開源證券:首予斯達(dá)半導(dǎo)(603290.SH)“買入”評級 IGBT打破海外壟斷快速成長 打開增長空間

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉,開源證券發(fā)布研究報(bào)告稱,首予斯達(dá)半導(dǎo)(603290.SH)“買入”評級,預(yù)計(jì)21...

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉,開源證券發(fā)布研究報(bào)告稱,首予斯達(dá)半導(dǎo)(603290.SH)“買入”評級,預(yù)計(jì)21-23年歸母凈利潤為3.52/4.66/5.98億元,每股凈利潤為2.2/2.91/3.73元,當(dāng)前股價(jià)對應(yīng)PE為171.6/129.9/101.2倍。

開源證券主要觀點(diǎn)如下:

IGBT龍頭,打破海外壟斷快速成長

公司專注IGBT芯片及模塊的研發(fā)設(shè)計(jì),先后打破海外企業(yè)對IGBT模塊和芯片的壟斷,目前自研芯片水平已與國際先進(jìn)水平持平,采用自研芯片的模塊銷售比例快速提升,已成長為國產(chǎn)IGBT模塊龍頭供應(yīng)商。公司憑借技術(shù)先發(fā)優(yōu)勢、客戶認(rèn)證優(yōu)勢及代工資源優(yōu)勢,有望不斷鞏固龍頭地位,充分受益IGBT市場的國產(chǎn)化替代。

國內(nèi)領(lǐng)先車規(guī)級IGBT供應(yīng)商,有望充分受益新能源汽車市場發(fā)展

根據(jù)該行的測算,全球車規(guī)主驅(qū)逆變IGBT模塊市場將由2020年的6.88億美元增長至2025年的26.40億美元,CAGR達(dá)30.86%,將為IGBT市場注入強(qiáng)勁發(fā)展動(dòng)力。2020年,公司IGBT模塊配套逾20萬輛新能源汽車,覆蓋超過20家汽車品牌,處于國內(nèi)領(lǐng)先地位,是國內(nèi)為數(shù)不多能夠供應(yīng)車規(guī)級IGBT模塊的廠商之一。公司不斷加強(qiáng)研發(fā),有望提升IGBT模塊供應(yīng)車型等級,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品銷售單價(jià)提升及銷售結(jié)構(gòu)優(yōu)化,并憑借優(yōu)質(zhì)的客戶充分受益新能源車市場的快速發(fā)展。

自建晶圓產(chǎn)線進(jìn)軍高壓IGBT及SiC芯片,打開增長空間

公司發(fā)布定增公告,擬自建晶圓產(chǎn)線用于生產(chǎn)高壓IGBT芯片及SiC芯片,項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)36萬片功率半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)能力,這意味著公司將以IDM模式運(yùn)營高壓IGBT芯片和SiC芯片業(yè)務(wù),有利于公司進(jìn)行相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn),更好地實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能保障和成本控制。

公司現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)中低電壓等級IGBT芯片的全覆蓋,正在積極進(jìn)行高壓IGBT研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化工作,未來有望將產(chǎn)品進(jìn)一步滲透至新能源發(fā)電、軌交等領(lǐng)域。公司亦積極布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品,SiC模塊產(chǎn)品已用于宇通新能源客車的核心電控系統(tǒng)之中。公司擬建造SiC晶圓產(chǎn)線,為公司未來在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域持續(xù)領(lǐng)先打下基礎(chǔ)。

風(fēng)險(xiǎn)提示:新能源汽車銷量不及預(yù)期;公司客戶拓展不及預(yù)期;市場競爭加劇。

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