華創(chuàng)證券：維持新潔能(605111.SH)“強推”評級 定增助力研發(fā) 有望開啟第二成長曲線

智通財經(jīng)APP獲悉，華創(chuàng)證券發(fā)布研究報告，維持新潔能(605111.SH)“強推”評級，保持2021-23年歸母凈利預(yù)測4.36/6.08/8.16億元不變，對應(yīng)EPS為3.08/4.29/5.76元。

事件：公司發(fā)布非公開發(fā)行A股股票預(yù)案，擬募資不超過14.5億元，主要用于：1)SiC/GaN功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，2億元;2)功率驅(qū)動IC及IPM模塊研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，6億元;3)SiC/IGBT/MOSFET等PIM模塊(含車規(guī)級)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，5億元;4)補充流動資金1.5億元。

華創(chuàng)證券主要觀點如下：

從IGBT單管向IPM&PIM延伸，公司成長性日益凸顯。

21H1公司借助華虹宏力領(lǐng)先的特色工藝，在IGBT業(yè)務(wù)上取得長足發(fā)展，在光伏、儲能等領(lǐng)域與行業(yè)龍頭客戶均展開合作。公司現(xiàn)有產(chǎn)品主要以IGBT單管為主，而此次定增其中11億元投入IPM模塊(6億元)和PIM模塊(5億元)的研發(fā)，有望實現(xiàn)IGBT產(chǎn)品從單管到模塊的突破，下游空間大大打開。與此同時，在MOSFET、IGBT之外，公司前瞻布局第三代半導(dǎo)體，應(yīng)用領(lǐng)域從工業(yè)、光伏向車規(guī)應(yīng)用等高成長領(lǐng)域延伸。伴隨新產(chǎn)品突破和放量，公司成長性日益顯著。

MOSFET向中高壓升級，下游代工廠擴產(chǎn)2022年成長動能充沛。

進(jìn)入21H2，碳中和趨勢下光伏發(fā)電、新能源電動車加速滲透，帶動對MOSFET中高壓產(chǎn)品的需求持續(xù)上升。新潔能作為國內(nèi)功率半導(dǎo)體龍頭，在屏蔽柵/超結(jié)MOSFET等中高壓產(chǎn)品上進(jìn)展順利，12寸平臺的量產(chǎn)料號持續(xù)增加，產(chǎn)品高端化深度演繹。

而在產(chǎn)能端，新潔能主要代工廠華虹半導(dǎo)體的12寸線有望從當(dāng)前產(chǎn)能6.5w片/月，擴至2022年底9.5w片/月，其新增產(chǎn)能中高端功率半導(dǎo)體將占據(jù)較大比重，為新潔能MOSFET業(yè)務(wù)的升級成長提供充分的產(chǎn)能支撐。展望2022年，公司高端MOSFET受益于下游新能源汽車、光伏等領(lǐng)域的強勁需求，有望帶動MOSFET業(yè)務(wù)的穩(wěn)健成長。

募投資金助力高強度研發(fā)，新品密集推出有望打開第二成長曲線。

2020年公司研發(fā)投入同比增加近50%，21H1公司繼續(xù)加大研發(fā)力度，研發(fā)費用率升至5.24%。伴隨高強度研發(fā)投入，公司各項新品研發(fā)、導(dǎo)入順利：1)21H1公司在IGBT業(yè)務(wù)上取得長足發(fā)展，在光伏、儲能、工控、電動工具、家電變頻領(lǐng)域均取得突破，與行業(yè)龍頭客戶均展開合作;

2)21Q2IGBT模塊產(chǎn)品出貨，創(chuàng)收2624萬元，同比增1110%以上;3)12寸1200VIGBT已有五個系列的產(chǎn)品量產(chǎn)，工業(yè)變頻和逆變的1200VPIM模塊、光伏儲能的低損耗高頻產(chǎn)品形成批量銷售，1700V模塊通過客戶測試。伴隨新品開拓，公司第二成長曲線初具雛形。

投資建議：公司為國內(nèi)功率半導(dǎo)體龍頭廠商，正穩(wěn)步實現(xiàn)從MOSFET到IGBT再到第三代半導(dǎo)體的突破。同時，前期高強度研發(fā)投入進(jìn)入收獲期，公司在高端產(chǎn)品上進(jìn)展順利，IGBT產(chǎn)品進(jìn)度超預(yù)期。

風(fēng)險提示：行業(yè)景氣持續(xù)性不及預(yù)期，F(xiàn)abless廠商產(chǎn)能供應(yīng)受沖擊，新品研發(fā)不及預(yù)期。