)因素。

市場(chǎng)空間仍待開(kāi)發(fā)，產(chǎn)業(yè)鏈成熟度逐步提升

從市場(chǎng)空間上來(lái)看，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2027年市場(chǎng)空間將超過(guò)60億美元，僅碳化硅器件中的功率器件的市場(chǎng)規(guī)模將從2021年的10.90億美金增長(zhǎng)至2027年的62.97億美金，GAGR達(dá)到34%，從細(xì)分行業(yè)需求來(lái)看，新能源產(chǎn)業(yè)鏈和充電基礎(chǔ)設(shè)施將為增長(zhǎng)最快領(lǐng)域。從供給端來(lái)看，目前整體產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)芟抻赟iC襯底產(chǎn)能、對(duì)襯底缺陷缺乏有效控制、向大尺寸襯底轉(zhuǎn)移等因素，同時(shí)在外延膜生產(chǎn)設(shè)備基本依靠海外、厚度與摻雜濃度均勻性等因素，外延生產(chǎn)同樣存在壁壘。多因素導(dǎo)致國(guó)內(nèi)SiC市場(chǎng)短期仍表現(xiàn)為供不應(yīng)求局面。

海外廠商為主導(dǎo)，國(guó)內(nèi)企業(yè)正加速追趕

從行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)角度來(lái)看，美歐日為主導(dǎo)，海外廠商例如Wolfspeed已突破8英寸節(jié)點(diǎn)，國(guó)內(nèi)企業(yè)還處于4、6英寸襯底導(dǎo)入階段。但是國(guó)內(nèi)企業(yè)目前正在加速追趕，在專利和市占率持續(xù)提升，國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)化帶有“學(xué)研”基因極為突出，包括天岳、天科合達(dá)均為始于院校研究所。

滲透率提升市場(chǎng)空間打開(kāi)，短期分歧不改長(zhǎng)期趨勢(shì)

市場(chǎng)對(duì)SiC產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)眾多分歧，包括長(zhǎng)期系統(tǒng)成本與單一成本成本分歧、技術(shù)進(jìn)步對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈沖擊以及多制造環(huán)節(jié)的自主可控等，但該行認(rèn)為針對(duì)新興產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，隨著未來(lái)長(zhǎng)期襯底價(jià)格下降，SiC器件接受度和滲透率迎提升，短期分歧不改行業(yè)長(zhǎng)期成長(zhǎng)。

風(fēng)險(xiǎn)提示：地緣政治風(fēng)險(xiǎn)及宏觀經(jīng)濟(jì)發(fā)展不及預(yù)期，產(chǎn)能擴(kuò)張周期不及預(yù)期，材料端產(chǎn)能及良率提升不及預(yù)期，下游行業(yè)推廣滲透率不及預(yù)期，碳化硅器件成本下降程度不及預(yù)期。