王者歸來?英特爾(INTC.US)公布芯片新技術(shù) 或助其延續(xù)摩爾定律

智通財經(jīng)APP獲悉，英特爾(INTC.US)對外公布了多項新技術(shù)，據(jù)稱可以在未來十年幫助英特爾芯片不斷縮小尺寸、提升性能，其中的一些技術(shù)準備將不同芯片進行堆疊處理。

據(jù)悉，12月12日，英特爾在IEEE 國際電子設(shè)備會議(IEDM) 上通過多篇研究論文公布了三種新技術(shù)，從量子物理突破、新封裝和晶體管技術(shù)三個方向來延續(xù)摩爾定律。

其中，英特爾新型3D堆疊、多芯片封裝技術(shù)Foveros Direct 可以讓上下芯片之間的連接點密度提升10倍、而且每個連接點的間距小于10微米。全新的封裝方式可以將 NMOS 和 PMOS 堆疊在一起，緊密互聯(lián)，從而在空間上提高芯片的晶體管密度;這種方式能在不縮小制程的情況下，將晶體管密度提升30%至50%，使摩爾定律重新生效。

過去幾年，在制造更小、更快速的芯片方面，英特爾輸給了臺積電(TSM.US)和三星電子兩大對手;如今，英特爾正在千方百計重新贏得芯片制造領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。

此前，Pat Gelsinger擔任英特爾信任首席執(zhí)行官之后，推出一系列在2025年重新贏得優(yōu)勢地位的商業(yè)發(fā)展規(guī)劃。而這一次該公司技術(shù)團隊推出了一系列“技術(shù)性武器”，或?qū)椭⑻貭栐?025年后一直保持技術(shù)優(yōu)勢。

英特爾“組件研究集團”總監(jiān)兼高級工程師Paul Fischer表示，通過把半導(dǎo)體零組件一個堆疊在另外一個身上，英特爾技術(shù)團隊可節(jié)省芯片空間，“我們正減少芯片內(nèi)部連接通道的長度，從而節(jié)省能耗，這樣不僅提高芯片成本效益，更能增強芯片性能。”