IBM(IBM.US)聯(lián)手三星發(fā)布“突破性”芯片設(shè)計，可減少85%能耗

智通財經(jīng)APP獲悉，最近，IBM(IBM.US)表示，其與三星合作在半導(dǎo)體設(shè)計上取得了“突破”，可以減少85%的能源消耗。

據(jù)悉，IBM與韓國三星共同發(fā)布“垂直傳輸場效應(yīng)晶體管”(VTFET) 芯片設(shè)計。與當(dāng)前的鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)相比，VTFET 有望帶來翻倍的性能，減少 85% 能耗。

IBM在新聞稿中列出了這項技術(shù)帶來的潛在好處，包括：開發(fā)新的芯片架構(gòu)，延長手機待機時間至一個多星期，擴展物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用，減少能源密集型流程的能耗等。