智通財經(jīng)APP獲悉,5月25日(周二)美股盤前,截至北京時間18:21,聯(lián)電(UMC.US)盤前漲5.38%,報9.2美元。有消息指出,高通(QCOM.US)已與聯(lián)電簽下一項長期協(xié)議,后者將為高通提供6年的產(chǎn)能支持。
此前,業(yè)界傳聯(lián)電已經(jīng)與聯(lián)發(fā)科、瑞昱、聯(lián)詠、三星、高通等六大型芯片廠商定,由上述廠商先支付產(chǎn)能保證金,聯(lián)電負責(zé)在南部科學(xué)園區(qū)新建一座規(guī)模2萬片的12吋28納米的廠房。據(jù)稱聯(lián)電規(guī)劃中的南科P6廠投資額高達千億元,以28納米高介電層/金屬閘極(HK)制程1千片產(chǎn)能需要資金1億美元來估算,每家芯片廠可能需要負擔(dān)約5億美元。聯(lián)電的新廠預(yù)計在2023年第2季度實現(xiàn)量產(chǎn),屆時六大芯片廠每家將承包約5千片的月產(chǎn)能。
據(jù)悉,為了滿足強勁的客戶需求,聯(lián)電2021年資本支出將達15億美元,比去年增加50%;其中,85%的資本支出將投入12吋廠,主要以28奈米以下制程為主,其他15%投資到8吋廠。